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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSF134N10NJ3GXUMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSF134N10NJ3GXUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSF134N10NJ3GXUMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON
Descripción detallada
Embalaje
3-WDSON
Ficha de datos
BSF134N10NJ3GXUMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 29342

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSF134N10NJ3GXUMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSF134N10NJ3GXUMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 40µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo MG-WDSON-2, CanPAK M™  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.2W (Ta), 43W (Tc)  
Paquete / Cubierta 3-WDSON  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc)  
Número de producto base BSF134  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1

Atributo del producto BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF885N03LQ3G SI2334DS-T1-GE3 2SK2090-T1-A
Número de pieza BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF885N03LQ3G SI2334DS-T1-GE3 2SK2090-T1-A
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Renesas Electronics America Inc
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V - 30 V 50 V
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V - ±8V -
Serie OptiMOS™ * TrenchFET® -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V - 10 nC @ 4.5 V -
RDS (Max) @Id, Vgs 13.4mOhm @ 30A, 10V - 44mOhm @ 4.2A, 4.5V 20Ohm @ 10mA, 4V
Paquete del dispositivo MG-WDSON-2, CanPAK M™ - SOT-23-3 (TO-236) SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Tipo de montaje Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel - N-Channel N-Channel
La disipación de energía (máximo) 2.2W (Ta), 43W (Tc) - 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 2.5V, 4.5V -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 50 V - 634 pF @ 15 V 6000 pF @ 3 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Número de producto base BSF134 - SI2334 -
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 40µA - 1V @ 250µA 1.5V @ 1µA
Paquete / Cubierta 3-WDSON - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 40A (Tc) - 4.9A (Tc) 100mA (Ta)

BSF134N10NJ3GXUMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSF134N10NJ3GXUMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSF134N10NJ3GXUMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
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Nueva Zelanda 5
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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