El BCP56 Significa una categoría de transistores de amplificadores de potencia de baja frecuencia que utilizan tecnología NPN epitaxial de silicio, principalmente diseñada para precisión dentro de las aplicaciones de audio.Ubicado en un paquete SOT - 223, admite de manera óptima instalaciones de superficie de potencia media, que ofrece una compatibilidad mejorada junto con un rendimiento térmico mejorado en diversas configuraciones.
Capaz de mantener un voltaje colector-emisor (VCEO) de hasta 80V.Resisten un voltaje de base coleccionista (VCBO) de 100V.Admite un voltaje del emisor base (VBEO) de 5V.Maneja la corriente que alcanza hasta 1A.La ganancia de CC (HFE) varía de 25 a 250, lo que significa su aptitud para proporcionar una amplificación eficiente adaptada a varios requisitos operativos.Además, el producto de ancho de banda de ganancia de corriente típico (FT) establecido a 50 MHz asegura una función confiable dentro de los circuitos de frecuencia moderada.El diseño arquitectónico del BCP56, especificado por sus dos semiconductores de tipo n que flanquean un semiconductor de tipo P, facilita las operaciones de amplificación y conmutación de corriente sólida.Estos elementos tienen roles importantes dentro de los circuitos electrónicos complejos.
Característica |
Descripción |
Alta corriente |
1.0 A |
Tipo de paquete |
SOT-223;se puede soldar con onda o reflujo.Formado
los cables absorben el estrés térmico durante la soldadura, eliminando la posibilidad de
daño al dado. |
Disponibilidad de cinta y carrete |
Disponible en 12 mm de cinta y carrete |
- Use BCP56T1G para un carrete de unidades de 7 pulgadas/1000 |
|
- Use BCP56T3G para un carrete de unidad de 13 pulgadas/4000 |
|
Complemento de PNP |
Bcp53t1g |
Aplicaciones automotrices y especiales |
Prefijo S y NSV para aplicaciones automotrices que requieren
Requisitos únicos de cambio de sitio y control;AEC-Q101 calificado y PPAP
capaz |
Cumplimiento ambiental |
Sin PB, libre de halógenos/BFR sin ROHS |
Aquí está el formato de tabla para el semiconductor en Bcp56t1g presupuesto.
Especificación |
Detalle |
Tipo |
Parámetro |
Estado del ciclo de vida |
Activo (último actualizado: hace 2 días) |
Tiempo de entrega de fábrica |
8 semanas |
Contactor |
Estaño |
Tipo de montaje |
Montaje en superficie |
Paquete / estuche |
TO-261-4, TO-261AA |
Montaje en superficie |
SÍ |
Número de alfileres |
4 |
Material del elemento transistor |
SILICIO |
Voltaje de descomposición del emisor de colección |
80V |
Número de elementos |
1 |
hfe min |
40 |
Temperatura de funcionamiento |
-65 ° C ~ 150 ° C TJ |
Embalaje |
Cinta de corte (CT) |
Publicado |
2005 |
Código JESD-609 |
E3 |
Código PBFree |
Sí |
Estatus de parte |
Activo |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminaciones |
4 |
Código ECCN |
EAR99 |
Voltaje - DC clasificado |
80V |
Disipación de potencia máxima |
1.5w |
Posición terminal |
DUAL |
Forma terminal |
Ala de la gaviota |
Calificación actual |
1A |
Frecuencia |
130MHz |
Número de pieza base |
BCP56 |
Recuento de alfileres |
4 |
Configuración de elementos |
Soltero |
Disipación de potencia |
1.5w |
Conexión de caja |
COLECCIONISTA |
Aplicación de transistor |
AMPLIFICADOR |
Ganar producto de ancho de banda |
130MHz |
Tipo de polaridad/canal |
NPN |
Tipo de transistor |
NPN |
Voltaje del emisor de colección (VCEO) |
80V |
Actual de colección máxima |
1A |
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE |
40 @ 150MA 2V |
Actual - Corte de colección (Max) |
100na icbo |
VCE Saturation (Max) @ IB, IC |
500mv @ 50 mA, 500 mA |
Frecuencia de transición |
130MHz
|
Voltaje de desglose máximo |
80V |
Voltaje base de colección (VCBO) |
100V |
Voltaje base del emisor (VEBO) |
5V |
Temperatura de unión máxima (TJ) |
150 ° C |
Altura |
1.75 mm |
Longitud |
6.5 mm |
Ancho |
3.5 mm |
Llegar a SVHC |
Sin SVHC |
Endurecimiento por radiación |
No |
Estado de ROHS |
ROHS3 Cumplante |
Plomo libre |
Plomo libre |
Número de parte |
Descripción |
Fabricante |
BCP56E6327 |
Transistor bipolar de señal pequeña, 1a I (c), CEO de 80V V (BR),
1 elemento, NPN, silicio |
Siemens |
BCP56 |
Transistor bipolar de señal pequeña, 1a I (c), CEO de 80V V (BR),
1 elemento, NPN, silicio |
Siemens |
BCP56,135 |
Transistor Transistor de señal pequeña, BIP Propósito General
Señal pequeña |
Semiconductores NXP |
BCP56E6433 |
Transistor bipolar de señal pequeña, 1a I (c), CEO de 80V V (BR),
1 elemento, NPN, silicio |
Siemens |
El transistor BCP56 tiene una posición notable en el ámbito de los reguladores de voltaje lineal, que gestiona con precisión con precisión.Este papel se vuelve especialmente relevante en situaciones en las que los componentes electrónicos sensibles deben protegerse a través de una regulación de voltaje meticuloso.La integración de BCP56 en circuitos resalta su salida suave y de bajo ruido, que se valora para proporcionar una fuente de alimentación estable, a pesar de que su eficiencia podría seguir ligeramente detrás de los reguladores de conmutación.
En el dominio de los interruptores de lado bajo, BCP56 se destaca por entregar un control de encendido eficiente en un espectro de cargas.Esta flexibilidad se manifiesta prominentemente en aplicaciones que requieren un cambio de bajo costo y alta frecuencia.Simplifica las configuraciones del circuito, facilitando la gestión versátil de componentes como motores y lámparas, manteniendo la armonía entre las credenciales de rendimiento y la rentabilidad.
Cuando se trata de dispositivos con baterías, BCP56 muestra su destreza en la administración de energía, instrumental en extender la duración de la batería al tiempo que garantiza un rendimiento constante.Los dispositivos portátiles y los sensores remotos se benefician enormemente de su consumo eficiente de energía, lo que demuestra la necesidad de priorizar los componentes que mantienen la funcionalidad en diversas condiciones mientras optimizan el uso de energía.
BCP56 afirma su valor en los circuitos de gestión de energía encargados de una regulación de flujo de potencia adepto, importante para distribuir energía a varias secciones de circuito.Ejemplos prácticos demuestran el papel de BCP56 en el ajuste dinámico de la distribución de energía en medio de múltiples rieles de energía, mejorar la eficiencia del sistema y reducir el desperdicio de energía.
Como controlador de MOSFET, el BCP56 ayuda a controlar MOSFET de potencia más sustanciales, especializado para administrar cargas pesadas en aplicaciones como inversores y suministros de alimentación.Admite el cambio efectivo de MOSFET con suficiente potencia de transmisión de puerta y un retraso mínimo, lo que demuestra instrumental en escenarios de potencia de alta densidad.
En la amplificación de audio, la capacidad de BCP56 para manejar eficientemente la potencia media lo convierte en una opción preferida para conducir altavoces y segmentos de salida de audio.Su implementación es dominante para mejorar la fidelidad de la señal y reducir la distorsión, asegurando una experiencia auditiva superior, utilizada en equipos de grado audiófilo donde la precisión y la claridad son dominantes.
La idoneidad de BCP56 se extiende a aplicaciones de montaje en superficie de potencia media, donde su compacidad es un activo en diseños de espacio estrecho.Este aspecto se vuelve principalmente beneficioso para la flexibilidad e integración de diseño en la electrónica moderna, donde su capacidad para gestionar una potencia considerable dentro de una pequeña huella es grave en el desarrollo de dispositivos de próxima generación, que van desde wearables hasta equipo de comunicación sofisticado.
En semiconductor, el comercio bajo el símbolo Nasdaq On es el productor del BCP56.Su compromiso profundamente arraigado con la eficiencia energética se extiende a través de su amplia gama de soluciones de gestión de potencia y señal.La compañía opera en una plataforma global, con instalaciones de fabricación, ventas y diseño cuidadosamente posicionadas en América del Norte, Europa y la región de Asia-Pacífico.Este diseño geográfico no solo fortalece una cadena de suministro confiable, sino que también permite la adaptación a las variadas demandas del mercado con delicadeza.
La distribución calculada de las instalaciones trasciende la mera logística y mejora su capacidad de respuesta a la demanda global.Al mantener ubicaciones estratégicas en regiones clave, en semiconductores capitaliza la experiencia y las ideas locales, fomentando la innovación.Esta presencia generalizada asegura la adaptación personalizada de los productos a las necesidades locales, aumentando el alcance del mercado y la satisfacción del cliente.
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