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Todo lo que necesitas saber sobre el AO4407A MOSFET

El AO4407A MOSFET es un dispositivo de canal P de 30 V confiable y eficiente, diseñado para aplicaciones que requieren conmutación y control estables.Este artículo cubre sus características, especificaciones, usos comunes e información sobre su fabricante, lo que facilita la comprensión de su papel en varios sistemas electrónicos.

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Introducción a AO4407A

El AO4407A es un MOSFET de canal P de 30 V, creado para aplicaciones que requieren eficiencia y confiabilidad.Empaquetado en un formato SOIC-8 estándar, utiliza tecnología de zanja avanzada, lo que le permite lograr una menor resistencia en el estado (RDS en) y una carga de puerta reducida.Este diseño ayuda a garantizar una operación más suave con una pérdida de potencia mínima, por lo que es una opción ideal para aplicaciones de modulación de conmutación y ancho de pulso (PWM).La clasificación de la puerta de 25V mejora aún más su versatilidad, lo que le permite manejar cargas variadas mientras mantiene un rendimiento constante.Con su diseño eficiente y su construcción robusta, el AO4407A se adapta bien a las demandas de los sistemas electrónicos modernos, que respalda la operación eficiente y de baja energía en una variedad de configuraciones.

Configuración de PIN AO4407A

Modelo AO4407A CAD

Símbolo AO4407A

Huella AO4407A

AO4407A Modelo 3D

Especificaciones de AO4407A

Especificaciones técnicas, características, características y componentes con especificaciones comparables de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Tipo	Parámetro
Montar	Montaje en superficie
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / estuche	8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho)
Número de alfileres	8
Material del elemento transistor	Silicio
Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃	12A TA
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido)	6V 20V
Número de elementos	1
Disipación de potencia (Max)	3.1W TA
Temperatura de funcionamiento	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Publicado	2013
Estatus de parte	No para nuevos diseños
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminaciones	8
Código ECCN	EAR99
Posición terminal	Dual
Forma terminal	Ala de la gaviota
Recuento de alfileres	8
Configuración	Single con diodo incorporado
Modo de funcionamiento	Modo de mejora
Disipación de potencia	3.1W
Tipo de FET	Canal P
Aplicación de transistor	Traspuesta
Rds on (max) @ id, VGS	11mΩ @ 12a, 20V
VGS (th) (max) @ id	3V @ 250μA
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds	2600pf @ 15V
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS	39NC @ 10V
Drene a la fuente de voltaje (VDSS)	30V
VGS (Max)	± 25V
Corriente de drenaje continuo (ID)	12A
Voltaje de puerta a fuente (VGS)	25V
Voltaje de desglose de DS-Min	30V
Endurecimiento por radiación	No
Estado de ROHS	ROHS3 Cumplante
Plomo libre	Plomo libre

Características clave AO4407A

Tipo de transistor: Mosfet

El AO4407A es un MOSFET de canal P, un tipo de transistor diseñado para controlar la corriente actuando como un interruptor.Su estructura permite un control eficiente sobre el flujo eléctrico, lo que lo hace muy adecuado para la regulación de la potencia en diversas aplicaciones.

Canal de control: canal P

Con su configuración de canal P, el AO4407A funciona permitiendo que la corriente fluya cuando se aplica un voltaje negativo a la puerta.Esta característica es útil para cambiar de aplicaciones, particularmente en sistemas que se benefician de circuitos simplificados.

Disipación de potencia máxima

El AO4407A puede manejar hasta 3.1 vatios de disipación de potencia.Esta calificación significa que puede operar de manera segura en entornos donde los niveles de potencia fluctúan, manteniendo el rendimiento sin sobrecalentamiento o desechos de energía.

Voltaje máximo de fuente de drenaje

Capaz de resistir hasta 30 voltios entre sus terminales de drenaje y fuente, este MOSFET es adecuado para aplicaciones que requieren tolerancias de voltaje más altas, lo que proporciona flexibilidad en diferentes diseños de circuitos.

Voltaje máximo de fuente de puerta

El AO4407A puede manejar un voltaje máximo de fuente de puerta de 25 voltios.Este atributo ofrece confiabilidad cuando se trabaja en circuitos donde los voltajes de la puerta varían, lo que permite una operación estable sin comprometer la eficiencia.

Voltaje de la puerta del umbral

Con un voltaje máximo de umbral de puerta de 3 voltios, el AO4407A comienza a conducir solo cuando se alcanza este umbral.Esta característica asegura que solo se activa en las condiciones apropiadas, evitando el cambio accidental.

Corriente de drenaje máximo

El AO4407A puede manejar una corriente de drenaje máxima de 12 amperios.Esta capacidad lo hace adecuado para aplicaciones que requieren corriente moderada a alta, asegurando un rendimiento estable y confiable bajo carga.

Temperatura máxima de unión

Diseñado para operar dentro de un amplio rango de temperatura, el AO4407A puede soportar temperaturas de unión de hasta 150 ° C.Esta resiliencia le permite funcionar de manera efectiva en condiciones ambientales variadas sin degradar su rendimiento.

Tiempo de elevación

El AO4407A tiene un tiempo de aumento de 9.4 nanosegundos, que se refiere a la rapidez con que se enciende.Este tiempo de respuesta rápido lo convierte en una opción ideal para aplicaciones donde se priorizan el tiempo y la eficiencia, como en los circuitos PWM.

Capacitancia de fuente de drenaje

Con una capacitancia de fuente de drenaje de 370 picofarads, este MOSFET gestiona el almacenamiento de energía entre estos dos terminales de manera eficiente.Esta característica es útil para mantener el flujo de corriente suave y reducir el ruido en los circuitos sensibles.

Resistencia en el estado

El AO4407A tiene una resistencia en el estado de 0.013 ohmios, lo que ayuda a minimizar la pérdida de energía durante la operación.Esta baja resistencia mejora la eficiencia, lo que lo hace adecuado para aplicaciones conscientes de la energía donde reducir la pérdida de energía es una prioridad.

Paquete

Empaquetado en un formato SO-8, el AO4407A es compacto y es fácil de integrar en varias placas de circuito.Su diseño permite un uso eficiente del espacio, proporcionando flexibilidad para aplicaciones compactas o restringidas en el espacio.

Equivalentes de AO4407A

• AO4314

• AO4354

• AO4402

• AO4403

• AO4404B

• AO4405

• AO4406A

• AO4407

• IRF530

• AO4409

• AO4410

• AO4411

• AO4413

• AO4415

• AO4419

• AO4420

• AO4421

Aplicaciones y uso de AO4407A

El AO4407A es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones de modulación de ancho de pulso (PWM).A continuación se presentan algunos detalles clave del MOSFET del canal P AO4407A:

• Calificación VDS de -30V

• ID de -12a (con VG a -20V)

• RDS (ON) Menos de 11MΩ (con VGS a -20V)

• RDS (ON) Menos de 13MΩ (con VG a -10V)

• RDS (ON) Menos de 17MΩ (con VG a -6V)

• Totalmente probado para el conmutación inductiva no cerrada (UI)

• Totalmente probado para la resistencia de la puerta (RG)

Piezas con especificaciones similares a AO4407A

Las partes de la derecha tienen especificaciones similares a la Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Parámetro	AO4407A	FDS6670A	SI4425DDY-T1-GE3	Fds6679az	IRF7821TRPBF
Fabricante	Alfa y omega semiconductor	En semiconductor	Vishay Siliconix	En semiconductor	Infineon Technologies
Montar	Montaje en superficie	Montaje en superficie	Montaje en superficie	Montaje en superficie	Montaje en superficie
Paquete / estuche	8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho)	8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho)	8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho)	8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho)	8-SOIC (0.154, 3.90 mm de ancho)
Drene a la fuente de voltaje (VDSS)	30V	30V	30V	-	-
Corriente de drenaje continuo (ID)	12A	-13a	-13a	13.6a	13A
Corriente - drenaje continuo (id) @ 25 ° C	12a (TA)	19.7a (TC)	13a (TA)	13.6a (TA)	13a (TA)
Voltaje de puerta a fuente (VGS)	25V	20V	25V	20V	-
Disipación de potencia	3.1W	5.7w	2.5w	2.5w	2.5w
Disipación de potencia - Max	3.1W (TA)	2.5W (TA), 5.7W (TC)	2.5W (TA), 5.7W (TC)	2.5W (TA)	2.5W (TA)

Ao4407a dimensiones físicas

Acerca del fabricante: Alpha y Omega Semiconductor, Inc.

Alpha y Omega Semiconductor, Inc. (AOS) es un desarrollador global y proveedor de semiconductores de energía, conocido por combinar el diseño innovador de dispositivos, la tecnología de procesos y la experiencia en envases.AOS ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia y ICS de energía creados para satisfacer la creciente necesidad de eficiencia energética en aplicaciones de alta demanda.Sus productos se utilizan ampliamente en productos electrónicos portátiles, pantallas de paneles planos, paquetes de baterías, dispositivos de medios y fuentes de alimentación.Con un enfoque en la optimización del rendimiento y la eficiencia de la rentabilidad, AOS continúa apoyando los requisitos en evolución de los mercados de alto volumen, proporcionando componentes que mejoran la eficiencia y confiabilidad de la energía en varios dispositivos y tecnologías.

Hoja de datos pdf

AO4407A Hoja de datos:

Ao4407a.pdf

FDS6670A Hoja de datos:

Fds6670a.pdf

Hoja de datos SI4425DDY-T1-GE3:

Si4425ddy-t1-ge3.pdf

FDS6679Aaz Hoja de datos:

Fds6679az.pdf