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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSZ16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSZ16DN25NS3GATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSZ16DN25NS3GATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 33339

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSZ16DN25NS3GATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSZ16DN25NS3GATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSZ16DN25NS3GATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 32µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 62.5W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 250 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10.9A (Tc)  
Número de producto base BSZ16DN25  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1

Atributo del producto BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3G BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1
Número de pieza BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3G BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 32µA 4V @ 13µA 3.1V @ 48µA 4.6V @ 32µA
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 250 V 200 V 30 V 150 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10.9A (Tc) 7A (Tc) 9A (Ta), 39.5A (Tc) 32A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 62.5W (Tc) 34W (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 62.5W (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V 225mOhm @ 3.5A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V 30mOhm @ 16A, 10V
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V 5.6 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 8V, 10V
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-1 PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL
Número de producto base BSZ16DN25 - BSZ180 BSZ300
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 100 V 430 pF @ 100 V 2220 pF @ 15 V 950 pF @ 75 V

BSZ16DN25NS3GATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSZ16DN25NS3GATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSZ16DN25NS3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Italia 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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