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CasaBlogTodo sobre el IRF530 MOSFET
en 14/11/2024 60

Todo sobre el IRF530 MOSFET

El IRF530, un MOSFET robusto de canal N, se destaca en el dominio de la electrónica de potencia por su baja capacitancia de entrada y la carga de compuerta reducida, mejorando su conmutación de alta velocidad y eficiencia de gestión de energía.Ideal para aplicaciones como fuentes de alimentación, controles de motor y regulación de voltaje, el IRF530 proporciona un rendimiento confiable al minimizar la pérdida de energía y el estrés térmico, lo que aumenta la durabilidad del sistema.Este artículo profundiza en las especificaciones del IRF530, la configuración del PIN, los beneficios técnicos y las diversas aplicaciones, que ofrece información para buscar un rendimiento optimizado en entornos exigentes.

Catalogar

1. Descripción general de IRF530
2. Configuración de PIN
3. Modelo CAD
4. Características
5. Beneficios de aplicar el IRF530
6. Especificaciones técnicas
7. Alternativas al IRF530
8. Examen del circuito de evaluación IRF530
9. Aplicaciones
10. Visaciones de embalaje del IRF530
11. Fabricante
All About the IRF530 MOSFET

Descripción general de IRF530

El IRF530, un MOSFET de canal N de última generación, atrae la atención en el panorama de la electrónica de potencia actual al optimizar la capacidad de entrada reducida y la carga de la puerta.Este atributo mejora su idoneidad como un interruptor primario en los sofisticados convertidores DC-DC aislados de alta frecuencia.Con una creciente necesidad de gestión de energía efectiva, telecomunicaciones y sistemas informáticos dependen cada vez más del IRF530 para facilitar sus operaciones dinámicas.

Aprovechando un legado de avances en la tecnología de semiconductores, el IRF530 proporciona una opción confiable para las personas que aspiran a aumentar el rendimiento al tiempo que minimizan el gasto de energía.Se destaca en frenar la pérdida de potencia a través de capacidades de conmutación superiores, que fomenta la longevidad y estabilidad de los dispositivos integrados.

Las especificaciones de diseño meticulosamente elaboradas del IRF530 atienden a entornos con rigurosas demandas de eficiencia energética, como infraestructuras de telecomunicaciones y hardware de computación.Puede valorar su capacidad para ofrecer una producción confiable, incluso en escenarios de alto estrés.Esto se convierte en importante en los centros de datos, donde lograr un equilibrio en la gestión térmica plantea un desafío notable.

Configuración de pin

IRF530 Pinout

Modelo CAD

Símbolo

IRF530 Symbol

Huellas

IRF530 Footprint

Visualización 3D

IRF530 3D Model

Características

Característica
Especificación
Tipo de transistor
norte Canal
Tipo de paquete
A 220B y otros paquetes
Voltaje máximo aplicado (fuente de drenaje)
100 V
Voltaje de fuente de puerta máxima
± 20 V
Corriente de drenaje continuo máximo
14 A
Corriente de drenaje pulsado máximo
56 A
Disipación de potencia máxima
79 W
Voltaje mínimo para conducir
2 V a 4 V
Resistencia máxima en el estado (Fuente de drenaje)
0.16 Ω
Temperatura de almacenamiento y operación
-55 ° C a +175 ° C

Beneficios de aplicar el IRF530

Parámetro
Descripción
RDS típico (encendido)
0.115 Ω
Calificación dinámica de DV/DT

Tecnología rugosa de avalancha
Mejorado durabilidad en condiciones de alto estrés
100% de avalancha probada
Completamente Probado para su fiabilidad
Carga de puerta baja
Requerimiento potencia de accionamiento mínimo
Alta capacidad de corriente
Adecuado Para aplicaciones de alta corriente
Temperatura de funcionamiento
175 ° C máximo
Conmutación rápida
Rápido Respuesta para una operación eficiente
Facilidad de paralelo
Simplifica Diseño con MOSFET paralelos
Requisitos simples de accionamiento
Se reduce complejidad en los circuitos de accionamiento

Especificaciones técnicas

Tipo
Parámetro
Montar
A través de Agujero
Montaje Tipo
A través de Agujero
Paquete / Caso
A 220-3
Transistor Material de elemento
SILICIO
Actual - Drenaje continuo (ID) @ 25 ℃
14A TC
Conducir Voltaje (máximo rds encendido, min rds encendido)
10V
Número de elementos
1
Fuerza Disipación (Max)
60W TC
Doblar Tiempo de retraso fuera de lugar
32 ns
Operante Temperatura
-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Embalaje
Tubo
Serie
Stripfet ™ II
JESD-609 Código
E3
Parte Estado
Obsoleto
Humedad Nivel de sensibilidad (MSL)
1 (Ilimitado)
Número de terminaciones
3
ECCN Código
EAR99
Terminal Finalizar
Mate Lata (sn)
Voltaje - DC clasificado
100V
Cima Temperatura de reflujo (CEL)
NO ESPECIFICADO
Alcanzar Código de cumplimiento
Not_compliant
Actual Clasificación
14A
Tiempo @ Temperatura de reflujo máximo - Max (s)
NO ESPECIFICADO
Base Número de parte
IRF5
Alfiler Contar
3
JESD-30 Código
R-PSFM-T3
Calificación Estado
No Calificado
Elemento Configuración
Soltero
Operante Modo
REALCE MODO
Fuerza Disipación
60W
Fet Tipo
N-canal
Transistor Solicitud
TRASPUESTA
RDS En (max) @ id, vgs
160mΩ @ 7a, 10v
VGS (TH) (Max) @ id
4V @ 250 μA
Aporte Capacitancia (ciss) (max) @ vds
458pf @ 25V
Puerta CARGA (QG) (MAX) @ VGS
21 nc @ 10v
Elevar Tiempo
25ns
VGS (Max)
± 20V
Caer Tiempo (typ)
8 ns
Continuo Drene la corriente (ID)
14A
Jedec-95 Código
A 220B
Puerta a la fuente de voltaje (VGS)
20V
Drenar Para fuente de voltaje de desglose
100V
Pulsado Corriente de drenaje - Max (IDM)
56a
Avalancha Calificación energética (EAS)
70 MJ
ROHS Estado
No rohs Obediente
Dirigir Gratis
Contiene Dirigir

Alternativas al IRF530

Número de parte
Descripción
Fabricante
IRF530F
Fuerza Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio, Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B
Internacional Rectificador
IRF530
Fuerza Transistor de efecto de campo, canal n, fet de semiconductores de óxido de metal
Thomson Electrónica de consumo
Irf530pbf
Fuerza Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio, Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B
Internacional Rectificador
Irf530pbf
Fuerza Transistor de efecto de campo, 14a (ID), 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, Silicon, metal-óxido de semiconductor FET, TO20AB, paquete compatible con ROHS-3
Vishay Intertecnologías
SiHF530-E3
Transistor 14A, 100V, 0.16ohm, N-canal, SI, Power, Mosfet, TO220AB, RoHS Cumpling, To-220, 3 pin, FET General Power Power
Vishay Siliconix
IRF530FX
Fuerza Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio, Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B
Vishay Intertecnologías
IRF530FXPBF
Fuerza Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio, Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B
Vishay Intertecnologías
SIHF530
Transistor 14A, 100V, 0.16ohm, N-canal, SI, Power, Mosfet, TO220AB, TO-220, 3 pin, FET Power de propósito general
Vishay Siliconix
IRF530FP
10a, 600V, 0.16ohm, N-canal, SI, potencia, MOSFET, a 220FP, 3 pines
Stmicroelectronics

Examen del circuito de evaluación IRF530

Carga inductiva no encerrada

Unclamped Inductive Load Test Circuit

Tiempo de cambio con carga resistiva

Switching Times Test Circuits For Resistive Load

Evaluación de carga de puerta

Gate Charge test Circuit

Aplicaciones

Sistemas de suministro de alimentos

El IRF530 sobresale en entornos con altas demandas de corriente, lo que lo hace excepcionalmente adecuado para alimentos ininterrumpidos (UPS).Su competencia en la gestión de acciones de conmutación rápida mejora tanto la eficiencia como la confiabilidad.En escenarios reales, aprovechar las capacidades de este MOSFET ayuda a evitar las interrupciones de potencia y mantener la estabilidad durante las interrupciones imprevistas, un aspecto que aprecia a medida que pretende salvaguardar las operaciones básicas.

Mecanismos de actuación

En las aplicaciones de solenoides y de retransmisión, el IRF530 es altamente beneficioso.Precisamente administra picos de voltaje y el flujo de corriente, asegurando una activación precisa en los sistemas industriales.Puede expertos en actuación mecánica y apreciar estas cualidades para aumentar la capacidad de respuesta de maquinaria y extender la vida útil operativa.

Tecnologías de regulación y conversión de voltaje

El IRF530 es un componente formidable para la regulación de voltaje y las conversiones DC-DC y DC-AC.Su papel en la optimización de la conversión de energía es invaluable, especialmente en los sistemas de energía renovable donde la eficiencia puede amplificar significativamente la potencia de salida.A menudo puede profundizar en las sutilezas de la modulación de voltaje para mejorar la efectividad de la conversión y fomentar la durabilidad del sistema.

Aplicaciones de control de motor

Dentro de las aplicaciones de control de motor, el IRF530 es requerido.Su rango abarca desde vehículos eléctricos hasta robótica de fabricación, facilitando la modulación de velocidad precisa y la gestión de par.Con frecuencia puede implementar este componente, aprovechando sus rasgos de cambio rápido para reforzar el rendimiento mientras conserva la energía.

Amplificación de audio y electrónica automotriz

En los sistemas de audio, el IRF530 minimiza la distorsión y administra la salida térmica, asegurando que las señales de sonido sean claras y amplificables.En electrónica automotriz, maneja funciones básicas como inyección de combustible, sistemas de frenado como ABS, despliegue de airbag y control de iluminación.Puede refinar estas aplicaciones, elaborando vehículos que son más seguros y más receptivos.

Gestión de baterías y sistemas de energía renovable

El IRF530 demuestra que se utiliza en la carga y la gestión de la batería, basada en la asignación y almacenamiento de energía eficientes.En las instalaciones de energía solar, mitiga las fluctuaciones y maximiza la captura de energía, resonando con objetivos de energía sostenible.En la gestión de la energía, puede capitalizar estas capacidades para optimizar la longevidad de la batería y mejorar la integración del sistema.

Visaciones de embalaje del IRF530

Diseño del paquete IRF530

IRF530 Package Outline

Especificaciones mecánicas del IRF530

IRF530 Mechanical Data

Fabricante

Stmicroelectronics es un líder en la esfera de semiconductores, aprovechando su conocimiento profundamente arraigado de la tecnología de silicio y los sistemas avanzados.Esta experiencia, combinada con un banco sustancial de propiedad intelectual, impulsa innovaciones en la tecnología del sistema en chip (SOC).Como una entidad clave dentro del dominio en constante evolución de la microelectrónica, la compañía actúa como un catalizador tanto para la transformación como para el progreso.

Al capitalizar su extensa cartera, Stmicroelectronics se aventura constantemente en un nuevo dominio de diseño de chips, difuminando las líneas entre la posibilidad y la realidad.La inquebrantable dedicación de la compañía a la investigación y el desarrollo alimenta la integración perfecta de los sistemas complejos en soluciones SOC simplificadas y eficientes.Estas soluciones sirven múltiples industrias, incluidas las automotrices y las telecomunicaciones.

La compañía muestra un enfoque estratégico en la elaboración de soluciones específicas de la industria, lo que refleja una fuerte conciencia de las distintas demandas y obstáculos que enfrentan varios sectores a medida que navegan rápidamente que cambian los terrenos tecnológicos.Su implacable búsqueda de la innovación y el compromiso con la sostenibilidad encuentran expresión en el desarrollo continuo de nuevas soluciones.Estos esfuerzos se dedican a producir tecnologías más eficientes y resistentes a la energía, enfatizando el valor de la adaptabilidad para retener una ventaja competitiva.

Hoja de datos pdf

Hojas de datos IRF530:

Irf530.pdf

IRF530PBF HOJAS DE DATOS:

Irf530.pdf

Acerca de nosotros

ALLELCO LIMITED

Allelco es una única parada internacionalmente famosa Distribuidor de servicios de adquisiciones de componentes electrónicos híbridos, comprometido a proporcionar servicios integrales de adquisición de componentes y cadena de suministro para las industrias mundiales de fabricación y distribución electrónica, incluidas las 500 fábricas OEM Globales y corredores independientes.
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Preguntas frecuentes [FAQ]

1. ¿Qué es IRF530?

El IRF530 es un poderoso MOSFET de canal N para manejar corrientes continuas de hasta 14A y voltajes duraderos que alcanzan 100 V.Su papel es notable en los sistemas de amplificación de audio de alta potencia, donde su confiabilidad y eficiencia operativa contribuyen en gran medida a las demandas de rendimiento.Puede reconocer su resiliencia en entornos exigentes, favoreciéndolo dentro de las aplicaciones electrónicas industriales y de consumo.

2. ¿Dónde se usan MOSFET?

Los MOSFET forman una parte útil de la electrónica automotriz, que con frecuencia sirve como componentes de conmutación dentro de las unidades de control electrónico y funcionan como convertidores de energía en vehículos eléctricos.Su velocidad y eficiencia superiores en comparación con los componentes electrónicos tradicionales son ampliamente reconocidos.Además, los MOSFET se combinan con IGBT en numerosas aplicaciones, contribuyendo significativamente a la gestión de energía y el procesamiento de señales en una variedad de sectores.

3. ¿Cómo se dirige de manera segura IRF520 en un circuito?

Mantener la longevidad operativa del IRF530 implica ejecutarla al menos un 20% por debajo de sus calificaciones máximas, con corrientes mantenidas por debajo de 11.2a y voltajes por debajo de 80V.Emplear un disipador térmico apropiado ayuda en la disipación de calor, que se requiere para prevenir problemas relacionados con la temperatura.Asegurar que las temperaturas de operación varíen de -55 ° C a +150 ° C ayuda a preservar la integridad del componente, extendiendo así su vida útil.Los profesionales a menudo destacan estas precauciones como activas para garantizar un rendimiento constante y confiable.

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