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BSP317PH6327XTSA1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSP317PH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSP317PH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSP317PH6327XTSA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Descripción detallada
Embalaje
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de datos
BSP317PH6327XTSA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 67030

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSP317PH6327XTSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSP317PH6327XTSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSP317PH6327XTSA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 370µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4  
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®  
RDS (Max) @Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15.1 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 250 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 430mA (Ta)  
Número de producto base BSP317  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSP317PH6327XTSA1

Atributo del producto BSP317PH6327XTSA1 BSP317PE6327 BSP318S E6327 BSP316PL6327
Número de pieza BSP317PH6327XTSA1 BSP317PE6327 BSP318S E6327 BSP316PL6327
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 430mA (Ta) 430mA (Ta) 2.6A (Ta) 680mA (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V 4Ohm @ 430mA, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 25 V 262 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V 146 pF @ 25 V
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Número de producto base BSP317 BSP317 - -
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 370µA 2V @ 370µA 2V @ 20µA 2V @ 170µA
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 250 V 250 V 60 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Serie Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 15.1 nC @ 10 V 15.1 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BSP317PH6327XTSA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSP317PH6327XTSA1 y la documentación Infineon Technologies para BSP317PH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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