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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSP125 E6327
BSP125 E6327 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSP125 E6327 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSP125 E6327
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSP125 E6327
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Descripción detallada
Embalaje
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de datos
BSP125 E6327.pdf
Existencias disponibles: 4090

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSP125 E6327
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSP125 E6327 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSP125 E6327

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.3V @ 94µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4  
Serie SIPMOS®  
RDS (Max) @Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSP125 E6327

Atributo del producto BSP125 E6327 BSP125H6327XTSA1 BSP126,115 BSP125L6327
Número de pieza BSP125 E6327 BSP125H6327XTSA1 BSP126,115 BSP125L6327
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Nexperia USA Inc. Infineon Technologies
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V 150 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 250 V 600 V
Paquete del dispositivo PG-SOT223-4 PG-SOT223-4 SOT-223 PG-SOT223-4-21
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.5W (Ta) 1.8W (Ta)
Serie SIPMOS® SIPMOS® - SIPMOS®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta) 120mA (Ta) 375mA (Ta) 120mA (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V 5Ohm @ 300mA, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V 6.6 nC @ 10 V - 6.6 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 2.3V @ 94µA 2.3V @ 94µA 2V @ 1mA 2.3V @ 94µA
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

BSP125 E6327 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSP125 E6327 y la documentación Infineon Technologies para BSP125 E6327 - Infineon Technologies.

Otros documentos relacionados
Part Number Guide.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Multiple Devices 28/Mar/2008.pdf

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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