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El BS170 N-Channel MOSFET: Pinout y equivalentes

El MOSFET del canal BS170 es un testimonio de los avances modernos de semiconductores, principalmente conocidos por su eficiencia, versatilidad y confiabilidad.Empacado en un formulario compacto a 92, este MOSFET ofrece velocidades de conmutación notables y maneja corrientes de hasta 500 mA, lo que lo hace ideal para varias aplicaciones como conmutación de alta velocidad, amplificación y operaciones de bajo voltaje.Ya sea que esté alimentando dispositivos que funcionan con baterías o que impulse pequeños motores, el BS170 juega un papel importante en la mejora del rendimiento y la eficiencia de los sistemas electrónicos.En este artículo, exploraremos sus aplicaciones clave, los atributos técnicos y cómo se integra perfectamente en diversos diseños.

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Descripción general de BS170

El BS170, un MOSFET de canal N que cuenta con un paquete TO-92, ejemplifica el pináculo de la innovación moderna de semiconductores.Utilizando el proceso de DMOS de alta densidad de fairchild semiconductores, manifiesta una resistencia impresionante y capacidades confiables de conmutación rápida.Estas características lo atraen a una multitud de aplicaciones.Por ejemplo, gestiona con precisión las corrientes de hasta 500 mA y realiza operaciones de alta velocidad dentro de un notable 7 nanosegundos.Por lo tanto, se convierte en una opción ideal para dispositivos portátiles y equipos con baterías, lo que demuestra que la tecnología avanzada puede enriquecer significativamente nuestra vida diaria.

En el mundo de las aplicaciones de conmutación, el BS170 se destaca debido a su experta en gestionar corrientes altas con una pérdida de potencia mínima.Su tiempo de respuesta de alerta promueve una eficiencia excepcional, un rasgo activo para los dispositivos que exigen ejecutar ciclos de encendido rápidos.Aprovechar este MOSFET en tales escenarios eleva la eficiencia operativa similar a cómo los sistemas de control industrial precisos amplifican la productividad.Por ejemplo, en los sistemas de comunicación donde la transferencia de datos SWIFT es requerido, la destreza de cambio rápido de MOSFET garantiza una reducción de la latencia y aumenta la confiabilidad del rendimiento.Esta capacidad refleja la optimización de los procesos de flujo de trabajo requeridos en los paisajes comerciales competitivos.

Sirviendo como amplificador, el BS170 atiende a las necesidades de amplificación de audio, ofreciendo una calidad de sonido clara y precisa.Además, sobresale en la amplificación de señal general, reforzando señales débiles sin ruido o distorsión sustancial.Esta función se asemeja a la mejora de la claridad en las comunicaciones del equipo, asegurando que las instrucciones sean comprensibles y las tareas se ejecutan con precisión.El BS170 demuestra notablemente efectivo en aplicaciones de bajo voltaje y corriente, como el control de servomotor pequeño y la conducción de la puerta MOSFET de potencia.Su confiabilidad en estos roles puede compararse con instrumentos finamente calibrados en experimentos científicos que exigen precisión y márgenes de error mínimos, lo que garantiza que las tareas se realicen meticulosamente sin espacio para errores.

Diagrama de pinout BS170

Representación BS170 CAD

Símbolo esquemático

Huella de PCB

Visualización 3D

Atributos BS170

Característica	Descripción
Paquete	A 92
Transistor Tipo	N-canal
Drenar a la fuente de voltaje (VDS)	60V (Máximo)
Puerta a la fuente de voltaje (VGS)	± 20V (Máximo)
Continuo Drene la corriente (ID)	500mA (Máximo)
Pulsado Drene la corriente (ID)	500mA (Máximo)
Fuerza Disipación (PD)	830MW (Máximo)
Puerta Voltaje umbral (VGS (TH))	0.8V (Mínimo)
Almacenamiento Y temperatura de funcionamiento	-55 ° C a +150 ° C
Sin PB	Sí
Bajo Voltaje de compensación y error	Sí
Fácilmente Conducido sin amortiguador	Sí
De alta densidad Diseño celular	Minimizar Resistencia en el estado (RDS (ON))
Voltaje Interruptor de señal pequeño controlado	Sí
Alto Capacidad de corriente de saturación	Sí
Escabroso y confiable	Sí
Rápido Tiempo de cambio (tonelada)	4ns

Detalle técnico

Tipo	Valor
Fábrica Tiempo de entrega	11 Semanas
Contacto Enchapado	Cobre, Plata, lata
Montar	A través de Agujero
Montaje Tipo	A través de Agujero
Paquete / Caso	A 226-3, TO-92-3 (TO26AA)
Número de alfileres	3
Proveedor Paquete de dispositivos	A 92-3
Peso	4.535924g
Actual - Drenaje continuo (ID) @ 25 ℃	500mA Ejército de reserva
Conducir Voltaje (máximo rds encendido, min rds encendido)	10V
Número de elementos	1
Fuerza Disipación (Max)	830MW Ejército de reserva
Operante Temperatura	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Embalaje	A granel
Publicado	2005
Parte Estado	Activo
Humedad Nivel de sensibilidad (MSL)	1 (Ilimitado)
Resistencia	5ohm
Máximo Temperatura de funcionamiento	150 ° C
Mínimo Temperatura de funcionamiento	-55 ° C
Voltaje - DC clasificado	60V
Actual Clasificación	500mA
Base Número de parte	BS170
Voltaje	60V
Elemento Configuración	Soltero
Actual	5A
Fuerza Disipación	830MW
Fet Tipo	N-canal
RDS En (max) @ id, vgs	5ohm @ 200Ma, 10V
VGS (TH) (Max) @ id	3V @ 1mera
Aporte Capacitancia (ciss) (max) @ vds	40pf @ 10v
Drenar a la fuente de voltaje (VDSS)	60V
VGS (Max)	± 20V
Continuo Drene la corriente (ID)	500mA
Límite Voltaje	2.1V
Puerta a la fuente de voltaje (VGS)	20V
Drenar Para fuente de voltaje de desglose	60V
Aporte Capacidad	24pf
Drenar a la resistencia de la fuente	5ohm
RDS En max	5Ω
Nominal VGS	2.1V
Altura	5.33 mm
Longitud	5.2 mm
Ancho	4.19 mm
ALCANZAR SVHC	No SVHC
Radiación Endurecimiento	No
ROHS Estado	ROHS3 Obediente
Dirigir Gratis	Dirigir Gratis

Sustitutos BS170

Número de parte	Descripción	Fabricante
Nd2406l-tr1transistors	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 0.23a I (d), 240v, 1 elemento, canal N, Silicon, metal-óxido semiconductor FET, TO26AA, TO-92, 3 pines	Vishay Siliconix
BSN20BK-Transistores	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 0.265a I (d), 60V, 1 elemento, canal N, Silicon, metal-óxido semiconductor FET, TO-236AB	Nexperia
VN1310N3P015 Transistores	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 0.25a I (d), 100V, 1 elemento, canal N, Silicon, metal-óxido semiconductor FET, TO-92	Supertex Cª
VN1710LP018TRANSISTORES	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 0.22a I (d), 170V, 1 elemento, canal N, Silicon, metal-óxido semiconductor FET, TO-92	Supertex Cª
MPF6659 Transistores	2000MA, 35V, N-canal, SI, señal pequeña, MOSFET, TO-92	Motorola Mobility LLC
SST4118T1TRANSISTORES	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 1 elemento, canal n, silicio, fet de la unión, Paquete de plástico-3	Calógico Cª
Bs208-ammotransistores	TRANSISTOR 200 Ma, 200 V, P-canal, SI, Small Signal, Mosfet, TO-92, FET General Propósito Señal pequeña	NXP Semiconductores
SD1106DDDTRANSISTORES	Fuerza Transistor de efecto de campo, canal n, fet de semiconductores de óxido de metal	Topacio Semiconductor
BSS7728E6327Transistores	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 0.15a I (D), 60V, 1 elemento, canal N, Silicon, metal-óxido semiconductor FET, SOT-23, 3 pines	Infina Tecnologías AG
2sk1585-t2transistors	Pequeño Transistor de efecto de campo de señal, 1a I (d), 16V, 1 elemento, canal n, silicio, Metal-óxido de semiconductor FET, potencia, mini moho, SC-62, 3 pines	Comité ejecutivo nacional Grupo electrónico

Equivalentes BS170

2N7000

2N7002

VQ1000J

VQ1000P

IRLML2502

Explorando las aplicaciones de BS170

El BS170 MOSFET demuestra una utilidad notable en funciones de conmutación y amplificación, lo que lo convierte en un componente básico en diversos diseños electrónicos.

Cambio de aplicaciones

Manejo de cargas de hasta 500 mA, el BS170 es adecuado para dispositivos de conducción, como relés, LED y pequeños motores.Esta capacidad de manejo de carga es principalmente ventajosa en proyectos basados ​​en microcontroladores, especialmente aquellos que usan plataformas como Arduino y Raspberry Pi.La simplicidad de controlar el BS170 con señales de bajo voltaje está en armonía con las características de salida de estos microcontroladores.Esta congruencia permite una integración suave sin requerir circuitos de amplificación adicionales.En aplicaciones prácticas, a menudo puede recurrir al BS170 para interactuar con los relés, ideando métodos para cambiar cargas de corriente más alta con una tensión mínima en el microcontrolador.Del mismo modo, en la gestión de matrices LED, el BS170 sobresale en la distribución de energía, asegurando un rendimiento constante y constante.

Aplicaciones de amplificación

El BS170 también es invaluable en escenarios de amplificación, incluidos los circuitos de audio y la amplificación de señal de bajo nivel.Su funcionamiento con un voltaje de puerta mínimo mejora la eficiencia, activa para un control preciso sobre las señales de salida.Esta eficiencia se aprecia principalmente en dispositivos de audio donde la claridad y la fidelidad no pueden comprometerse.Además, la capacidad del BS170 para amplificar las señales de bajo nivel encuentra una aplicación notable en tareas de sensores confidenciales.Por ejemplo, en los sistemas de monitoreo ambiental, la necesidad de amplificar señales débiles de los sensores de temperatura o humedad sin un ruido considerable es riesgoso.Esta amplificación garantiza una representación de datos precisa, ayudando a la toma de decisiones más informadas.

Análisis comparativo con transistores de unión bipolar (BJTS)

Tanto los MOSFET como el BJTS controlan el flujo de corriente en los circuitos, sin embargo, el BS170 subraya diferencias distintas en los mecanismos de control.A diferencia de los BJT, que requieren una corriente continua en la base para modular la corriente del emisor colector, el BS170 solo necesita un pequeño voltaje de puerta.Este atributo disminuye el consumo de energía y simplifica los circuitos lógicos de control.

Salidas de microcontrolador

Los microcontroladores con frecuencia requieren un intermediario para conducir varias cargas, dadas sus salidas de nivel lógico limitados.El BS170 aborda esta necesidad aceptando entradas de bajo voltaje y entregando salidas de corriente más altas.Esta extensión de capacidad es algo así como usar un adaptador para vincular dispositivos incompatibles, ampliando así el alcance operativo de los microcontroladores.

Salidas IC

Al interfactar circuitos integrados con periféricos, el BS170 actúa como un búfer para minimizar la carga en salidas IC sensibles.Esta práctica se ve comúnmente en la electrónica para fomentar la confiabilidad de los sistemas basados ​​en IC, asegurando que funcionen suavemente sin estrés indebido en los componentes.

Fortalecimiento de la señal

La versatilidad del BS170 brilla en numerosas aplicaciones de amplificación de señal de baja potencia.Demuestra útil en telemetría, pequeños circuitos transmisores y aumento de señal analógica.Piense en ello como mejorar una señal de Wi-Fi débil, donde cada impulso cuenta para una mejor conectividad.

Automatización industrial (por ejemplo, controles de máquinas, barreras de luz)

En la automatización industrial, la robustez del BS170 es ideal para sistemas de control de máquinas y barreras de luz.Cambia de manera eficiente las cargas altas, asegurando un funcionamiento suave activo para reducir el tiempo de inactividad y aumentar la productividad.Puede confiar en tales componentes para mantener los sistemas funcionando de manera óptima.

Dispositivos con batería

Para los dispositivos con batería, se requiere bajo consumo de energía del BS170 y alta eficiencia.Extiende la duración de la batería al minimizar el desperdicio de energía.

Relés de estado sólido

Incorporado en muchos relés de estado sólido, el BS170 maneja cargas sustanciales con un desgaste mecánico mínimo, que ofrece operación silenciosa y mayor confiabilidad.Esta función tranquila y confiable es un activo notable en entornos como dispositivos médicos, donde el ruido de conmutación mecánico no es deseable.

Controladores de dispositivos (por ejemplo, relés, solenoides, lámparas)

El BS170 es básico para los controladores de dispositivos para relés, solenoides y lámparas.Sus capacidades de conmutación confiables son útiles para mantener la integridad operativa, principalmente en aplicaciones automotrices donde la robustez y la durabilidad son altamente valorados.

Interfaces de nivel lógico (TTL/CMOS)

Facilitando la interacción entre las familias lógicas TTL y CMOS, el BS170 garantiza una comunicación perfecta en diferentes circuitos lógicos.Esta integración está activa en diseños de tecnología mixta, donde la compatibilidad diversa de los componentes y el rendimiento del sistema son dominantes.

Utilización del BS170 para el control LED

El BS170 MOSFET es la clave para cambiar un LED en esta configuración final.Para establecer esta configuración, conecte la puerta y los terminales de drenaje a una fuente de alimentación de 5V CC y conecte el LED al terminal de origen.Cuando se aplica un pulso de voltaje a la puerta, el MOSFET se activa, lo que permite que la corriente fluya desde el drenaje a la fuente, encendiendo el LED.La eliminación del pulso cesa el flujo de corriente, extinguiendo el LED.

El BS170, un MOSFET de canal N, funciona en función del diferencial de voltaje entre su puerta y los terminales de origen.Los hechos operativos clave incluyen que cuando el voltaje de puerta a fuente (V_GS) excede alrededor de 2 V, el MOSFET ingresa a su estado conductor.Esta propiedad garantiza un cambio eficiente con una pérdida de potencia mínima.Debido a esta eficiencia, se adapta a aplicaciones de bajo voltaje como alternar un LED.

Este circuito final puede evolucionar a varias aplicaciones prácticas.Por ejemplo, integrando un microcontrolador para regular el pulso de la puerta.Esto permite que el LED parpadee a frecuencias específicas o muestre patrones complejos.Dichas integraciones son universales en proyectos electrónicos, desde indicadores básicos hasta sofisticados sistemas de señalización.El diseño de circuitos con mosfets como el BS170 a menudo exige pruebas iterativas para perfeccionar el voltaje de la puerta para un rendimiento confiable.Asegurar conexiones seguras y una fuente de alimentación estable aumenta significativamente la confiabilidad del circuito.

Embalaje para BS170

Información del fabricante

En semiconductores se erige como una entidad globalmente influyente en los diversos dominios de potencia, gestión de señales, lógica y dispositivos personalizados.Atienden a sectores que abarcan automotriz, electrónica de consumo y atención médica.Con una presencia estratégica que incluye instalaciones y oficinas en América del Norte, Europa y Asia, y la sede ubicada en Phoenix, Arizona, en semiconductor está listo para satisfacer las demandas en evolución de la industria.

El compromiso de semiconductores con los avances tecnológicos es evidente en su extensa cartera.Sus productos forman la columna vertebral de los diseños automotrices contemporáneos, mejorando la seguridad del vehículo, la conectividad y la eficiencia energética.Esto se traduce en beneficios tangibles, como menos accidentes y una experiencia de conducción más suave.

Sus soluciones de gestión de señales juegan un papel principal en la mejora de la electrónica de consumo, asegurando experiencias más confiables y avanzadas.Imagine la operación perfecta de sus dispositivos domésticos inteligentes, todo gracias a estas innovaciones.En el sector médico, en los dispositivos personalizados de semiconductores facilitan las tecnologías avanzadas de atención médica, contribuyendo a mejorar los resultados de los pacientes y las operaciones médicas simplificadas, lo que hace que los tratamientos sean más efectivos y menos invasivos.

Componentes comparables

Número de parte

Fabricante

Montar

Paquete / estuche

Drene a la fuente de voltaje (VDSS)

Corriente de drenaje continuo (ID)

Corriente - drenaje continuo (id) @ 25 ° C

Tensión umbral

RDS en Max

Voltaje de puerta a fuente (VGS)

Disipación de potencia

Disipación de potencia-max

Ver comparar

BS170

EN Semiconductor

A través de Agujero

A 226-3, TO-92-3 (TO26AA)

60V

500 mamá

500mA (Ejército de reserva)

2.1 V

5 Ω

20 V

830 MW

830MW (Ejército de reserva)

BS170

BS270

EN Semiconductor

A través de Agujero

A 226-3, TO-92-3 (TO26AA)

-

400 mamá

400mA (Ejército de reserva)

2.1 V

-

20 V

630 MW

625MW (Ejército de reserva)

BS170 VS BS270

2N7000

EN Semiconductor

A través de Agujero

A 226-3, TO-92-3 (TO26AA)

60V

200 mamá

200 mMA (Ejército de reserva)

2.1 V

5 Ω

20 V

400 MW

400MW (Ejército de reserva)

BS170 VS 2N7000