Alfiler |
Descripción |
1 |
Base |
2 |
Emisor |
3 |
Coleccionista |
El BFS20 es un sólido transistor NPN diseñado con precisión para aplicaciones de frecuencia media.Encerrado en un paquete de plástico SOT23, se integra perfectamente en diseños de circuitos innovadores, complementando sus aspiraciones de soluciones de eficiencia espacial.Este embalaje no solo aísla el transistor de manera efectiva, sino que mejora el manejo térmico, un factor que resuena con aquellos que se esfuerzan por optimizar tanto el rendimiento como la longevidad en los sistemas electrónicos.
El transistor está marcado por una ganancia de corriente moderada emparejada con una respuesta de frecuencia finamente ajustada, bien adecuada para diversas aplicaciones en circuitos analógicos y de conmutación.Facilita la amplificación de señal eficiente y la conmutación perfecta, alineándose con la búsqueda del rendimiento electrónico máximo en contextos variables.La habilidad de BFS20 para estas operaciones a menudo nace de cuidadosas opciones de diseño, fomentando la estabilidad y la confiabilidad inquebrantable.
En la práctica, este transistor NPN con frecuencia se encuentra en el corazón de los sistemas de gestión de energía, amplificadores de RF y equipos de audio.Ofrece una combinación satisfactoria de rendimiento y asequibilidad, similar al ingenioso proceso de toma de decisiones para cumplir con los puntos de referencia de rendimiento detallados y permanecer consciente de las realidades presupuestarias.Dichas prácticas enfatizan el equilibrio intrincado requerido en la selección de componentes en ingeniería.
Característica |
Especificación |
IC (Max) |
25 Ma |
VCEO (Max) |
20 V |
Capacitancia de retroalimentación |
(typ.350 ff) (muy bajo) |
El transistor BFS20 es básico para las aplicaciones de frecuencia intermedia (IF) y muy alta frecuencia (VHF).Su desempeño firme respalda su papel en una variedad de tecnologías de circuito, desde tipos gruesos hasta películas delgadas.Considere las comunicaciones de radio;El BFS20 garantiza la integridad de la señal y amplifica sin distorsión sustancial, lo que mejora la claridad.También se utiliza en transmisión de televisión y comunicaciones por satélite para una gestión de frecuencia precisa.
La integración del BFS20 en tecnologías de circuito grueso y de película delgada mejora el rendimiento en configuraciones variadas.Las tecnologías de película gruesa se benefician de la durabilidad y la eficiencia del transistor en contextos de alta potencia.Por el contrario, las aplicaciones de película delgada aprovechan su precisión, lo que lo hace ideal para dispositivos electrónicos compactos.Esta integración a menudo estimula diseños innovadores y extiende la vida útil del dispositivo.
• BFS20,235
Nexperia, lanzado en 2017, ha forjado un nicho notable en el ámbito de los semiconductores con su experiencia en discretos, lógicos y MOSFET.La compañía muestra su destreza a través de una asombrosa capacidad de producción de 85 mil millones de unidades anuales, donde la precisión en la calidad y la eficiencia simplificada son dominantes.Un compromiso con los estándares automotrices está sutilmente entrelazado en sus ingeniosos diseños de paquetes pequeños, asegurando la potencia optimizada y las eficiencias térmicas.
Las operaciones globales de Nexperia cubren las principales regiones, incluidas Asia, Europa y los Estados Unidos, que emplean una fuerza laboral talentosa de 11,000 personas.Este alcance generalizado les permite abordar una amplia base de clientes, satisfacer las necesidades localizadas acertadamente.Un equipo internacional diverso ofrece un rico tapiz de perspectivas y conocimiento especializado, alimentando la innovación y mejorando la adaptabilidad de la organización.
El énfasis de la compañía en la tecnología de envasado de vanguardia enfatiza su búsqueda para redefinir la gestión de energía y la miniaturización.La alineación de sus productos con rigurosos criterios automotrices garantiza la confiabilidad y el rendimiento, rasgos que resuenan profundamente en el exigente sector electrónico.
Aquí hay una tabla que resume las especificaciones para el transistor Nexperia USA Inc. BFS20,235.
Tipo |
Parámetro |
Tiempo de entrega de fábrica |
4 semanas |
Contactor |
Estaño |
Montar |
Montaje en superficie |
Tipo de montaje |
Montaje en superficie |
Paquete / estuche |
TO36-3, SC-59, SOT-23-3 |
Número de alfileres |
3 |
Material del elemento transistor |
Silicio |
Voltaje de descomposición del emisor de colección (VCEO) |
20V |
Número de elementos |
1 |
Temperatura de funcionamiento |
150 ° C TJ |
Embalaje |
Tape & Reel (TR) |
Serie |
Automotriz, AEC-Q101 |
Publicado |
2009 |
Código JESD-609 |
E3 |
Estatus de parte |
Activo |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminaciones |
3 |
Código ECCN |
EAR99 |
Disipación de potencia máxima |
250MW |
Posición terminal |
Dual |
Forma terminal |
Ala de la gaviota |
Temperatura máxima de reflujo |
260 ° C |
Frecuencia |
450MHz |
Tiempo@pico de reflujo temperatura (s) Max (s) |
40 |
Número de pieza base |
BFS20 |
Recuento de alfileres |
3 |
Configuración de elementos |
Soltero |
Disipación de potencia |
250MW |
Ganar producto de ancho de banda |
450MHz |
Tipo de polaridad/canal |
NPN |
Tipo de transistor |
NPN |
Actual de colección máxima |
25 mA |
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE |
40 @ 7 mM, 10v |
Actual - Corte de colección (Max) |
100na icbo |
Frecuencia de transición |
450MHz |
Voltaje de desglose máximo |
20V |
Voltaje base de colección (VCBO) |
30V |
Voltaje base del emisor (VEBO) |
4v |
Corriente de coleccionista continuo |
25 mA |
Endurecimiento por radiación |
No |
Estado de ROHS |
ROHS3 Cumplante |
Número de parte |
BFS20,235 |
BFR94A, 215 |
Msc2295-bt1g |
MSC295-CT1G |
MSC2295-CT1 |
Fabricante |
Nexperia USA Inc. |
NXP USA Inc. |
En semiconductor |
En semiconductor |
En semiconductor |
Montar |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Paquete / estuche |
To-236-3, SC-59, ... |
To-236-3, SC-59, ... |
To-236-3, SC-59, ... |
To-236-3, SC-59, ... |
To-236-3, SC-59, ... |
Voltaje de desglose del emisor de colección |
20 V |
20 V |
20 V |
20 V |
- |
Actual de colección máxima |
25 Ma |
30 Ma |
30 Ma |
30 Ma |
- |
Frecuencia de transición |
450 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
- |
Disipación de potencia máxima |
250 MW |
200 MW |
200 MW |
200 MW |
- |
Disipación de potencia |
250 MW |
- |
- |
- |
- |
Tipo de montaje |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
Montaje en superficie |
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BFS20 es un transistor de frecuencia media NPN alojado en un elegante paquete de plástico SOT23.Este empaque compacto simplifica la integración en una amplia gama de sistemas electrónicos, asegurando tanto la robustez como la gestión térmica efectiva.La flexibilidad ofrecida por el paquete SOT23 significa que BFS20 puede adaptarse perfectamente a varios diseños de circuitos.Ya sea que se use en la electrónica de consumo o los sistemas automotrices, su capacidad para satisfacer diversas demandas de aplicaciones enfatiza su sustancial versatilidad.
Los transistores de la unión bipolar (BJTS) juegan papeles importantes en los circuitos electrónicos, funcionando en gran medida como interruptores y amplificadores.Los BJTS se destacan en la amplificación de la señal, básico para mejorar la intensidad de la señal.Son efectivos para filtrar el ruido, asegurando rutas de señal más limpias.En las tareas de rectificación de potencia, los BJT gestionan la conversión y el control de las corrientes eléctricas.Al controlar el flujo de corriente a través de la base, los BJT modulan corrientes más grandes entre el emisor y el colector.Este control preciso se valora principalmente en los sectores de telecomunicaciones y equipos de audio, donde mantener la claridad y la resistencia de la señal es de suma importancia.
La base operativa de los transistores de la unión bipolar (BJTS) se encuentra en sus dos uniones P-N, que se planean para una amplificación de señal óptima.Los BJT consisten en tres regiones: la base, el coleccionista y el emisor.La interacción de estas regiones facilita el control eficiente del movimiento de electrones y agujeros.Esta capacidad permite una amplificación de señal efectiva, grave en aplicaciones como transmisiones de radio y amplificación de audio.El diseño de BJTS como dispositivos controlados por corriente muestra un nivel avanzado de ingeniería, logrando los resultados eléctricos deseados con precisión.La forma en que BJTS gestiona el flujo eléctrico incorpora una combinación experta de refinamiento técnico y aplicación práctica, asegurando su funcionalidad en una miríada de dispositivos electrónicos.
en 04/11/2024
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