Especificaciones tecnológicas NVBG040N120SC1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - NVBG040N120SC1 con especificaciones similares a onsemi - NVBG040N120SC1

Atributo del producto	Valor del atributo
Fabricante	onsemi
VGS (th) (Max) @Id	4.3V @ 10mA
Vgs (Max)	+25V, -15V
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete del dispositivo	D2PAK-7
Serie	Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V
La disipación de energía (máximo)	357W (Tc)
Paquete / Cubierta	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paquete	Tape & Reel (TR)

Atributo del producto	Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1789 pF @ 800 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	106 nC @ 20 V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Número de producto base	NVBG040

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi NVBG040N120SC1

Atributo del producto
Número de pieza	NVBG040N120SC1	NVB082N65S3F	BTS113AE3045ANTMA1	NVB25P06T4G
Fabricante	onsemi	onsemi	Infineon Technologies	onsemi
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)	40A (Tc)	11.5A (Tc)	27.5A (Ta)
Paquete / Cubierta	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La disipación de energía (máximo)	357W (Tc)	313W (Tc)	40W (Tc)	120W (Tj)
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Número de producto base	NVBG040	NVB082	-	NVB25P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200 V	650 V	60 V	60 V
RDS (Max) @Id, Vgs	56mOhm @ 35A, 20V	82mOhm @ 20A, 10V	170mOhm @ 5.8A, 4.5V	82mOhm @ 25A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	20V	10V	4.5V	10V
Vgs (Max)	+25V, -15V	±30V	±10V	±15V
VGS (th) (Max) @Id	4.3V @ 10mA	5V @ 4mA	2.5V @ 1mA	4V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1789 pF @ 800 V	3410 pF @ 400 V	560 pF @ 25 V	1680 pF @ 25 V
Tipo FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Característica de FET	-	-	-	-
Serie	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®	TEMPFET®	Automotive, AEC-Q101
Paquete del dispositivo	D2PAK-7	D²PAK-3 (TO-263-3)	TO-220AB	D²PAK
Tipo de montaje	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	106 nC @ 20 V	81 nC @ 10 V	-	50 nC @ 10 V
Paquete	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)

NVBG040N120SC1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF NVBG040N120SC1 y la documentación onsemi para NVBG040N120SC1 - onsemi.

Información ambiental: onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Embalaje de PCN: PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021.pdf
Hojas de datos: NVBG040N120SC1.pdf
Ensamblaje de PCN/origen: NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región	País	Hora logística (día)
America	Estados Unidos	5
America	Brasil	7
Europa	Alemania	5
	Reino Unido	4
	Italia	5
Oceanía	Australia	6
Oceanía	Nueva Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Japón	4
Oriente Medio	Israel	6

Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg)	Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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