Especificaciones tecnológicas NTNS3190NZT5G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de onsemi - NTNS3190NZT5G con especificaciones similares a onsemi - NTNS3190NZT5G

Atributo del producto	Valor del atributo
Fabricante	onsemi
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	3-XLLGA (0.62x0.62)
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	120mW (Ta)
Paquete / Cubierta	3-XFDFN
Paquete	Tape & Reel (TR)

Atributo del producto	Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15.8 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.7 nC @ 4.5 V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	224mA (Ta)
Número de producto base	NTNS3190

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las onsemi NTNS3190NZT5G

Atributo del producto
Número de pieza	NTNS3190NZT5G	NTNS3164NZT5G	SI2306BDS-T1-E3	STL7N80K5
Fabricante	onsemi	onsemi	Vishay Siliconix	STMicroelectronics
Paquete	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Serie	-	-	TrenchFET®	SuperMESH5™
Tipo FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA	3V @ 250µA	5V @ 100µA
Vgs (Max)	±8V	±8V	±20V	±30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	0.7 nC @ 4.5 V	0.8 nC @ 4.5 V	4.5 nC @ 5 V	13.4 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta	3-XFDFN	3-XFDFN	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	8-PowerVDFN
RDS (Max) @Id, Vgs	1.4Ohm @ 100mA, 4.5V	700mOhm @ 200mA, 4.5V	47mOhm @ 3.5A, 10V	1.2Ohm @ 3A, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20 V	20 V	30 V	800 V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	1.5V, 4.5V	4.5V, 10V	10V
Característica de FET	-	-	-	-
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15.8 pF @ 15 V	24 pF @ 10 V	305 pF @ 15 V	360 pF @ 100 V
Paquete del dispositivo	3-XLLGA (0.62x0.62)	SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)	SOT-23-3 (TO-236)	PowerFlat™ (5x6)
La disipación de energía (máximo)	120mW (Ta)	155mW (Ta)	750mW (Ta)	42W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	224mA (Ta)	361mA (Ta)	3.16A (Ta)	3.6A (Tc)
Número de producto base	NTNS3190	NTNS3164	SI2306	STL7N80
Tipo de montaje	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount

NTNS3190NZT5G Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF NTNS3190NZT5G y la documentación onsemi para NTNS3190NZT5G - onsemi.

Información ambiental: onsemi RoHS.pdf
Embalaje de PCN: Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN obsolescencia/ EOL: Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Hojas de datos: NTNS3190NZ.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región	País	Hora logística (día)
America	Estados Unidos	5
America	Brasil	7
Europa	Alemania	5
	Reino Unido	4
	Italia	5
Oceanía	Australia	6
Oceanía	Nueva Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Japón	4
Oriente Medio	Israel	6

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Cargos de envío (kg)	Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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