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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesAOP607
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

AOP607 - Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Fabricante Número de pieza
AOP607
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Allelco Número de pieza
32D-AOP607
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
Descripción detallada
Embalaje
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Ficha de datos
AOP607.pdf
Existencias disponibles: 4950

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas AOP607
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP607 con especificaciones similares a Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP607

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc.  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-PDIP  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 56mOhm @ 4.7A, 10V  
Potencia - Max 2.5W  
Paquete / Cubierta 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10.5nC @ 10V  
Característica de FET Logic Level Gate  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C -  
Configuración N and P-Channel  
Número de producto base AOP60  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOP607

Atributo del producto AOP607 AOD604 AOP605 VBH40-05B
Número de pieza AOP607 AOD604 AOP605 VBH40-05B
Fabricante Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha & Omega Semiconductor Inc. IXYS
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tube Box
Paquete del dispositivo 8-PDIP TO-252-5 8-PDIP V2-PAK
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 56mOhm @ 4.7A, 10V 33mOhm @ 8A, 10V 28mOhm @ 7.5A, 10V 116mOhm @ 30A, 10V
Número de producto base AOP60 AOD60 AOP60 VBH40
Potencia - Max 2.5W 1.6W, 1.7W 2.5W -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V 40V 30V 500V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 30V 404pF @ 20V 820pF @ 15V -
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Through Hole Chassis Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10.5nC @ 10V 9.2nC @ 10V 16.6nC @ 4.5V 270nC @ 10V
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 8mA
Paquete / Cubierta 8-DIP (0.300", 7.62mm) TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab) 8-DIP (0.300", 7.62mm) V2-PAK
Característica de FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configuración N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel 4 N-Channel (Half Bridge)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - 8A - 40A
Serie - - - HiPerFET™

AOP607 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF AOP607 y la documentación Alpha & Omega Semiconductor Inc. para AOP607 - Alpha & Omega Semiconductor Inc..

Otros documentos relacionados
AOS Green Policy.pdf
Información ambiental
Alpha & Omega REACH.pdf Alpha & Omega RoHS.pdf
Hojas de datos
AOP607.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

  1. Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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