El SS8550 es un transistor PNP a menudo elegido para su adaptabilidad en una gama de aplicaciones electrónicas.Conocido por gestionar un bajo voltaje con capacidad para soportar una corriente alta, tiene un máximo de corriente del colector de 1.5 A. Dichas cualidades promueven su utilización en circuitos que requieren una amplificación eficiente de bajo voltaje o operaciones de conmutación de adeptos.La capacidad de este transistor para manejar la corriente sustancial a bajo voltaje es muy valiosa en circuitos de gestión de energía, amplificadores de audio y unidades de procesamiento de señales.Su gestión actual confiable lo hace adecuado para circuitos analógicos y digitales.
• SS9012
• SS9015
Número de alfiler |
Nombre |
Descripción |
1 |
Emisor |
El pasador emisor libera portadores de carga.En circuito
Aplicaciones, su orientación correcta es buena para mejorar el flujo de corriente y
asegurar la estabilidad del transistor. |
2 |
Base |
Actúa como la puerta de control regulando el flujo de
Cargas del emisor al coleccionista.Modular la corriente base es clave
para ajustar los niveles de amplificación para lograr el rendimiento deseado
En configuraciones de circuito. |
3 |
Coleccionista |
El punto final para recolectar portadores de carga.Adecuado
La conexión y la alineación son necesarias para maximizar la eficiencia y minimizar
pérdida de energía, ya que las desalineaciones pueden afectar el rendimiento del
circuito. |
El transistor SS8550 es reconocido por su competencia operativa sustancial, especialmente como un amplificador de salida de 2W, perfectamente adecuado para radios portátiles utilizando configuraciones de pulsación de clase B.Se combina sin esfuerzo con la contraparte SS8050, formando un poderoso dúo electrónico que amplifica el rendimiento de los dispositivos compactos.Un examen exhaustivo de sus propiedades destaca un voltaje de colección de 40V y una capacidad de disipación de potencia de 1W en condiciones térmicas.
Su diseño acomoda un rango de temperatura amplio de -55 ° C a +150 ° C, lo que le permite funcionar de manera confiable en varios entornos.El SS8550 se adhiere a los estándares de ROHS, que refleja una dedicación a la fabricación ecológica, en línea con los movimientos globales de sostenibilidad.Existe una interacción notable entre la adherencia a tales estándares y preferencias, lo que indica que el cumplimiento no solo salvaguarda el medio ambiente sino que también aumenta la confianza.
Especificaciones técnicas, atributos y parámetros de SS8550 de semiconductores, junto con partes similares a la SS8550DBU.
Tipo |
Parámetro |
Estado del ciclo de vida |
Activo (último actualizado: hace 2 días) |
Montar |
A través del agujero |
Paquete / estuche |
TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Peso |
179mg |
Voltaje de descomposición del emisor de colección |
25V |
hfe min |
85 |
Embalaje |
A granel |
Código JESD-609 |
E3 |
Estatus de parte |
Activo |
Número de terminaciones |
3 |
Acabado terminal |
Lata (sn) |
Disipación de potencia máxima |
1W |
Calificación actual |
-1.5a |
Número de pieza base |
SS8550 |
Tiempo de entrega de fábrica |
7 semanas |
Tipo de montaje |
A través del agujero |
Número de alfileres |
3 |
Material del elemento transistor |
SILICIO |
Número de elementos |
1 |
Temperatura de funcionamiento |
150 ° C TJ |
Publicado |
2017 |
Código PBFree |
Sí |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Código ECCN |
EAR99 |
Voltaje - DC clasificado |
-25V |
Posición terminal |
ABAJO |
Frecuencia |
200MHz |
Configuración de elementos |
Soltero |
Disipación de potencia
|
1W |
Ganar producto de ancho de banda |
200MHz |
Aplicación de transistor |
AMPLIFICADOR |
Tipo de polaridad/canal |
PNP |
Voltaje del emisor de colección (VCEO) |
25V |
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE |
160 @ 100MA 1V |
VCE Saturation (Max) @ IB, IC |
500mv @ 80mA, 800 mA |
Voltaje base de colección (VCBO) |
-40V |
Frecuencia de transición |
200MHz |
Voltaje base del emisor (VEBO) |
-6v |
Actual - Corte de colección (Max) |
100na icbo |
Actual de colección máxima |
1.5a |
Endurecimiento por radiación |
No |
Plomo libre |
Plomo libre |
Llegar a SVHC |
Sin SVHC |
Estado de ROHS |
ROHS3 Cumplante |
Número de parte |
Descripción |
Fabricante |
Ss8550dbu |
1500 mA, 25V, PNP, SI, transistor de señal pequeña, TO-92 |
Rochester Electronics LLC |
Ss8550dbu |
A través del hoyo, el voltaje de desglose del emisor del colector 25 V,
COMPLECTO MÁXCOLECTURA 1.5 A, frecuencia de transición 200 MHz, emisor de colección
Voltaje de saturación -280 mV, Hfe min 85, disipación de potencia máxima 1 W |
En semiconductor |
Ksb564aobu |
A través del hoyo, el voltaje de desglose del emisor del colector 25 V,
COMPLECTO MÁXCOLECTURA 1.5 A, frecuencia de transición 200 MHz, emisor de colección
Voltaje de saturación -280 mV, Hfe min 85, disipación de potencia máxima 1 W |
En semiconductor |
SS8550CBU |
A través del hoyo, el voltaje de desglose del emisor del colector 25 V,
COMPLECTO MÁXCOLECTURA 1.5 A, frecuencia de transición 200 MHz, emisor de colección
Voltaje de saturación -280 mV, Hfe min 85, disipación de potencia máxima 1 W |
En semiconductor |
Ss8550bbu |
A través del hoyo, el voltaje de desglose del emisor del colector 25 V,
Corriente del colector máximo 1 A, Voltaje de saturación del emisor del colector -500 MV, HFE
Min 70, disipación de potencia máxima 800 W |
En semiconductor |
El transistor SS8550 encuentra un uso extenso en aplicaciones de conmutación y RF (radiofrecuencia), mostrando su extraordinaria adaptabilidad.Este componente está valorado por su ganancia de corriente sustancial y sus impresionantes capacidades de frecuencia, características que mejoran su efectividad en la amplificación de la señal y el manejo de la corriente eléctrica en una amplia gama de sistemas electrónicos.Su integración en varios dispositivos destaca la importancia de elegir componentes con especificaciones precisas para lograr un excelente rendimiento.Particularmente en los dispositivos de comunicación, su competencia en el manejo de altas frecuencias juega un papel en mantener la integridad de la señal y la claridad, los aspectos integrales en el mundo tecnológico rápido en la actualidad actual.
En semiconductores se destaca al crear soluciones de silicio avanzadas que mejoran la eficiencia operativa de los dispositivos electrónicos en diversas aplicaciones.Centrándose en sectores como el automóvil, las comunicaciones y la iluminación LED, combinan tecnologías sofisticadas con prácticas sostenibles.A medida que la sociedad anhela en gran medida las innovaciones de eficiencia energética, las contribuciones de los semiconductores abordan cada vez más estos deseos.En semiconductor prioriza la creación de productos ecológicos, aprovechando su expansivo conocimiento de la industria.Su resolución se extiende a minimizar el impacto ambiental a través de técnicas de fabricación de vanguardia, lo que refleja una sinergia con objetivos de sostenibilidad mundial.Este esfuerzo da forma a una vía más sostenible en la producción electrónica.
Marco de plomo de cobre 12/octubre/2007.pdf
Multipleos 24/octubre/2017.pdf
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Un triodo, como el SS8550, juega un papel en la amplificación de la señal, capturando la esencia de convertir susurros débiles de señales eléctricas en otras más discernibles.En los circuitos electrónicos, eleva las señales débiles a los niveles que se pueden utilizar de manera efectiva.Funcionando con un toque sutil en su base, el triodo facilita un flujo de corriente más sustancial entre el colector y el emisor, lo que permite una modulación de señal precisa.Una elección perspicaz de Triodo, adaptada al circuito deseado, depende de una comprensión aguda de parámetros como ganancia, respuesta de frecuencia y estabilidad térmica.Al diseñar circuitos, aprovechar estas características puede desbloquear el potencial en varias aplicaciones, que van desde las melodías resonantes de los equipos de audio hasta el alcance expansivo de los dispositivos de comunicación.
El SS8550 puede manejar una corriente de colección máxima de 1.5 A, marcando su umbral antes de que el calor excesivo o el estrés eléctrico amenazen su bienestar.Se necesita un manejo térmico vigilante, ya que excede esta corriente puede conducir a una fugación térmica, un aumento de temperatura peligroso con potencial destructivo para el transistor.La implementación de medidas como disipadores de calor o selección de componentes con una tolerancia de corriente naturalmente más alta puede servir como salvaguardas contra tales riesgos.Mantener el transistor dentro de los límites operativos seguros es un arte que mejora la longevidad y la confiabilidad del dispositivo, lo que refleja un profundo respeto por su delicado equilibrio.
en 08/11/2024
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