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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBSC025N03LSGATMA1
Infineon Technologies
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BSC025N03LSGATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
BSC025N03LSGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-BSC025N03LSGATMA1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Descripción detallada
Embalaje
8-PowerTDFN
Ficha de datos
BSC025N03LSGATMA1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 68560

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSC025N03LSGATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSC025N03LSGATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSC025N03LSGATMA1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 83W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 100A (Tc)  
Número de producto base BSC025  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSC025N03LSGATMA1

Atributo del producto BSC025N03LSGATMA1 BSC024NE2LSATMA1 BSC026N02KSG BSC025N03MSG
Número de pieza BSC025N03LSGATMA1 BSC024NE2LSATMA1 BSC026N02KSG BSC025N03MSG
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 74 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 52.7 nC @ 4.5 V 98 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Ta), 100A (Tc) 25A (Ta), 110A (Tc) 25A (Ta), 134A (Tc) 23A (Ta), 147A (Tc)
Paquete del dispositivo PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS (Max) @Id, Vgs 2.5mOhm @ 30A, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V 2.6mOhm @ 50A, 4.5V 2.5mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 15 V 1700 pF @ 12 V 7800 pF @ 10 V 7600 pF @ 15 V
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 1.2V @ 200µA 2V @ 250µA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™2 OptiMOS™ 3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 25 V 20 V 30 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Paquete / Cubierta 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Característica de FET - - - -
Número de producto base BSC025 BSC024 - -

BSC025N03LSGATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSC025N03LSGATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSC025N03LSGATMA1 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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