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Explorando el transistor NPN MMBT3904

En el mundo de la electrónica de baja potencia, el transistor MMBT3904 brilla por su versatilidad y confiabilidad.Conocido por su calificación de voltaje del emisor de colector de 40V (VCE) y su capacidad para manejar corrientes de hasta 200 mA, es una opción para el cambio y la amplificación en varios circuitos.Desde comprender su configuración básica de PIN hasta aprovechar modelos CAD para un diseño de circuito preciso, la integración del MMBT3904 ofrece numerosas ventajas.Este artículo explora sus especificaciones, características y aplicaciones prácticas, proporcionando información para mejorar la eficiencia y el rendimiento en proyectos electrónicos.Ya sea para dispositivos de consumo o equipo profesional, el MMBT3904 es un jugador clave en la electrónica moderna.

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Descripción general del transistor MMBT3904

El MMBT3904 Se destaca como un transistor NPN reconocido por su fuerte rendimiento en aplicaciones de baja potencia, lo que ha despertado su interés.Funciona con un umbral de voltaje del emisor de colector (VCE) de 40 voltios y permite un flujo de corriente máximo de 200 miliamperios.Estas especificaciones sirven bien en tareas que requieren conmutación confiable dentro de los circuitos de complejidad moderada.Su capacidad de permanecer en un estado de sesgo inverso cuando la base no se indica se valora en situaciones en las que el mantenimiento de la integridad de la señal presenta un desafío único.

Cuando se introduce una señal base, el MMBT3904 se transforma sin problemas a un estado de sesgo hacia adelante, mejorando su papel como un pequeño interruptor de señal.Este control preciso a menudo se busca en circuitos como puertas lógicas o unidades de retransmisión.El transistor encuentra una aplicación práctica en amplificadores de audio y circuitos de procesamiento de señales, donde sus capacidades de conmutación rápida son básicas para un rendimiento excepcional.La fiabilidad y la eficiencia del MMBT3904 resuenan con aquellos dedicados a la artesanía del diseño electrónica.

Uno de los atributos notables del transistor es su bajo requisito de voltaje del emisor de base, alrededor de 0.6 voltios, que atrae especialmente a los diseñadores conscientes de la eficiencia energética.Esto garantiza el funcionamiento con una pérdida de energía mínima, una característica que enriquece su experiencia en dispositivos con batería al extender la duración de la batería.Además, el bajo voltaje del emisor de base contribuye a una generación de calor reducida, mejorando así la longevidad del dispositivo y sus componentes circundantes.A menudo puede apreciar estas características cuando se esfuerza por diseños de circuitos sostenibles y duraderos.

Configuración de pin

Número de alfiler	Nombre	Descripción
1	Emisor	La corriente fluye a través del emisor
2	Base	Controla el sesgo del transistor
3	Coleccionista	Fluye la corriente a través del coleccionista

Representación de CAD

Símbolo

Huella

Modelo 3D

Especificaciones técnicas

Tipo	Parámetro
Montar	Montaje en superficie
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / estuche	TO36-3, SC-59, SOT-23-3
Número de alfileres	3
Material del elemento transistor	SILICIO
Voltaje de descomposición del emisor de colección	40V
Número de elementos	1
hfe min	100
Temperatura de funcionamiento	150 ° C TJ
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Código JESD-609	E3
Estatus de parte	Obsoleto
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminaciones	3
Código ECCN	EAR99
Acabado terminal	Lata mate (sn)
Voltaje - DC clasificado	40V
Disipación de potencia máxima	350MW
Posición terminal	DUAL
Forma terminal	Ala de la gaviota
Temperatura máxima de reflujo (° C)	260
Calificación actual	200 mMA
Número de pieza base	MMBT
Recuento de alfileres	3
Configuración de elementos	Soltero
Disipación de potencia	350MW
Aplicación de transistor	TRASPUESTA
Ganar producto de ancho de banda	270MHz
Tipo de polaridad/canal	NPN
Tipo de transistor	NPN
Voltaje del emisor de colección (VCEO)	40V
Actual de colección máxima	200 mMA
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	100 @ 10mA, 1V
VCE Saturation (Max) @ IB, IC	200 mv @ 5 mM, 50 mA
Frecuencia de transición	270MHz
Voltaje de desglose máximo	40V
Voltaje base de colección (VCBO)	60V
Voltaje base del emisor (VEBO)	6V
Apague el tiempo - Max (Toff)	250ns
ENCENDER TIEMPO - MAX (TON)	70ns
Llegar a SVHC	Sin SVHC
Endurecimiento por radiación	No
Estado de ROHS	ROHS3 Cumplante
Plomo libre	Plomo libre

Características

Característica	Descripción
Tipo	NPN Transistor de señal pequeña
Corriente continua del coleccionista (IC)	200 MA
Voltaje de coleccionista a emisor (VCE)	40 V
Voltaje de emisor a base (VEB)	6 V
Ganancia actual (HFE)	100 a 300
Frecuencia de transición	300 MHz
Tipo de paquete	SOT23 (SMD)

Características mecánicas

Paquete

Alternativas

• BC549

• BC636

• BC639

• 2N2222 a 92

• 2N2222 a 18

• 2n2369

• 2N3055

• 2N3906

• 2SC5200

Usos diversos del transistor MMBT3904

El transistor MMBT3904 demuestra ser un componente ejemplar para dispositivos portátiles, con su notable capacidad para actuar como un pequeño interruptor de carga.Este componente brilla, ayudando en la preservación de la energía y la efectividad operativa utilizada para dispositivos con batería.No solo sirve tecnología portátil, sino que su aplicación se extiende a la electrónica de consumo, como televisores y electrodomésticos variados.Su adaptabilidad a varios requisitos de voltaje, con la capacidad de controlar voltajes de hasta 40 V, muestra su capacidad para mejorar el rendimiento del dispositivo al tiempo que mantiene la confiabilidad en diversas situaciones eléctricas.

En numerosas aplicaciones prácticas, emplear este tipo de transistor puede refinar en gran medida los diseños de circuitos, logrando un equilibrio entre la compacidad y la potente funcionalidad.Agarrar sus intrincadas propiedades operativas puede ayudarlo a elevar la calidad del producto.Además, su rendimiento constante en la electrónica de consumo subraya su durabilidad y confiabilidad sostenida con el tiempo.

Fabricante

Fabricado por STMicroelectronics, el transistor MMBT3904 significa la dedicación de la marca para empujar los límites en microelectrónica.Como una entidad prominente en el dominio semiconductor, Stmicroelectronics afecta profundamente a la industria, impulsada por su vasta cartera de propiedades intelectuales y capacidades avanzadas del sistema en chip (SOC).Estas fortalezas se unen para posicionar a la empresa como una fuerza impulsora en el avance tecnológico en todo el mundo.

El sector semiconductor en rápida evolución revela el potencial transformador encapsulado en las ofertas de Stmicroelectronics.El surgimiento de los dispositivos IoT y la creciente necesidad de soluciones de eficiencia energética crean vías que los stmicroelectronics navegan con sus conocimientos especializados y enfoques innovadores.

Stmicroelectronics comete sus esfuerzos de I + D no solo para mejorar las tecnologías actuales sino también a las innovaciones pioneras que impulsan la trayectoria de la industria.A través de sus iniciativas, la compañía explora continuamente nuevas metodologías que alimentan el progreso e inspiran nuevas direcciones en el panorama de los semiconductores.

Hoja de datos pdf

MMBT3904 Hojas de datos:

MMBT3904 DataSheet.pdf