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~~en 22/10/2024~~

IRF1010E N-canal MOSFET: especificaciones, equivalentes y hoja de datos

El IRF1010E es un tipo de MOSFET de mejora del canal N que se destaca en el mundo de los componentes electrónicos.Esta descripción general completa tiene como objetivo explorar las complejidades del IRF1010E, ofreciendo información sobre su uso y especificaciones técnicas.Varios componentes, como semiconductores, condensadores, resistencias e IC, son ubicuos, cada uno juega único y roles.Entre estos, los MOSFET de mejora del canal N como el IRF1010E contribuyen a la eficiencia y la confiabilidad de numerosos circuitos electrónicos.Sus extensas aplicaciones abarcan sistemas de administración de energía, tecnología automotriz y varias operaciones de conmutación.

Catalogar

1. Descripción general de IRF1010e

2. IRF1010E PINOUT

3. Símbolo, huella y modelo IRF1010E

4. IRF1010EPBF Especificaciones

5. ¿Cómo implementar el IRF1010E MOSFET?

6. Operación y uso de IRF1010E

7. Características del IRF1010E MOSFET

8. Aplicaciones de IRF1010E

9. Embalaje IRF1010E

10. Información del fabricante IRF1010E

Descripción general de IRF1010E

El IRF1010E es un MOSFET de mejora del canal N que se destaca en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.Su diseño minimiza la resistencia durante la operación, lo que lo convierte en un dispositivo controlado por voltaje de alta eficiencia donde el voltaje de la puerta regula su estado de conmutación.Esta operación simplificada juega un papel en numerosas aplicaciones electrónicas, asegurando una baja pérdida de energía y un alto rendimiento.

IRF1010E Modelos comparables

• IRF1010EPBF

• IRF1010EZPBF

• IRF1018EPBF

• IRF1010NPBF

• RFP70N06

• IRF1407

• IRFB4110

• Irfb4110g

• IRFB4115

• IRFB4310Z

• Irfb4310zg

• IRFB4410

• RFP70N06

IRF1010E PINOUT

IRF1010E N-Channel MOSFET Pinout

Número de alfiler	Nombre	Descripción
1	PUERTA	Actúa como el terminal de control, modulando el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente.Uso en el cambio de aplicaciones que exige un control preciso sobre el tiempo y la precisión.
2	DRENAR	Sirve como punto de salida para la corriente que fluye a través del MOSFET, a menudo conectado a la carga.El diseño alrededor del desagüe, incluido Estrategias de enfriamiento para la eficiencia.
3	FUENTE	El punto de entrada para la corriente, típicamente conectado al ruta de regreso o devolución.Se necesita administración efectiva para el dispositivo confiabilidad y rendimiento del ruido.

Símbolo IRF1010E, huella y modelo CAD

IRF1010E Symbol

IRF1010E Footprint

IRF1010E 3D Model

IRF1010EPBF Especificaciones

El IRF1010 de Infineon Technologies presenta especificaciones técnicas e incluye atributos como clasificaciones de voltaje, manejo de corriente y características térmicas.El IRF1010EPBF comparte especificaciones similares, adecuadas para usos comparables en circuitos electrónicos.

Tipo	Parámetro
Montar	A través del agujero
Calificación actual	3.4 A
Número de alfileres	3
Material del elemento transistor	SILICIO
Disipación de potencia (Max)	20 W
Temperatura de funcionamiento (min)	-55 ° C
Temperatura de funcionamiento (máximo)	150 ° C
Estatus de parte	Activo
Configuración	SOLTERO
Terminales	Axial
Rdson (sobre resistencia)	0.025 ohmios
Calificación actual (Max)	4.2 A
Voltaje - Prueba RDS (ON)	5V
Aplicación de transistor	TRASPUESTA
Polaridad	N-canal
Gane (hfe/ß) (min) @ IC, VCE	50 @ 2.5a, 10v
VCE Saturation (Max) @ IB, IC	1.6V @ 3.2a, 5V
Corriente de drenaje continuo (ID)	3.4a
VGS (TH) (voltaje de umbral de puerta)	2.0-4.0V
Corriente de drenaje (máximo)	4.2a
Total Gate Charge (QG)	72 NC
Tiempo de elevación	70ns
Tiempo de caída	62NS
Voltaje - Umbral de puerta (VGS)	4v
Voltaje de puerta a fuente (Max)	20V
Drenaje a la resistencia de la fuente	0.02 ohmios
Voltaje nominal	40V
Ancho	4.19 mm
Altura	4.57 mm
La radiación endurecida	No
Paquete	TO20A
Llegar a SVHC	No
Cumplimiento de ROHS	Sí
Plomo libre	Sí

¿Cómo implementar el IRF1010E MOSFET?

El IRF1010E se destaca en la conmutación de alta velocidad, para cargas de potencia media.Su resistencia de encendido notablemente baja minimiza las caídas de voltaje y reduce la pérdida de energía, por lo que es una opción ideal para aplicaciones precisas y exigentes.Los escenarios que requieren una eficiencia excepcional se benefician enormemente de esta característica.La eficiencia en los sistemas de gestión de energía se puede observar mediante la optimización del uso de energía por el IRF1010E.A medida que reduce la pérdida de energía, este MOSFET facilita las necesidades de disipación térmica más bajas y mejora la estabilidad general del sistema.Esto es ventajoso en entornos con espacio limitado y opciones de enfriamiento.Su implementación en sistemas de energía avanzados demuestra aplicaciones prácticas, como el equilibrio dinámico de las cargas de alimentación y que permite una vida útil operativa más larga para sistemas basados en baterías.Los controladores de motor se benefician de las capacidades de conmutación de alta velocidad del IRF1010E.El control preciso sobre la dinámica de conmutación garantiza operaciones de motor eléctrico más suaves, mejorando el rendimiento y la longevidad.Las implementaciones prácticas revelan lograr una mayor eficiencia de torque y reducir el desgaste, reduciendo así los costos de mantenimiento.

IRF1010E Operación y uso

IRF1010E Application Circuit

En el circuito de muestra, un motor actúa como carga, y una unidad de control administra la señal de activación.Los esfuerzos concertados de las resistencias, los divisores de voltaje y el MOSFET aseguran el rendimiento máximo.Las resistencias R1 y R2 forman un divisor de voltaje que proporciona el voltaje de puerta necesario.Este voltaje de la puerta, influenciado por el voltaje de activación de la unidad de control (V1) y el voltaje umbral de la puerta de MOSFET (V2), exige precisión para la respuesta precisa del sistema a las señales de control.

Los valores de resistencia de ajuste fino afectan profundamente la sensibilidad umbral y la eficiencia general del sistema.En entornos industriales donde los motores exigen un control preciso, ajustar el divisor de voltaje evita problemas como la falsa desencadenación o la respuesta retrasada.Cuando el voltaje de la puerta excede el umbral, el MOSFET se activa, lo que permite que la corriente fluya a través del motor, lo que lo involucra.Por el contrario, cuando la señal de control cae, el voltaje de la puerta disminuye, desactivando el MOSFET y deteniendo el motor.

La velocidad y la eficiencia del proceso de conmutación bisagan en las variaciones de voltaje de la puerta.Asegurar transiciones agudas mejora el rendimiento y la durabilidad del motor.La implementación de blindaje y filtrado adecuados aumenta la confiabilidad del circuito, particularmente en entornos fluctuantes como aplicaciones automotrices.El papel de la unidad de control es fundamental para la funcionalidad del IRF1010E.Suministra el voltaje de disparo que establece el nivel de voltaje de la puerta para el MOSFET.Se requiere mantener una alta integridad de la señal de control, ya que las fluctuaciones o el ruido pueden conducir a un comportamiento de MOSFET impredecible, afectando el rendimiento del motor.

Características del IRF1010E MOSFET

Tecnología de procesos de vanguardia

El IRF1010e emplea una tecnología de proceso sofisticada, que muestra su impresionante rendimiento.Dicha tecnología garantiza la operación eficiente del transistor en diversas condiciones, que se usa particularmente en aplicaciones de semiconductores que exigen precisión y confiabilidad.Este avance mejora la durabilidad y la vida operativa de MOSFET.

Notablemente baja en resistencia

Una característica definitoria del IRF1010E es su excepcionalmente baja resistencia (RDS (ON)).Esta característica mitiga las pérdidas de energía durante la operación, lo que aumenta la eficiencia.Se vuelve especialmente utilizado en dominios sensibles a la energía como vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable, donde la eficiencia energética es una prioridad.La disminución de la resistencia también da como resultado una generación de calor reducida, mejorando la gestión térmica del sistema.

Calificación DV/DT elevada

El IRF1010E se destaca con una alta calificación DV/DT, que muestra su capacidad para manejar las fluctuaciones de voltaje rápidos.Este rasgo es excelente en escenarios de cambio rápido, donde el MOSFET debe responder rápidamente sin la degradación del rendimiento.Tal alta capacidad de DV/DT es ventajosa en la electrónica de potencia, asegurando la estabilidad y el rendimiento del sistema incluso en condiciones de conmutación rápidas.

Temperatura de funcionamiento robusta de 175 ° C

La capacidad de operar a temperaturas tan alta como 175 ° C es otra calidad sobresaliente del IRF1010E.Los componentes que mantienen la confiabilidad a temperaturas elevadas resultan beneficiosas en entornos exigentes, como maquinaria industrial y motores automotrices.Esta capacidad no solo amplía la gama de aplicaciones de MOSFET, sino que también mejora su vida útil operativa.

Capacidad de conmutación rápida

La capacidad de conmutación rápida del IRF1010E es un atributo central valorado en numerosas aplicaciones modernas.Su conmutación rápida mejora la eficiencia general del sistema y el rendimiento para aplicaciones como alimentación por computadora y sistemas de control de motor.Aquí, el cambio rápido conduce a un menor consumo de energía y una mayor capacidad de respuesta.

Calificación de avalancha

Con una calificación de avalancha completa, el IRF1010E puede soportar pulsos de alta energía sin incurrir en daños, sustentando su robustez.Este atributo se usa en aplicaciones propensas a sobretensiones de voltaje inesperadas, asegurando la confiabilidad y durabilidad del MOSFET.Esto lo convierte en una opción ideal para un amplio espectro de aplicaciones electrónicas de potencia.

Diseño sin plomo para el medio ambiente

La construcción sin plomo de IRF1010e se alinea con las normas y regulaciones ambientales contemporáneas.La ausencia de plomo es beneficiosa desde las perspectivas ecológicas y de salud, asegurando el cumplimiento de las estrictas pautas ambientales globales y facilitando su uso en varias regiones.

Aplicaciones de IRF1010E

Cambio de aplicaciones

El IRF1010E brilla en varias aplicaciones de conmutación.Su baja resistencia en resistencia y alta capacidad de corriente fomentan un rendimiento eficiente y confiable.Este componente es necesario en sistemas que exigen un cambio rápido para aumentar la eficiencia general.Su aptitud para manejar una potencia sustancial lo convierte en una opción atractiva para entornos de alta demanda, como centros de datos y maquinaria industrial, donde la respuesta rápida y la confiabilidad son excelentes.

Unidades de control de velocidad

En las unidades de control de velocidad, el IRF1010e se valora por su manejo sin problemas de altos voltajes y corrientes.Resulta ideal para controlar motores en diversas aplicaciones, desde el equipo automotriz hasta los equipos industriales de precisión.Otros han informado mejoras notables en la respuesta y la eficiencia del motor, lo que resulta en una modulación de velocidad más suave y precisa.

Sistemas de iluminación

El IRF1010e también se destaca en los sistemas de iluminación.Es beneficioso en los controladores LED donde el control actual es excelente.La incorporación de este MOSFET mejora la eficiencia energética y extiende la vida útil de las soluciones de iluminación, por lo que es una opción popular tanto en entornos comerciales como residenciales.Este MOSFET está estrechamente asociado con la tecnología de iluminación moderna de ahorro de energía.

Aplicaciones PWM

Las aplicaciones de modulación de ancho de pulso (PWM) se benefician enormemente de las capacidades y eficiencia de conmutación rápida de IRF1010E.La implementación de estos MOSFET en sistemas como inversores de potencia y amplificadores de audio garantiza un control preciso de la señal de salida, aumentando el rendimiento.Esto mejora la estabilidad del sistema con una operación consistente y confiable.

Conductores de retransmisión

En las aplicaciones de manejo de retransmisión, el IRF1010E ofrece control actual y aislamiento para operaciones de retransmisión efectivas.Su durabilidad y confiabilidad lo hacen adecuado para aplicaciones serias de seguridad, como los sistemas de control automotrices e industriales.El uso práctico muestra que estos MOSFET mejoran la durabilidad del sistema y reducen las tasas de falla en entornos exigentes.

Suministros de alimentación de modo de interruptor

El suministro de alimentación de modo de interruptor (SMPS) se beneficia enormemente del uso del IRF1010E.Estos MOSFET contribuyen a una mayor eficiencia y reducen la disipación de calor, mejorando el rendimiento general de los suministros de energía.Los atributos del IRF1010E lo convierten en un componente principal para entregar potencia estable y confiable a una variedad de dispositivos electrónicos.

Embalaje IRF1010E

IRF1010E Package

IRF1010E Información del fabricante

Infineon Technologies, nacida de semiconductores de Siemens, ha consolidado su lugar como un innovador destacado en la industria de los semiconductores.La expansiva línea de productos de Infineon incluye circuitos integrados (ICS) digitales, de señal mixtos y analógicos, junto con una variedad diversa de componentes de semiconductores discretos.Esta amplia gama de productos hace que Infineon influya en varios dominios tecnológicos, como automotriz, control de energía industrial y aplicaciones de seguridad.Infineon Technologies, continúa a través de su innovador espíritu y amplia gama de productos.Sus esfuerzos son importantes para avanzar en tecnologías de eficiencia energética, mostrando una comprensión profunda de la dinámica del mercado y las direcciones futuras.

Hoja de datos pdf

Preguntas frecuentes [Preguntas frecuentes]

1. ¿Cuál es la configuración PIN de IRF1010E?

La configuración del pin MOSFET IRF1010E incluye:

Pin 3: Fuente (comúnmente conectado a tierra)

Pin 2: Drenaje (vinculado al componente de carga)

Pin 1: puerta (sirve como el disparador para activar el MOSFET)

2. ¿Qué condición operar el IRF1010E?

Considere estas especificaciones al operar el IRF1010e:

Voltaje máximo de fuente de drenaje: 60 V

Corriente de drenaje continuo máximo: 84a

Corriente de drenaje pulsado máximo: 330A

Voltaje máximo de fuente de puerta: 20V

Rango de temperatura de funcionamiento: hasta 175 ° C

Disipación máxima de potencia: 200W

Prevalecerá la versión en inglés.

IRF1010E N-canal MOSFET: especificaciones, equivalentes y hoja de datos

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