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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaAUIRF2804WL
AUIRF2804WL Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

AUIRF2804WL - Infineon Technologies

Fabricante Número de pieza
AUIRF2804WL
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Número de pieza
32D-AUIRF2804WL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
Embalaje
TO-262-3 Wide Leads
Ficha de datos
AUIRF2804WL.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 5310

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
Método de pago
Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas AUIRF2804WL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - AUIRF2804WL con especificaciones similares a Infineon Technologies - AUIRF2804WL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-262-3 Wide  
Serie HEXFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8mOhm @ 187A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-262-3 Wide Leads  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7978 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  
Número de producto base AUIRF2804  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies AUIRF2804WL

Atributo del producto AUIRF2804WL AUIRF3004WL AUIRF3205Z AUIRF3205
Número de pieza AUIRF2804WL AUIRF3004WL AUIRF3205Z AUIRF3205
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete del dispositivo TO-262-3 Wide TO-262-3 Wide TO-220AB TO-220AB
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 240A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Característica de FET - - - -
Paquete Tube Tube Tube Bulk
Paquete / Cubierta TO-262-3 Wide Leads TO-262-3 Wide Leads TO-220-3 TO-220-3
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8mOhm @ 187A, 10V 1.4mOhm @ 195A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 8mOhm @ 62A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 225 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 146 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7978 pF @ 25 V 9450 pF @ 32 V 3450 pF @ 25 V 3247 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número de producto base AUIRF2804 AUIRF3004 AUIRF3205 -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 55 V 55 V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 375W (Tc) 170W (Tc) 200W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRF2804WL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF AUIRF2804WL y la documentación Infineon Technologies para AUIRF2804WL - Infineon Technologies.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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