Ver todo

Prevalecerá la versión en inglés.Volver

Europa
France(Français) Germany(Deutsch) Italy(Italia) Russian(русский) Poland(polski) Czech(Čeština) Luxembourg(Lëtzebuergesch) Netherlands(Nederland) Iceland(íslenska) Hungarian(Magyarország) Spain(español) Portugal(Português) Turkey(Türk dili) Bulgaria(Български език) Ukraine(Україна) Greece(Ελλάδα) Israel(עִבְרִית) Sweden(Svenska) Finland(Svenska) Finland(Suomi) Romania(românesc) Moldova(românesc) Slovakia(Slovenská) Denmark(Dansk) Slovenia(Slovenija) Slovenia(Hrvatska) Croatia(Hrvatska) Serbia(Hrvatska) Montenegro(Hrvatska) Bosnia and Herzegovina(Hrvatska) Lithuania(lietuvių) Spain(Português) Switzerland(Deutsch) United Kingdom(English)
Asia/Pacífico
Japan(日本語) Korea(한국의) Thailand(ภาษาไทย) Malaysia(Melayu) Singapore(Melayu) Vietnam(Tiếng Việt) Philippines(Pilipino)
África, India y Medio Oriente
United Arab Emirates(العربية) Iran(فارسی) Tajikistan(فارسی) India(हिंदी) Madagascar(malaɡasʲ)
América del Sur / Oceanía
New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
América del norte
United States(English) Canada(English) Haiti(Ayiti) Mexico(español)
CasaBlogPMV65XP Trench MOSFET: alternativas, pinout y hoja de datos
en 11/11/2024 31

PMV65XP Trench MOSFET: alternativas, pinout y hoja de datos

Este artículo explora el PMV65XP, un MOSFET compacto de 20 V de la zanja de un solo canal P que es parte integral de los diseños electrónicos modernos debido a su eficiencia, rendimiento y características de ahorro de espacio.Profundizaremos en su hoja de datos, evaluaremos las opciones alternativas, examinaremos su pinout y proporcionaremos ideas adicionales pertinentes al PMV65XP.Las secciones posteriores discutirán sus consideraciones de diseño, un plan de construcción avanzado y varias aplicaciones prácticas.

Catalogar

1. ¿Qué es el PMV65XP?
2. Configuración de pin PMV65XP
3. Símbolo, huella y modelo PMV65XP
4. Características del PMV65XP
5. Aplicaciones del PMV65XP
6. Alternativas para PMV65XP
7. Especificaciones técnicas PMV65XP
8. Paquete para PMV65XP
9. Información del fabricante PMV65XP
PMV65XP Trench MOSFET

¿Qué es el PMV65XP?

El PMV65XP Representa un ejemplo elegante de un transistor de efecto de campo (FET) en modo de mejora del canal P, ubicado dentro de una elegante carcasa de plástico SOT23.Aprovechando el poder de la tecnología avanzada de trinchera Mosfet, este modelo aporta una sensación de confiabilidad y rapidez con el cambio electrónico.Con sus capacidades características de baja resistencia y conmutación rápida, es muy compatible con aplicaciones en electrónica donde la precisión y la eficiencia son intrínsecamente valoradas.Dentro de la tecnología de trinchera MOSFET se encuentra un diseño estructural innovador, con un canal vertical grabado en el sustrato de silicio.Este cambio de paradigma reduce notablemente la resistencia, lo que aumenta la conductividad y minimiza la disipación de potencia durante la operación.Los efectos prácticos se manifiestan en la duración de la batería alargada para dispositivos portátiles y una mayor eficiencia energética dentro de los circuitos de gestión de energía.

Admirado por su compacidad y durabilidad, el paquete SOT23 facilita la innovación dentro de los espacios de placa de circuito restringidos.Esta miniaturización se alinea perfectamente con las demandas de dispositivos electrónicos contemporáneos, a menudo traduciendo en versatilidad de diseño aumentado y gastos de fabricación reducidos.El PMV65XP encuentra un ecosistema próspero en circuitos electrónicos, particularmente en sistemas de gestión de energía para dispositivos portátiles.Sus atributos únicos cumplen con los requisitos de rendimiento adaptativo de estos dispositivos.Dentro del paisaje industrial y los marcos automotrices, el PMV65XP se destaca como un modelo de confiabilidad y dureza.Incluso en medio de la imprevisibilidad de las variaciones de voltaje, constantemente ofrece rendimiento.Su tecnología de trinchera es adecuada para entornos desafiantes que exigen durabilidad, ilustrando su papel en pionero en soluciones industriales innovadoras, afirmando su valor a las partes interesadas que luchan por la confiabilidad y la longevidad.

Configuración de PIN de PMV65XP

PMV65XP Pinout

Símbolo de PMV65XP, huella y modelo CAD

PMV65XP Symbol

PMV65XP Footprint

PMV65XP CAD Model

Características del PMV65XP

• Voltaje umbral disminuido: el voltaje umbral reducido del PMV65XP juega un papel en la mejora de la eficiencia energética.Al activarse a un voltaje más bajo, el dispositivo reduce el desperdicio de energía y prolonga la duración de la batería en dispositivos portátiles.

• Resistencia en el estado reducida: minimizar la resistencia en el estado ayudas a reducir la pérdida de energía durante la conducción.La baja resistencia en el estado de PMV65XP garantiza la disipación de potencia mínima como calor, lo que aumenta la eficiencia y prolonga la vida útil del dispositivo al evitar el sobrecalentamiento.Los resultados de varias aplicaciones destacan una conexión directa entre la resistencia en el estado reducida y el mejor rendimiento del dispositivo y la durabilidad.

• Tecnología sofisticada de trincheras MOSFET: incorporando tecnología avanzada de trinchera MOSFET, el PMV65XP mejora enormemente su confiabilidad y eficiencia.Esta tecnología permite una mayor densidad de potencia y una gestión superior del flujo de corriente, alineándose con las rigurosas demandas de la electrónica de última generación.

• Aumento de confiabilidad: la confiabilidad del PMV65XP es un beneficio distinto para el objetivo de desarrollar sistemas electrónicos robustos.En el diseño del circuito, la garantía de rendimiento estable en diferentes condiciones se resalta con frecuencia.Al ofrecer esta confiabilidad, el PMV65XP se convierte en un componente preferido para aplicaciones avanzadas, como las telecomunicaciones y las industrias automotrices.

Aplicaciones del PMV65XP

Convertidores DC-DC de baja potencia

Una aplicación predominante del PMV65XP se encuentra dentro de los convertidores DC-DC de baja potencia.Estos convertidores juegan un papel en ajustar los niveles de voltaje para adaptarse a las demandas de componentes electrónicos específicos al optimizar el consumo de energía.El PMV65XP sobresale para minimizar las pérdidas de energía dentro de este marco, consideración para los fabricantes que se esfuerzan por mejorar la durabilidad y la confiabilidad de sus productos.Este énfasis en la eficiencia refleja las tendencias de la industria hacia el desarrollo de innovaciones más amigables con el medio ambiente y conscientes de la energía.

Conmutación de carga

En la conmutación de carga, el PMV65XP facilita la conmutación rápida y confiable de las cargas, garantizando la funcionalidad del dispositivo suave y la adherencia a los criterios de rendimiento.Esto es particularmente necesario en la configuración dinámica donde los modos de operación del dispositivo cambian con frecuencia.La gestión de carga competente puede prolongar la vida útil del dispositivo y el desgaste de la acera.

Gestión de baterías

Dentro de los sistemas de gestión de baterías, el PMV65XP proporciona un soporte sustancial al orquestar la distribución de energía de manera experta.Asegurar que el uso eficiente de la batería respalde el uso extendido de dispositivos, una creciente demanda en electrónica.Al ayudar en la regulación y el monitoreo de los ciclos de carga, el PMV65XP juega un papel en la protección de la salud de la batería, influyendo directamente en la satisfacción y la competitividad de un dispositivo en el mercado.

Dispositivos portátiles con batería

El despliegue de PMV65XP es notablemente beneficioso en dispositivos portátiles con baterías donde se requiere la preservación de energía.A medida que estos dispositivos se esfuerzan por una operación más larga en las reservas de energía finita, la competencia de gestión de energía del PMV65XP garantiza la duración extendida de la batería.

Alternativas para PMV65XP

PMV65XPVL

PMV65XP, 215

Especificaciones técnicas PMV65XP

Especificaciones técnicas, características y parámetros del PMV65XP, junto con componentes que comparten especificaciones similares al Nexperia USA Inc. PMV65XPVL.

Tipo
Parámetro
Tiempo de entrega de fábrica
4 semanas
Paquete / estuche
TO36-3, SC-59, SOT-23-3
Material del elemento transistor
SILICIO
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido)
1.8V 4.5V
Disipación de potencia (Max)
480MW TA
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estatus de parte
Activo
Posición terminal
DUAL
Recuento de alfileres
3
Código Jesd-30
R-PDSO-G3
Modo de funcionamiento
Modo de mejora
Aplicación de transistor
TRASPUESTA
VGS (th) (max) @ id
900mv @ 250 μA
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Montaje en superficie

Corriente - drenaje continuo (id) @ 25 ° C
2.8A TA
Número de elementos
1
Temperatura de funcionamiento
-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Publicado
2013
Número de terminaciones
3
Forma terminal
Ala de la gaviota
Estándar de referencia
IEC-60134
Configuración
Single con diodo incorporado
Tipo de FET
Canal P
Rds on (max) @ id, VGS
74m Ω @ 2.8a, 4.5V
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds
744pf @ 20V
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS
7.7nc @ 4V
VGS (Max)
± 12V
Drene la corriente-max (ABS) (ID)
2.8a
Voltaje de desglose de DS-Min
20V
Drene a la fuente de voltaje (VDSS)
20V
Código JEDEC-95
To-236ab
Fuga de drenaje en resistencia-max
0.0740ohm
Estado de ROHS
ROHS3 Cumplante

Paquete para PMV65XP

PMV65XP Package

Información del fabricante de PMV65XP

Desde su inicio en 2017, Nexperia se ha posicionado constantemente como líder en los sectores de semiconductores discretos, lógicos y MOSFET.Su destreza se traduce en la creación de componentes como el PMV65XP, diseñado para cumplir con los rigurosos criterios automotrices.La adherencia a estos criterios garantiza la confiabilidad y eficiencia que los sistemas automotrices avanzados buscan con avidez hoy en día, haciendo eco de la esencia misma de lo que impulsa este ámbito tecnológico.La elaboración de PMV65XP de Nexperia destaca una dedicación para cumplir con los requisitos automotrices exigentes.Estos requisitos requieren más que mera conformidad;Necesitan una delicadeza al ajustar a los ámbitos tecnológicos rápidamente cambiantes.A través de la investigación y el desarrollo innovadores, Nexperia garantiza que los componentes brindan una gestión de energía superior y mantienen el equilibrio térmico incluso en circunstancias exigentes.Este método refleja un movimiento más grande para valorar la ahorro de energía y los diseños listos para el futuro.La evolución y la creación de PMV65XP por Nexperia representan una integración perfecta de dedicación para mantener altos estándares, compromiso con una potencia óptima y supervisión térmica, y una visión con visión de futuro en línea con futuros avances automotrices.Esta estrategia integral los posiciona como un punto de referencia para otros dentro del panorama de los semiconductores.

Hoja de datos pdf

PMV65XP, 215 hojas de datos:

Pmv65xp.pdf

Todos los Dev Label CHGS 2/AGG/2020.PDF

Actualización de paquete/etiqueta 30/nov/2016.pdf

Cable de enlace de cobre 18/abril/2014.pdf

Acerca de nosotros

ALLELCO LIMITED

Allelco es una única parada internacionalmente famosa Distribuidor de servicios de adquisiciones de componentes electrónicos híbridos, comprometido a proporcionar servicios integrales de adquisición de componentes y cadena de suministro para las industrias mundiales de fabricación y distribución electrónica, incluidas las 500 fábricas OEM Globales y corredores independientes.
Lee mas

Consulta rápida

Envíe una consulta, responderemos de inmediato.

Cantidad

Preguntas frecuentes [FAQ]

1. ¿Qué define un canal P en un MOSFET?

Dentro de los MOSFET del canal P, los agujeros actúan como los portadores principales que facilitan la corriente dentro del canal, configurando el escenario para que la corriente fluya cuando se active.Este proceso juega un papel en escenarios en los que se desea un control de potencia preciso, lo que refleja la intrincada interacción de ingenio y necesidad técnica.

2. ¿Cómo funciona un canal P MOSFET?

Para que funcione los MOSFET del canal P, se requiere un voltaje negativo de fuente de puerta.Esta condición única permite que la corriente navegue por el dispositivo en una dirección contraria al flujo convencional, una característica arraigada en el diseño estructural del canal.Este comportamiento a menudo encuentra su uso en circuitos que exigen altos niveles de eficiencia y control meticuloso, que incorpora la búsqueda de la optimización y el dominio sobre la tecnología.

3. ¿Por qué se llama un transistor de efecto de campo?

La designación "Transistor de efecto de campo" se deriva de su principio operativo, que implica emplear un campo eléctrico para influir en los portadores de carga dentro de un canal de semiconductores.Este principio muestra la flexibilidad de los FET en numerosos contextos de amplificación electrónica y conmutación, destacando su papel dinámico en las aplicaciones tecnológicas modernas.

4. ¿Qué variedades de FET existen?

Los transistores de efectos de campo comprenden MOSFET, JFET y MESFET.Cada variante ofrece características y beneficios distintos adecuados para funciones particulares.Este surtido ejemplifica la profundidad de la creatividad de la ingeniería en la configuración de la tecnología de semiconductores para abordar un amplio espectro de demandas electrónicas, capturando la esencia de adaptabilidad e ingenio.

Publicaciones populares

Número de pieza caliente

0 RFQ
Carrito de compras (0 Items)
Esta vacio.
Lista de comparación (0 Items)
Esta vacio.
Comentario

¡Tus comentarios son importantes!En Allelco, valoramos la experiencia del usuario y nos esforzamos por mejorarla constantemente.
Comparta sus comentarios con nosotros a través de nuestro formulario de comentarios, y responderemos de inmediato.
Gracias por elegir Allelco.

Sujeto
Email
Notas/Comentarios
Código de verificación
Arrastre o haga clic para cargar archivo
Subir archivo
Tipos: .xls, .xlsx, .doc, .docx, .jpg, .png y .pdf.
MAX TAMAÑO DE ARCHIVO: 10MB