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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSZ110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSZ110N06NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSZ110N06NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSZ110N06NS3GATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerVDFN
Ficha de datos
BSZ110N06NS3GATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 122150

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSZ110N06NS3GATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSZ110N06NS3GATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSZ110N06NS3GATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 23µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 50W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 30 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Número de producto base BSZ110  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSZ110N06NS3GATMA1

Atributo del producto BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ105N04NSG BSZ100N06NSATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Número de pieza BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ105N04NSG BSZ100N06NSATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 50W (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) 50W (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 30 V 1300 pF @ 20 V 1075 pF @ 30 V 1300 pF @ 40 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 23µA 4V @ 14µA 3.3V @ 14µA 3.8V @ 22µA
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 18.5 nC @ 10 V
RDS (Max) @Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 11mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Paquete / Cubierta 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base BSZ110 - BSZ100 BSZ110
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 40 V 60 V 80 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BSZ110N06NS3GATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSZ110N06NS3GATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSZ110N06NS3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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