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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSC030N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSC030N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSC030N08NS5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSC030N08NS5ATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSC030N08NS5ATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 41579

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSC030N08NS5ATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSC030N08NS5ATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSC030N08NS5ATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 95µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-7  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 139W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 40 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Número de producto base BSC030  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSC030N08NS5ATMA1

Atributo del producto BSC030N08NS5ATMA1 BSC032N03S BSC030N03LSG BSC030P03NS3GAUMA1
Número de pieza BSC030N08NS5ATMA1 BSC032N03S BSC030N03LSG BSC030P03NS3GAUMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 80 V 30 V 30 V 30 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 23A (Ta), 100A (Tc) 23A (Ta), 122A (Tc) 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 76 nC @ 10 V 39 nC @ 5 V 55 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base BSC030 - - BSC030
RDS (Max) @Id, Vgs 3mOhm @ 50A, 10V 3.2mOhm @ 50A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 3mOhm @ 50A, 10V
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 139W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 95µA 2V @ 70µA 2.2V @ 250µA 3.1V @ 345µA
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 40 V 5080 pF @ 15 V 4300 pF @ 15 V 14000 pF @ 15 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

BSC030N08NS5ATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSC030N08NS5ATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSC030N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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