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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSC12DN20NS3GATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSC12DN20NS3GATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 43850

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSC12DN20NS3GATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11.3A (Tc)  
Número de producto base BSC12DN20  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSC12DN20NS3GATMA1

Atributo del producto BSC12DN20NS3GATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC152N10NSFG
Número de pieza BSC12DN20NS3GATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC152N10NSFG
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
La disipación de energía (máximo) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) 114W (Tc)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Número de producto base BSC12DN20 BSC146 BSC123 -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 11.3A (Tc) 44A (Tc) 11A (Ta), 55A (Tc) 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V 1870 pF @ 40 V 1900 pF @ 50 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V 14.6mOhm @ 22A, 10V 12.3mOhm @ 33A, 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 25µA 2.3V @ 23µA 3.5V @ 33µA 4V @ 72µA
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 100 V 80 V 100 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™2

BSC12DN20NS3GATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSC12DN20NS3GATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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