Sirviendo como un diodo de conmutación rápida, el Mmbd4148 se integra en los marcos de circuitos modernos, mejorando su valor con un paquete compacto SOT23 (TO-236AB).Esta característica es atractiva para los diseños que exigen eficiencia espacial, alineándose con la tendencia continua hacia la miniaturización de la placa de circuito.A medida que la tecnología evoluciona, estos diodos permiten una funcionalidad más eficiente dentro de los sistemas electrónicos intrincados.La función de conmutación rápida del diodo brilla en aplicaciones de alta frecuencia.Con una baja caída de voltaje hacia adelante y habilidades rápidas de apagado, promueve la conservación de la energía y mitiga la acumulación térmica, un factor para la durabilidad del sistema bajo un uso extenso.Estos diodos mejoran la confiabilidad del circuito y la vida útil a través de la disipación de energía minimizada.
Extendiendo más allá del cambio de alta velocidad, el MMBD4148 demuestra competencia en varios circuitos, desde la lógica digital hasta las aplicaciones de RF.Su confiabilidad en estos entornos ilustra la ventaja de alinear los componentes elegidos con necesidades de diseño presentes y futuras.Al incorporar el MMBD4148 en proyectos, se centra en armonizar la selección de componentes con la complejidad del circuito.La consideración se extiende más allá de las propiedades eléctricas a cómo se alinean estos atributos con los objetivos generales del sistema.El MMBD4148 se destaca como una herramienta importante en el diseño electrónico moderno, donde la fusión de la eficiencia con la miniaturización es una búsqueda central.Este delicado equilibrio refleja la dirección de la industria más amplia hacia la electrónica avanzada pero compacta, que respalda tanto los estándares actuales como la innovación futura, al proporcionar una base sólida para nuevas aplicaciones.
Pin No. |
Nombre |
Descripción |
1 |
ÁNODO |
Plomo positivo, recibe poder |
2 |
No conectado |
Sin conexión o función |
3 |
CÁTODO |
Plomo negativo, completa el circuito |
La incorporación de la capacitancia mínima del MMBD4148 garantiza la integridad de la señal dentro de las aplicaciones de alta frecuencia.Su disminución de la capacitancia reduce efectivamente la carga en los elementos de circuito adyacentes, manteniendo así la precisión de la forma de onda de la señal.Destaca la corriente de fuga mínima, clave para mitigar la pérdida de energía no deseada, una preocupación por los dispositivos operados por baterías y conscientes de la energía.Estas características colocan el diodo como una opción óptima para los sistemas electrónicos basados en precisión, donde el ahorro de energía es una consideración.
Con una capacidad de voltaje inverso que alcanza 75 V, el MMBD4148 está diseñado para soportar las variaciones de voltaje sin sufrir daños, promoviendo la confiabilidad en escenarios de voltaje fluctuantes.Este rasgo, emparejado con un voltaje máximo de recuperación inversa que se alinea con un VRRM de 75 V, indica un rendimiento sustancial para evitar la descomposición bajo estrés.
Seleccionar el MMBD4148 en un circuito subraya su equilibrio entre agilidad y confiabilidad.Su despliegue en entornos electrónicos contemporáneos variados resalta su versatilidad y rendimiento constante en circunstancias en las que tanto la capacidad de respuesta como la durabilidad tienen prioridad.Las características del diodo se sincronizan sin problemas con las demandas actuales de componentes compactos y confiables, estableciéndolo como una opción favorecida para aplicaciones tecnológicas innovadoras de futuro e innovadoras.
Especificaciones técnicas, características y parámetros del MMBD4148, junto con componentes que coinciden o se parecen a los de MMBD4148,215 de Nexperia USA Inc.
Tipo |
Parámetro |
Tiempo de entrega de fábrica |
4 semanas |
Paquete / estuche |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
Número de alfileres |
2 |
Número de elementos |
1 |
Publicado |
2009 |
Estatus de parte |
Activo |
Número de terminaciones |
3 |
Posición terminal |
DUAL |
Número de pieza base |
Mmbd4148 |
Código Jesd-30 |
R-PDSO-G3 |
Velocidad |
Recuperación rápida <= 500ns, > 200MA (IO) |
Current: fuga inversa @ vr |
500NA @ 75V |
Corriente de reenvío |
215 mA |
Tipo de montaje |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
SÍ |
Material de elemento de diodo |
SILICIO |
Embalaje |
Tape & Reel (TR) |
Código JESD-609 |
E3 |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Acabado terminal |
Lata (sn) |
Forma terminal |
Ala de la gaviota |
Recuento de alfileres |
3 |
Configuración |
SOLTERO |
Tipo de diodo |
Estándar |
Voltaje - hacia adelante (vf) (max) @ if |
1.25V @ 150 mA |
Temperatura de funcionamiento |
-150 ° C max |
Actual - promedio rectificado (io) |
215MA DC |
Corriente de reverso máximo |
500NA |
Capacitancia @ vr, f |
1.5pf @ 0V 1MHz |
Max Forward Surge -Corred (IFSM) |
4A |
Rango de temperatura ambiente alto |
150 ° C |
Estado de ROHS |
ROHS3 Cumplante |
Tiempo de recuperación inverso |
4ns |
Voltaje inverso repetitivo máximo (VRRM) |
75V |
Voltaje inverso |
75V |
Temperatura de unión máxima (TJ) |
150 ° C |
Altura |
1.1 mm |
El diodo MMBD4148 se distingue a través de sus habilidades de conmutación rápida, por lo que es un componente favorecido en diversas aplicaciones que priorizan la eficiencia y la confiabilidad.Este diodo demuestra constantemente un rendimiento ejemplar dentro de numerosos circuitos electrónicos, que sirven roles más allá de sus funciones.
El atractivo del MMBD4148 en contextos de conmutación de alta velocidad se basa en su capacidad para hacer la transición entre los estados con latencia insignificante. Tal conmutación rápida mejora los circuitos digitales donde el tiempo exacto es una necesidad.La incorporación de este diodo en microcontroladores o unidades de procesamiento de señal digital puede refinar el rendimiento al conservar la energía para dispositivos con batería.A lo largo de la historia, tales diodos se han integrado en los diseños de circuitos para mejorar las funciones de compuerta lógica, desempeñando un papel perfecto en los circuitos de cambio de nivel lógico.La evolución de la electrónica de consumo, donde la reducción y la velocidad de la dimensión son excelentes, los beneficios de los diseños que aprovechan el retraso de propagación minimizada.
El MMBD4148 prospera en la conmutación de propósito general debido a su adaptabilidad en los variados espectros operativos. Su papel es prominente en los circuitos de protección, proporcionando una respuesta rápida al daño de sobrevoltaje. Las aplicaciones abarcan sistemas automotrices, maquinaria industrial y electrónica de consumo, donde con frecuencia sirve como un elemento protector en múltiples configuraciones de conmutación.MMBD4148 a menudo se convierte en la opción preferida para manejar demandas versátiles de aplicaciones mientras mantiene el rendimiento.Se hace evidente que la fiabilidad de este diodo da como resultado menos fallas de componentes y longevidad de los dispositivos extendidos.MMBD4148 contribuye principalmente a las soluciones de conmutación de alta velocidad y de uso general, su papel es excelente para proteger el rendimiento y la protección en una variedad de sistemas electrónicos.
Los circuitos de prueba para el diodo MMBD4148 abre posibilidades para profundizar en sus rasgos de recuperación y características de voltaje de recuperación hacia adelante.Estos elementos influyen en su rendimiento en aplicaciones de cambio rápido.Participar en un régimen de prueba a menudo revela detalles intrincados que pueden ayudar a adaptar los diodos para usos particulares, elevando así la eficiencia de los circuitos.
Las piezas enumeradas a continuación tienen especificaciones comparables a las de MMBD4148,215 de Nexperia USA Inc. y MMBD4148.
Número de parte |
Fabricante |
Paquete / estuche |
Actual - promedio rectificado
(IO) |
Tiempo de recuperación inverso |
Estado de ROHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad
(MSL) |
Número de terminaciones |
Material de elemento de diodo |
Tipo de diodo |
MMBD4148,215 |
Nexperia USA Inc. |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
215MA (DC) |
4ns |
ROHS3 Cumplante |
1 (ilimitado) |
3 |
SILICIO |
Estándar |
MMBD3004S-13-F |
Diodos incorporados |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
300 mA (DC) |
4 ns |
ROHS3 Cumplante |
1 (ilimitado) |
3 |
SILICIO |
Estándar |
MMBD7000HC-7-F |
Diodos incorporados |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
200MA (DC) |
4 ns |
ROHS3 Cumplante |
1 (ilimitado) |
3 |
SILICIO |
Estándar |
MMBD7000-E3-08 |
Vishay Semiconductor Diodos División |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
225MA (DC) |
50 ns |
ROHS3 Cumplante |
1 (ilimitado) |
3 |
SILICIO |
Estándar |
MMBD914-E3-08 |
Vishay Semiconductor Diodos División |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
- |
4 ns |
ROHS3 Cumplante |
1 (ilimitado) |
3 |
SILICIO |
Estándar |
Nexperia ha forjado su lugar como una entidad prominente en el reino de semiconductores, venerado por crear dispositivos discretos, lógicos y MOSFET.Estos componentes se encuentran en innumerables aplicaciones, que se extienden desde dispositivos hasta intrincados sistemas industriales.La dedicación de la Compañía a procesos de producción excepcionales se hace eco de su compromiso de abordar el floreciente apetito global por la electrónica avanzada.Esta dedicación se manifiesta en sus amplias capacidades de fabricación, que constantemente colocan a Nexperia a la vanguardia de los avances de la industria.El impacto de Nexperia llega más allá de sus logros comerciales directos, influyendo en las tendencias más amplias de la industria.Sus avances en dispositivos discretos y lógicos pueden empujar los cambios en las filosofías de diseño electrónico y incitar a otros fabricantes a aumentar sus estándares de calidad y ambiental.Nexperia está bien posicionada para continuar como una fuerza influyente, potencialmente moldeando direcciones tecnológicas futuras con su firme dedicación a la excelencia y una respuesta ágil a las demandas cambiantes del mercado.
Los diodos de conmutación de alta velocidad juegan un papel en el paisaje de la electrónica moderna, que ofrecen transiciones sin problemas al administrar con precisión los voltajes de reverso máximo que alcanzan hasta 100 voltios y soportan corrientes hacia adelante hasta 450 miliamperios.Su contribución es innegable para elevar la velocidad operativa de dispositivos que prosperan en el procesamiento rápido de datos.Al optimizar cuidadosamente estos atributos, los fabricantes se esfuerzan por mejorar el rendimiento del dispositivo mientras reducen la disipación de energía, un desafío siempre presente en el diseño de microelectrónica.
Los diodos rectificadores y los supresores transitorios se favorecen en escenarios de cambio rápido debido a su capacidad excepcional para operar a velocidades a nivel de nanosegundos.Su rápida transición entre estados dentro y fuera los hace valiosos en entornos que exigen operaciones de alta frecuencia, como en las unidades de suministro de energía y los sistemas de procesamiento de señales.El diseño de estos diodos también es meticuloso, centrándose en la reducción de la capacitancia e inductancia parasitaria, los factores conocidos por afectar la funcionalidad.
El diodo MMBD4148 se reconoce por su competencia como una solución de conmutación de alta velocidad, que se ofrece en un paquete SOT23 (TO-236AB) pequeño y montado en la superficie adaptada para la integración en diseños de circuito densamente dispuestos.Este factor de forma compacta admite un diseño de alta densidad al tiempo que optimiza la regulación térmica.Su diseño resistente cumple con las demandas de aplicaciones donde la precisión y la durabilidad son de gran importancia.El cambio a los paquetes montados en la superficie ha transformado históricamente la tecnología de la placa de circuito, facilitando la miniaturización de componentes sin comprometer el rendimiento.Como tal, el MMBD4148 surge como un candidato ideal para mejorar la eficiencia y la confiabilidad del circuito en una multitud de implementaciones tecnológicas.
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