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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSZ0503NSIATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSZ0503NSIATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSZ0503NSIATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSZ0503NSIATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 69390

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSZ0503NSIATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSZ0503NSIATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSZ0503NSIATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 36W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc)  
Número de producto base BSZ0503  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSZ0503NSIATMA1

Atributo del producto BSZ0503NSIATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ042N04NSG
Número de pieza BSZ0503NSIATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ042N04NSG
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 2.1W (Ta), 36W (Tc) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta), 48W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 40 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base BSZ0503 BSZ0589 BSZ050 -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 40A (Tc) 17A (Ta) 15A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RDS (Max) @Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 10V 4.4mOhm @ 8A, 10V 4.5mOhm @ 20A, 10V 4.2mOhm @ 20A, 10V
Paquete del dispositivo PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 TO-220AB
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V 950 pF @ 15 V 3600 pF @ 15 V 3700 pF @ 20 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 36µA

BSZ0503NSIATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSZ0503NSIATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSZ0503NSIATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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