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~~en 16/10/2024~~ ~~196~~

Explorar BSS138LT1G Managementación de energía para dispositivos portátiles

El BSS138LT1G es un MOSFET de potencia N-canal pequeño y eficiente que ayuda a administrar la potencia en dispositivos utilizando bajos voltajes.A menudo lo encontrará en dispositivos como computadoras, impresoras y teléfonos celulares.Es especialmente bueno para trabajar con niveles bajos de voltaje, lo que lo hace perfecto para la electrónica portátil y con batería.Su diseño compacto le permite caber fácilmente en las tablas de circuitos, lo que lo hace ideal para dispositivos modernos donde el espacio es apretado.Este artículo lo guiará a través de sus características, aplicaciones y detalles técnicos, ayudándole a comprender cómo este MOSFET puede ser útil para sus proyectos.

Catalogar

1. Descripción general de BSS138LT1G

2. Configuración del pin BSS138LT1G

3. Diseño CAD BSS138LT1G

4. Características clave de BSS138LT1G

5. Descripción general de las especificaciones BSS138LT1G

6. BSS138LT1G Piezas comparables

7. Aplicaciones BSS138LT1G

8. Información de embalaje BSS138LT1G

9. Acerca del fabricante: en semiconductor

Descripción general de BSS138LT1G

El BSS138LT1G es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para la gestión de energía en dispositivos que dependen de bajos voltajes.A menudo se usa en aplicaciones como convertidores DC a DC que se encuentran en computadoras, impresoras y dispositivos móviles como teléfonos celulares y teléfonos inalámbricos.Lo que distingue a este MOSFET es su capacidad para funcionar de manera eficiente a niveles de voltaje más bajos, lo que lo convierte en un excelente ajuste para dispositivos portátiles y con batería.El paquete compacto de montaje en superficie SOT-23 le permite caber fácilmente en las placas de circuito, lo que es útil en diseños con restricciones espaciales.Esto lo hace bien adecuado para la electrónica moderna donde la eficiencia energética y el tamaño importan.

Configuración del pin BSS138LT1G

BSS138LT1G Pin Configuration

Diseño de CAD BSS138LT1G

Símbolo BSS138LT1G

BSS138LT1G Symbol

BSS138LT1G FUERTA

BSS138LT1G Footprint

BSS138LT1G Modelo 3D

BSS138LT1G 3D Model

Características clave de BSS138LT1G

Voltaje de umbral bajo

El BSS138LT1G funciona con un voltaje de umbral bajo, que varía de 0.5V a 1.5V.Esto significa que puede activarse y funcionar de manera eficiente en condiciones de baja potencia, por lo que es una buena opción para dispositivos que no requieren mucha energía para operar.

Paquete compacto de montaje en superficie SOT-23

Su pequeño paquete SOT-23 Surface-Mount ayuda a ahorrar espacio en la placa de circuito.Este tamaño compacto es útil al diseñar dispositivos electrónicos modernos donde el espacio a menudo es limitado, asegurando que todo se ajuste perfectamente sin ocupar demasiado espacio.

Calificación de grado automotriz (AEC-Q101)

El BSS138LT1G está calificado AEC-Q101, lo que significa que está creado para un uso confiable en Automotive y otras aplicaciones exigentes.Puede manejar entornos difíciles donde se necesita durabilidad a largo plazo para una operación suave.

ROHS y cumplimiento ecológico

El BSS138LT1G cumple con los estándares ROHS, lo que restringe el uso de ciertos materiales peligrosos.También es libre de PB y sin halógeno, lo que lo convierte en una elección ecológica, alineándose con los esfuerzos de fabricación ecológicos.

Descripción general de las especificaciones BSS138LT1G

Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes comparables relacionadas con el semiconductor BSS138LT1G.

Tipo	Parámetro
Estado del ciclo de vida	Activo (último actualizado: hace 3 días)
Tiempo de entrega de fábrica	14 semanas
Contactor	Estaño
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / estuche	TO36-3, SC-59, SOT-23-3
Montaje en superficie	SÍ
Número de alfileres	3
Material del elemento transistor	SILICIO
Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃	200MA TA
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido)	5V
Número de elementos	1
Disipación de potencia (Max)	225MW TA
Desactivar el tiempo de retraso	20 ns
Temperatura de funcionamiento	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Embalaje	Cinta de corte (CT)
Publicado	2005
Código JESD-609	E3
Código PBFree	Sí
Estatus de parte	Activo
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminaciones	3
Código ECCN	EAR99
Resistencia	3.5 ohmios
Voltaje - DC clasificado	50V
Posición terminal	DUAL
Forma terminal	Ala de la gaviota
Temperatura máxima de reflujo (CEL)	260 ° C
Calificación actual	200 mMA
Tiempo @ Temperatura de reflujo máximo (Max)	40
Recuento de alfileres	3
Configuración de elementos	Soltero
Modo de funcionamiento	Modo de mejora
Disipación de potencia	225MW
Activar el tiempo de retraso	20 ns
Tipo de FET	N-canal
Aplicación de transistor	TRASPUESTA
Rds on (max) @ id, VGS	3.5 Ω @ 200MA, 5V
VGS (th) (max) @ id	1.5V @ 1MA
Halógeno libre	Halógeno libre
Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds	50pf @ 25V
VGS (Max)	± 20V
Corriente de drenaje continuo (ID)	200 mMA
Tensión umbral	1.5V
Voltaje de puerta a fuente (VGS)	20V
Drene la corriente-max (ABS) (ID)	0.2a
Voltaje de desglose de drenaje a fuente	50V
VGS nominal	1.5V
Comentarios Cap-Max (CRSS)	5pf
Altura	1.01 mm
Longitud	3.04 mm
Ancho	1.4 mm
Llegar a SVHC	Sin SVHC
Endurecimiento por radiación	No
Estado de ROHS	ROHS3 Cumplante

Bss138lt1g piezas comparables

Número de parte	Descripción	Fabricante
BSS138L9Z	220 mA, 50V, N-canal, SI, señal pequeña, MOSFET, TO-236AB	Instrumentos de Texas
BSS138-7-F	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.2a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, fet de semiconductores de óxido de metal, paquete de plástico-3-3	SPC multicomp
UBSS138TA	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.2a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de metal-óxido FET, SOT-23, 3 pines	ZETEX / DIODES INC
BSS138T/R13	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.3a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, fet de semiconductores de óxido de metal, paquete compatible con ROHS-3	Semiconductor Panjit
BSS138NL6327	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.23a (ID), 60V, 1 elemento, canal N, silicio, fet semiconductor de óxido de metal, RoHS compatible con el paquete de plástico-3-3	Infineon Technologies AG
BSS138E6327	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.23a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, fet de semiconductor de óxido de metal, SOT-23, 3 pines	Infineon Technologies AG
BSS138-TP	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.22a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal-óxido de semiconductor FET	Micro componentes comerciales
BSS138NH6433	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.23a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, fet semiconductor de óxido de metal, verde, paquete de plástico-3-3	Infineon Technologies AG
BSS138NH6433	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.23a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, fet de semiconductor de óxido de metal, SOT-23, 3 pines	Infineon Technologies AG
UBSS138	Transistor de efecto de campo de señal pequeña, 0.2a (ID), 50V, 1 elemento, canal N, silicio, semiconductor de metal-óxido FET, SOT-23, 3 pines	Diodos incorporados

Bss138lt1g piezas comparables

Convertidores DC-DC

Este MOSFET se usa a menudo en los convertidores DC-DC, que ayudan a administrar cambios de voltaje en dispositivos como computadoras y electrónica móvil.Asegura que los niveles de voltaje correctos se proporcionen a varios componentes, ayudando al dispositivo a funcionar de manera eficiente.

Impresoras

El BSS138LT1G se usa en impresoras para administrar la distribución de energía, asegurando que los componentes obtengan la cantidad correcta de energía al tiempo que evita el desperdicio de energía y el sobrecalentamiento.Esto ayuda a mantener las impresoras funcionando sin problemas con el tiempo.

Tarjetas PCMCIA

En las tarjetas PCMCIA, el BSS138LT1G ayuda a controlar el uso de energía.Estas tarjetas se utilizan para agregar funciones a las computadoras portátiles y otros dispositivos, y este MOSFET respalda su operación eficiente, ayudándoles a trabajar de manera efectiva sin usar demasiada energía.

Dispositivos con batería

El BSS138LT1G a menudo se encuentra en dispositivos alimentados por baterías, como computadoras, teléfonos celulares y teléfonos inalámbricos.Ayuda a administrar el consumo de energía, asegurando que el dispositivo funcione de manera eficiente y extienda la duración de la batería, lo que permite un uso más largo entre las cargas.

Información de embalaje BSS138LT1G

BSS138LT1G PAQUETO DESCUBLE

BSS138LT1G Package Outline

BSS138LT1G Datos mecánicos

OSCURO	Milímetros (min)	Milímetros (nom)	Milímetros (máximo)	Pulgadas (min)	Pulgadas (nom)	Pulgadas (max)
A	0.89	1	1.11	0.035	0.039	0.044
A1	0.01	0.06	0.1	0	0.002	0.004
b	0.37	0.44	0.5	0.015	0.017	0.02
do	0.08	0.14	0.2	0.003	0.006	0.008
D	2.8	2.9	3.04	0.11	0.114	0.12
mi	1.2	1.3	1.4	0.047	0.051	0.055
E1	2.9	3	3.1	0.114	0.118	0.122
L	1.78	1.9	2.04	0.07	0.075	0.08
L1	0.35	0.54	0.69	0.014	0.021	0.027
ÉL	2.1	2.4	2.64	0.083	0.094	0.104
T	0 °	----	10 °	0 °	----	10 °

BSS138LT1G Huella de soldadura recomendada

BSS138LT1G Recommended Soldering Footprint

Acerca del fabricante: en semiconductor

En Semiconductor es conocido por desarrollar productos que ayuden a las empresas a reducir el uso de energía en una gama de industrias.Proporcionan soluciones de gestión de energía y señal que se pueden encontrar en áreas como automotriz, comunicaciones, electrónica de consumo e iluminación LED.En semiconductores admite ingenieros y diseñadores al ofrecer una amplia variedad de productos que ayudan a resolver desafíos de diseño específicos en estos campos.Con una presencia en los principales mercados de todo el mundo, mantienen una fuerte cadena de suministro y brindan un servicio al cliente confiable.Sus instalaciones de fabricación y centros de diseño están ubicados estratégicamente para garantizar que puedan satisfacer las necesidades de los clientes a nivel mundial, mientras continúan impulsando innovaciones en tecnologías de ahorro de energía.

Hoja de datos pdf

BSS138LT1G HOJAS DE DATOS:

BSS138LT1G.PDF

HOJAS DE DATOS BSS138-TP:

BSS138-TP.PDF

Preguntas frecuentes [Preguntas frecuentes]

1. ¿Para qué se usa el BSS138LT1G?

El BSS138LT1G es un MOSFET de potencia del canal N comúnmente utilizado en convertidores DC a DC y sistemas de gestión de potencia en dispositivos como computadoras, impresoras, tarjetas PCMCIA, así como teléfonos celulares e inalámbricos.

2. ¿Cuál es el rango de voltaje umbral para el BSS138LT1G?

El BSS138LT1G tiene un rango de voltaje umbral de 0.5V a 1.5V, lo que lo hace bien adecuado para aplicaciones de baja potencia.

Acerca de nosotros

ALLELCO LIMITED

Allelco es una única parada internacionalmente famosa Distribuidor de servicios de adquisiciones de componentes electrónicos híbridos, comprometido a proporcionar servicios integrales de adquisición de componentes y cadena de suministro para las industrias mundiales de fabricación y distribución electrónica, incluidas las 500 fábricas OEM Globales y corredores independientes.
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