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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSZ0902NSATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSZ0902NSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSZ0902NSATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSZ0902NSATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 92970

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSZ0902NSATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSZ0902NSATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSZ0902NSATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.6mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 48W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 40A (Tc)  
Número de producto base BSZ0902  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSZ0902NSATMA1

Atributo del producto BSZ0902NSATMA1 BSZ088N03LSG BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1
Número de pieza BSZ0902NSATMA1 BSZ088N03LSG BSZ0901NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V - 30 V 30 V
RDS (Max) @Id, Vgs 2.6mOhm @ 20A, 10V - 2.1mOhm @ 20A, 10V 2.8mOhm @ 30A, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Característica de FET - - Schottky Diode (Body) -
Serie OptiMOS™ - OptiMOS™ OptiMOS™
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 40A (Tc) - 25A (Ta), 40A (Tc) 21A (Ta), 40A (Tc)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN - 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 48W (Tc) - 2.1W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL - PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 15 V - 2600 pF @ 15 V 1500 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 26 nC @ 10 V - 41 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base BSZ0902 - BSZ0901 BSZ0902
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA - 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA

BSZ0902NSATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSZ0902NSATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSZ0902NSATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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