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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaAUIRF6215
AUIRF6215 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

AUIRF6215 - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
AUIRF6215
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-AUIRF6215
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
AUIRF6215.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 16836

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas AUIRF6215
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - AUIRF6215 con especificaciones similares a Infineon Technologies - AUIRF6215

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Número de producto base AUIRF6215  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies AUIRF6215

Atributo del producto AUIRF6215 AUIRF4905S AUIRF6218S AUIRF5210S
Número de pieza AUIRF6215 AUIRF4905S AUIRF6218S AUIRF5210S
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Característica de FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 290mOhm @ 6.6A, 10V 20mOhm @ 42A, 10V 150mOhm @ 16A, 10V 60mOhm @ 38A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 66 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 2210 pF @ 25 V 2780 pF @ 25 V
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
La disipación de energía (máximo) 110W (Tc) 200W (Tc) 250W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 55 V 150 V 100 V
Paquete Tube Tube Bulk Tube
Número de producto base AUIRF6215 AUIRF4905 - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 42A (Tc) 27A (Tc) 38A (Tc)
Paquete del dispositivo TO-220AB D2PAK PG-TO263-3 D2PAK

AUIRF6215 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF AUIRF6215 y la documentación Infineon Technologies para AUIRF6215 - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
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Brasil 7
Europa Alemania 5
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Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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