El 2N2218 es un transistor de silicio NPN adaptable encerrado en un paquete de metal JEDEC TO-39, elaborado con tecnología plana epitaxial.Esta elección de diseño mejora su confiabilidad y efectividad en múltiples usos.Se adapta a las aplicaciones de cambio rápido, administrando hábilmente las corrientes de recaudadores de hasta 500 mA, lo que lo hace ideal para circuitos que exigen una respuesta rápida y consistencia.Los usos prácticos incluyen circuitos de tiempo y circuitos de generación de pulsos, donde la necesidad de velocidad y confiabilidad es dominante.El 2N2218 brilla en su capacidad para proporcionar una fuerte ganancia de corriente en un amplio espectro de corrientes operativas, ofreciendo fiabilidad y eficiencia.Esto es específicamente ventajoso en los circuitos de amplificación donde se desea una ganancia estable.Un aspecto atractivo del 2N2218 es su baja fuga y un voltaje de saturación reducido, fomentando un funcionamiento eficiente y minimizando la disipación de potencia innecesaria.Esto mejora la función general del circuito, una calidad muy valorada en las consideraciones de diseño.
Pin no |
Nombre |
1 |
Emisor |
2 |
Base |
3 |
Coleccionista |
Tipo |
Parámetro |
Estado del ciclo de vida |
En producción (última actualización: hace 1 mes) |
Tiempo de entrega de fábrica |
22 semanas |
Montar |
A través del agujero |
Tipo de montaje |
A través del agujero |
Paquete / estuche |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
Número de alfileres |
3 |
Paquete de dispositivos de proveedor |
TO-39 (TO-205Ad) |
Colector de corriente (IC) (Max) |
800mA |
Número de elementos |
1 |
Temperatura de funcionamiento |
-55 ° C ~ 200 ° C TJ |
Embalaje |
A granel |
Publicado |
2007 |
Estatus de parte |
Interrumpido |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Temperatura de funcionamiento máxima |
200 ° C |
Min Temperatura de funcionamiento |
-55 ° C |
Disipación de potencia máxima |
800MW |
Polaridad |
NPN |
Disipación de potencia |
800MW |
Potencia - Max |
800MW |
Tipo de transistor |
NPN |
Voltaje del emisor de colección (VCEO) |
30V |
Actual de colección máxima |
800mA |
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE |
40 @ 150mA 10V |
Actual - Corte de colección (Max) |
10NA |
VCE Saturation (Max) @ IB, IC |
1.6V @ 50 mA, 500 mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo) |
30V |
Voltaje base de colección (VCBO) |
60V |
Voltaje base del emisor (VEBO) |
5V |
Endurecimiento por radiación |
No |
Estado de ROHS |
No compatible |
Característica |
Especificación |
Tipo |
NPN |
Voltaje de Emisor de colección (VCE) |
30 V |
Voltaje de base coleccionista (VCB) |
60 V |
Voltaje de base de emisor (VEB) |
5 V |
Corriente del coleccionista (IC) |
0.8 a |
Disipación de colección (PC) |
0.8 W |
Ganancia actual de DC (HFE) |
40 a 120 |
Frecuencia de transición (ft) |
250 MHz |
Temperatura de operación y almacenamiento |
-65 a +200 ° C |
Paquete |
To-39 |
- 2N2219
- 2N4237
- NTE123
- 2N2219A
El transistor 2N2218 sobresale en la conmutación de alta velocidad debido a su capacidad de respuesta rápida.Manejo de cambios rápidos de voltaje y corriente, se adapta a los sistemas que prosperan en el ciclismo rápido.A menudo integrado en los circuitos de control automatizados, aumenta la destreza operativa, asegurando un momento preciso.En la automatización industrial y la robótica, donde la rapidez ofrece una ventaja clara, este rasgo se vuelve principalmente valioso.
En los dominios de audio y señal, el 2N2218 se amplifica con claridad, mejorando efectivamente las entradas débiles.Su linealidad minimiza la distorsión, elevando la calidad del sonido.En la configuración de audio en vivo y los estudios de grabación, el transistor las salvaguardas suena integridad, enriqueciendo su experiencia y calibre de producción.Su diseño resistente atiende a un lapso de necesidades de amplificación, desde reforios rudimentarios hasta complejos interfaz de audio.
Los circuitos de RF requieren componentes que mantengan el rendimiento de alta frecuencia sin problemas.El 2N2218 proporciona la estabilidad y confiabilidad requeridas en los sistemas de RF.Es clave en los dispositivos de comunicación inalámbrica para preservar la claridad de la señal en las frecuencias.Puede favorecerlo en amplificadores de RF para garantizar la salida constante y la reducción de ruido, lo que respalda la demanda de conectividad impecable.
Utilizado en pares Darlington, el 2N2218 mejora notablemente la ganancia de corriente, apta para cargas más fuertes.Común en los controles motores y los circuitos de potencia, esta configuración gestiona el flujo de corriente de manera eficiente, minimizando las voluminosas soluciones de disipación de calor.Puede explotar estos pares para una gestión de energía compacta y eficiente, optimización de factores espaciales y de rendimiento.
La versatilidad del 2N2218 abarca una amplia gama de aplicaciones, que satisface diversas necesidades de circuito.Su naturaleza adaptable lo convierte en un pilar en experimentos y desarrollo de prototipos, ofreciendo un terreno de prueba confiable para innovaciones.Prácticamente, puede valorar su flexibilidad, apoyando todo, desde pequeños dispositivos hasta intrincados circuitos, afirmando su atractivo duradero en múltiples arenas.
Número de parte |
Fabricante |
Montar |
Paquete / estuche |
Polaridad |
Voltaje - Emisor colector
Desglose (máximo) |
Actual de colección máxima |
Disipación de potencia máxima |
Disipación de potencia |
Nivel de sensibilidad a la humedad
(MSL) |
Ver comparar |
2N2218 |
Corporación microsemi |
A través del agujero |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
NPN |
30V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2N2218 vs 2N2219A |
2N2219A |
Corporación microsemi |
A través del agujero |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
NPN |
50V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2N2218 vs 2N2219A |
Jantx2n2219a |
Corporación microsemi |
A través del agujero |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
NPN |
50V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2N2218 VS JANTX2N2219A |
Jan2n2219a |
Corporación microsemi |
A través del agujero |
TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN |
NPN |
50V |
800 Ma |
800 MW |
800 MW |
1 (ilimitado) |
2N2218 vs Jan2N2219A |
El transistor 2N2218, con su capacidad de manejar hasta 800 mA, se presta bien a una variedad de aplicaciones.Sirve en la alimentación de componentes de alta potencia, amplificando las señales de audio y operando de manera eficiente dentro de los sistemas de RF.La consideración cuidadosa de la temperatura de la unión y el manejo térmico se vuelve mayor en estos escenarios para mitigar los riesgos de sobrecalentamiento.
En aplicaciones prácticas, la gestión de la distribución actual y la disipación de calor para el 2N2218 requiere atención al detalle y un enfoque reflexivo.A menudo puede confiar en disipadores de calor o ventiladores de enfriamiento para mantener las temperaturas propiciantes a una operación óptima.Además, las condiciones ambientales ambientales juegan un papel sustancial, que afecta profundamente el desempeño y la seguridad del transistor, lo que garantiza una comprensión impregnada de la experiencia.
• Amplificación de la señal de audio: en el mundo de la amplificación de audio, el 2N2218 sobresale debido a su capacidad para amplificar las señales con una distorsión mínima.Esto lo convierte en una opción atractiva para aquellos que buscan mejorar la calidad del sonido.Al centrarse en lograr un equilibrio armonioso entre ganancia y ancho de banda, es posible realizar una producción de audio que sea clara y potente.
• Aplicaciones de radiofrecuencia (RF): las fortalezas del 2N2218 en aplicaciones de RF provienen de su respuesta y estabilidad de alta frecuencia.Dentro de los circuitos de RF, se requiere coincidencia de impedancia meticulosa y protección proactiva para reducir la pérdida e interferencia.El arte del diseño de RF combina ideas nocionales con pruebas metódicas y refinamientos iterativos, enfatizando el compromiso con el rendimiento ajustado.
Microsemi Corporation emerge como un contribuyente notable a las innovaciones tecnológicas, centrándose en gran medida en las industrias aeroespaciales y de defensa.Se especializan en la elaboración de circuitos integrados de señal mixto de alto rendimiento, herramientas eficientes de gestión de energía y soluciones de RF confiables.Estos componentes ayudan a garantizar que los sistemas funcionen en condiciones estrictas, fomentando los avances.
Las sofisticadas herramientas de gestión de energía de Microsemi cumplen con las demandas activas de eficiencia energética.Mejoran el consumo de energía mientras mantienen el rendimiento, un equilibrio delicado, especialmente en las tecnologías de defensa donde el acceso a la energía puede influir en los resultados operativos.Como se refleja en las tendencias de la industria, el uso eficiente de energía está creciendo en importancia para el desarrollo tecnológico sostenible.
El 2N2218 está diseñado para sobresalir en escenarios de cambio rápido, manejando corrientes de colección de hasta 500 mA con notable eficiencia en la ganancia actual.A menudo se elige para circuitos que necesitan transiciones rápidas, lo que lo hace valioso en los reguladores de generación y conmutación.Su incorporación perfecta en diversos proyectos electrónicos con frecuencia resalta su adaptabilidad y rendimiento confiable.
Operando típicamente a un voltaje de emisor de colector de alrededor de 28 V, el 2N2218 garantiza una funcionalidad estable en varias aplicaciones.El uso adecuado dentro de estos límites de voltaje revela su resiliencia y efectividad.Esta calidad se hace evidente para usted durante las fases de creación de prototipos y pruebas, obteniendo un asentimiento silencioso de aprobación para su confiabilidad.
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