Especificaciones tecnológicas 2N3117
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Central Semiconductor - 2N3117 con especificaciones similares a Central Semiconductor - 2N3117
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | Central Semiconductor | |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 60V | |
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Paquete del dispositivo | TO-18 | |
Serie | - | |
Potencia - Max | 360mW | |
embalaje | Bulk | |
Paquete / Cubierta | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
Otros nombres | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
---|---|---|
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Frecuencia - Transición | - | |
Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10µA, 5V | |
Corriente - corte del colector (Max) | 10nA (ICBO) | |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 50mA |
ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
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Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | |
Estatus de alcance | |
ECCN | |
HTSUS |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Central Semiconductor 2N3117
Atributo del producto | ||||
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Número de pieza | 2N3117 | 2N3251A | 2N3117 | 2N3250A |
Fabricante | Central Semiconductor | Microsemi Corporation | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Microchip Technology |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 60V | 60 V | - | 60 V |
Frecuencia - Transición | - | - | - | - |
Potencia - Max | 360mW | 360 mW | - | 360 mW |
Otros nombres | 2N3117 LEAD FREE 2N3117 PBFREE |
- | 2N3117-DIE 2N3117MT 2N3117MT-ND FC2N3117 FC2N3117-ND |
- |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 10µA, 5V | 100 @ 10mA, 1V | - | 50 @ 10mA, 1V |
Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA | 500mV @ 5mA, 50mA | - | 500mV @ 5mA, 50mA |
Descripción detallada | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18 | - | Bipolar (BJT) Transistor | - |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks | - | 4 Weeks | - |
Corriente - corte del colector (Max) | 10nA (ICBO) | 10µA (ICBO) | - | 10µA (ICBO) |
Paquete / Cubierta | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | - | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 50mA | 200 mA | - | 200 mA |
embalaje | Bulk | - | - | - |
Paquete del dispositivo | TO-18 | TO-39 (TO-205AD) | - | TO-39 (TO-205AD) |
Serie | - | - | * | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | 3 (168 Hours) | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) | -65°C ~ 200°C (TJ) | - | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de transistor | NPN | PNP | - | PNP |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | Lead free / RoHS Compliant | - |
Descargue las hojas de datos PDF 2N3117 y la documentación Central Semiconductor para 2N3117 - Central Semiconductor.
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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