El IRLML6402 es un MOSFET de potencia hexfet de canal P diseñado para funcionar a -20V.Está encerrado en un paquete elegante y mínimo de Micro3 (SOT-23).Este MOSFET con orgullo presenta una resistencia impresionantemente baja en relación con sus dimensiones compactas, junto con la resiliencia y las capacidades de conmutación rápida.Estos elementos hacen de MOSFET una opción versátil para mejorar la eficiencia y la fiabilidad en una amplia gama de contextos, como la gestión de la batería, los dispositivos portátiles, las tarjetas PCMCIA y las placas de circuito impresos compactos.
Las técnicas de fabricación de vanguardia del rectificador internacional logran una reducción excepcional en la resistencia.Esta característica, combinada con la conmutación rápida y el diseño resistente típico de HEXFET® MOSFET, ofrece un medio valioso para la gestión de energía y carga en numerosos dispositivos.El paquete Micro3, con su marco de plomo optimizado térmicamente, garantiza que ocupa las aplicaciones más pequeñas de la industria, perfectamente ajustadas con el espacio limitado.Su bajo perfil, que mide menos de 1.1 mm, acomoda los diseños electrónicos más elegantes al tiempo que proporciona un rendimiento térmico superior y una gestión de energía.
En escenarios reales, el IRLML6402 demuestra su valor en los sistemas de gestión de baterías al mejorar la longevidad de la batería a través de una pérdida de energía minimizada.Igualmente en dispositivos portátiles, su tamaño mínimo y rendimiento efectivo juegan un papel en la extensión de la vida útil y la confiabilidad del dispositivo.Para aquellos involucrados en el diseño de sistemas electrónicos, la integración de tales componentes puede aliviar significativamente el flujo de trabajo, asegurando que los dispositivos funcionen dentro de los parámetros térmicos ideales.
Característica |
Descripción |
Tipo |
Canal P MOSFET |
Paquete |
SOT-23 Huella |
Perfil |
Perfil bajo (<1.1mm) |
Embalaje |
Disponible en cinta y carrete |
Traspuesta |
Conmutación rápida |
Cumplimiento |
Sin plomo, sin halógeno |
Voltaje de drenaje a fuente (VDS) |
-20V |
Voltaje de puerta a fuente (VGS) |
± 12V |
En resistencia (RDS (ON)) |
80mΩ en VGS -2.5V |
Disipación de potencia (PD) |
1.3w a 25 ° C |
Corriente de drenaje continuo (ID) |
-3.7a en VGS -4.5V y 25 ° C |
Rango de temperatura de unión operativa |
-55 ° C a 150 ° C |
Factor de reducción térmica |
0.01W/° C |
Infineon Technologies IRLML6402TR Tabla de especificaciones y atributos.
Tipo |
Parámetro |
Tipo de montaje |
Montaje en superficie |
Paquete / estuche |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
Montaje en superficie |
SÍ |
Material del elemento transistor |
SILICIO |
Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃ |
3.7A TA |
Número de elementos |
1 |
Temperatura de funcionamiento (máx.) |
150 ° C |
Embalaje |
Cinta de corte (CT) |
Serie |
Hexfet® |
Publicado |
2003 |
Código JESD-609 |
E3 |
Estatus de parte |
Obsoleto |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminaciones |
3 |
Código ECCN |
EAR99 |
Acabado terminal |
Lata mate (sn) |
Característica adicional |
Alta fiabilidad |
Posición terminal |
DUAL |
Forma terminal |
Ala de la gaviota |
Temperatura máxima de reflujo (CEL) |
260 |
Time @ peak reflow temp-max (s) |
30 |
Código Jesd-30 |
R-PDSO-G3 |
Estado de calificación |
No calificado |
Configuración |
Single con diodo incorporado |
Modo de funcionamiento |
Modo de mejora |
Tipo de FET |
Canal P |
Aplicación de transistor |
TRASPUESTA
|
Rds on (max) @ id, VGS |
65mΩ @ 3.7a, 4.5V |
VGS (th) (max) @ id |
1.2V @ 250μA |
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds |
633pf @ 10V |
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS |
12NC @ 5V |
Drene a la fuente de voltaje (VDSS) |
20V |
Código JEDEC-95 |
To-236ab |
Drene la corriente-max (ABS) (ID) |
3.7a |
Fuga de drenaje en resistencia-max |
0.065Ω |
Drenaje pulsado Corriente-Max (IDM) |
22A |
Voltaje de desglose de DS-Min |
20V |
Avalanche Energy Rating (EAS) |
11 MJ |
Disipación de potencia-Max (ABS) |
1.3w |
Estado de ROHS |
No compatible |
En la esfera de dispositivos digitales 3C (computadora, comunicación, consumidor), el IRLML6402 mejora intensamente la eficiencia energética y la capacidad de respuesta del dispositivo.Los teléfonos inteligentes, las computadoras portátiles y las cámaras digitales, por ejemplo, dependen de los transistores de bajo voltaje para aumentar la duración de la batería y optimizar el rendimiento.Esto lleva a mejores experiencias, evidente en las capacidades multitarea perfecta de los dispositivos actuales.La experiencia ha demostrado que a través de la selección de componentes estratégicos, los fabricantes logran una armonía entre el uso de energía y la durabilidad del dispositivo.
En electrónica médica, el IRLML6402 se destaca por su confiabilidad y precisión.Los instrumentos como las máquinas de ultrasonido portátiles y los sistemas de monitoreo de pacientes requieren lecturas precisas bajo cargas variables, donde una fuente de alimentación estable es crucial.Las ideas de aplicaciones prácticas indican que el uso de componentes resistentes no solo mejora las capacidades del dispositivo, sino que también fomenta la confianza en los avances médicos.
El Internet de las cosas es remodelar los paisajes tecnológicos, con el IRLML6402 desempeñando un papel importante.A medida que los dispositivos IoT se multiplican en casas e industrias inteligentes, la gestión de energía eficiente se vuelve imprescindible.Este componente ayuda a reducir el uso de energía al tiempo que mejora la conectividad y la capacidad de respuesta.Las observaciones sugieren que una estrategia cohesiva para el consumo de energía junto con el diseño innovador fomenta dispositivos que no solo son efectivos sino que también promueven la sostenibilidad.
En nuevas soluciones energéticas, como los inversores solares y los controladores de turbinas eólicas, el IRLML6402 ayuda a una conversión y gestión de energía efectiva.A medida que el mundo se inclina hacia la energía renovable, el uso de dispositivos que minimizan las pérdidas de energía pueden acelerar la transición.Los aprendizajes prácticos indican que la eficiencia del sistema de aumento contribuye significativamente a la conservación de la energía y la confiabilidad del sistema, enfatizando el papel de tales componentes en los esfuerzos de sostenibilidad.
La compatibilidad del IRLML6402 con diversos sistemas de baterías, como el iones de litio y el hidruro de níquel-metal, es notable.Es útil para los sistemas de gestión de baterías que necesitan un control preciso sobre los procesos de carga y descarga.Los escenarios reales resaltan la importancia de elegir transistores apropiados para extender la duración de la batería y garantizar la seguridad.Esta comprensión exacta de la tecnología de la batería impulsa las selecciones de diseño que conducen a un mejor rendimiento y al cumplimiento de sus expectativas.
Para la gestión de la carga, el IRLML6402 ofrece beneficios notables para controlar la distribución de energía a través de los circuitos.Facilita la asignación de energía eficiente mientras evita las sobrecargas del sistema, evitando así las fallas.Las ideas de los sistemas de distribución de energía revelan que la gestión de la carga estratégica mejora la resiliencia general del sistema, mostrando la capacidad del componente para respaldar la distribución de energía equilibrada.
En la electrónica portátil, el diseño liviano y compacto del IRLML6402 permite configuraciones innovadoras de productos sin sacrificar el rendimiento.Los wearables y los cargadores portátiles se benefician de las capacidades de conmutación rápida, que culminan en un menor consumo de energía.Las experiencias de diseño demuestran que atender sus preferencias puede dirigir la elección y la disposición de los componentes óptimos dentro de los productos.
En las aplicaciones de tarjetas PCMCIA, el IRLML6402 aumenta las opciones de conectividad al tiempo que mantiene la utilización mínima de energía.Esta flexibilidad es activa para dispositivos que exigen un alto ancho de banda y adaptabilidad.El avance continuo de la tecnología de comunicación exige componentes que puedan mantenerse al día con el progreso rápido, ilustrando la ventaja de la selección de componentes sabios.
Para los diseños de la placa de circuito consciente del espacio, el IRLML6402 es principalmente adecuado, dada la prima de bienes raíces.Su eficiencia permite densidades de rendimiento más altas, una necesidad en la electrónica compacta.La adaptación de los diseños de la placa de circuito muestra que la planificación meticulosa y la elección de componentes pueden producir dispositivos más pequeños y potentes sin comprometer la función.
En las aplicaciones de conmutación de CC, el IRLML6402 sobresale al ofrecer soluciones de conmutación rápidas y confiables.Sus rasgos operativos pueden conducir a diseños de circuitos superiores que mejoran la velocidad y la eficiencia.Las observaciones de campo sugieren que la comprensión de las demandas de cambio permite la creación de circuitos que cumplen con sus expectativas al tiempo que maximizan la eficacia operativa.
El papel del IRLML6402 en la conmutación de carga resalta su flexibilidad.Asegura un control efectivo sobre la distribución de energía dentro de varios sistemas, activo para la integridad del sistema.Las anécdotas de la industria indican que la optimización de la conmutación de carga puede dar como resultado un ahorro de energía considerable y la vida útil del dispositivo extendido, lo que refuerza su importancia en la electrónica contemporánea.
El 1 de abril de 1999, los semiconductores de Siemens experimentaron un cambio de marca transformador, adoptando el nombre de Infineon Technologies.Este cambio representó un compromiso significativo con la competitividad dentro del panorama microelectrónico en constante evolución.Infineon se ha convertido en un destacado diseñador y fabricante, presentando una cartera diversa de productos diseñados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos lógicos, circuitos integrados de señal mixtos y analógicos, y ofertas de semiconductores discretos.
El sector de la microelectrónica se define por un ciclo constante de innovación, impulsado por la creciente demanda de soluciones electrónicas avanzadas.Infineon demuestra una conciencia aguda de la dinámica actual del mercado, concentrándose en segmentos de crecimiento graves como electrónica automotriz, automatización industrial e Internet de las cosas (IoT).Las empresas que aprovechan efectivamente las tecnologías emergentes, incluida la IA y el aprendizaje automático, a menudo se encuentran en una posición ventajosa para evolucionar y florecer.Las inversiones específicas de Infineon en investigación y desarrollo son un testimonio de su ambición de liderar la carga en la creación de innovaciones de semiconductores de próxima generación.
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