El IRF530, un MOSFET de canal N de última generación, atrae la atención en el panorama de la electrónica de potencia actual al optimizar la capacidad de entrada reducida y la carga de la puerta.Este atributo mejora su idoneidad como un interruptor primario en los sofisticados convertidores DC-DC aislados de alta frecuencia.Con una creciente necesidad de gestión de energía efectiva, telecomunicaciones y sistemas informáticos dependen cada vez más del IRF530 para facilitar sus operaciones dinámicas.
Aprovechando un legado de avances en la tecnología de semiconductores, el IRF530 proporciona una opción confiable para las personas que aspiran a aumentar el rendimiento al tiempo que minimizan el gasto de energía.Se destaca en frenar la pérdida de potencia a través de capacidades de conmutación superiores, que fomenta la longevidad y estabilidad de los dispositivos integrados.
Las especificaciones de diseño meticulosamente elaboradas del IRF530 atienden a entornos con rigurosas demandas de eficiencia energética, como infraestructuras de telecomunicaciones y hardware de computación.Puede valorar su capacidad para ofrecer una producción confiable, incluso en escenarios de alto estrés.Esto se convierte en importante en los centros de datos, donde lograr un equilibrio en la gestión térmica plantea un desafío notable.
Característica |
Especificación |
Tipo de transistor |
norte
Canal |
Tipo de paquete |
A 220B
y otros paquetes |
Voltaje máximo aplicado (fuente de drenaje) |
100
V |
Voltaje de fuente de puerta máxima |
± 20
V |
Corriente de drenaje continuo máximo |
14 A |
Corriente de drenaje pulsado máximo |
56 A |
Disipación de potencia máxima |
79 W |
Voltaje mínimo para conducir |
2 V
a 4 V |
Resistencia máxima en el estado
(Fuente de drenaje) |
0.16
Ω |
Temperatura de almacenamiento y operación |
-55 ° C
a +175 ° C |
Parámetro |
Descripción |
RDS típico (encendido) |
0.115
Ω |
Calificación dinámica de DV/DT |
Sí |
Tecnología rugosa de avalancha |
Mejorado
durabilidad en condiciones de alto estrés |
100% de avalancha probada |
Completamente
Probado para su fiabilidad |
Carga de puerta baja |
Requerimiento
potencia de accionamiento mínimo |
Alta capacidad de corriente |
Adecuado
Para aplicaciones de alta corriente |
Temperatura de funcionamiento |
175
° C máximo |
Conmutación rápida |
Rápido
Respuesta para una operación eficiente |
Facilidad de paralelo |
Simplifica
Diseño con MOSFET paralelos |
Requisitos simples de accionamiento |
Se reduce
complejidad en los circuitos de accionamiento |
Tipo |
Parámetro |
Montar |
A través de
Agujero |
Montaje
Tipo |
A través de
Agujero |
Paquete
/ Caso |
A 220-3 |
Transistor
Material de elemento |
SILICIO |
Actual
- Drenaje continuo (ID) @ 25 ℃ |
14A
TC |
Conducir
Voltaje (máximo rds encendido, min rds encendido) |
10V |
Número
de elementos |
1 |
Fuerza
Disipación (Max) |
60W
TC |
Doblar
Tiempo de retraso fuera de lugar |
32 ns |
Operante
Temperatura |
-55 ° C ~ 175 ° C
TJ |
Embalaje |
Tubo |
Serie |
Stripfet ™
II |
JESD-609
Código |
E3 |
Parte
Estado |
Obsoleto |
Humedad
Nivel de sensibilidad (MSL) |
1
(Ilimitado) |
Número
de terminaciones |
3 |
ECCN
Código |
EAR99 |
Terminal
Finalizar |
Mate
Lata (sn) |
Voltaje
- DC clasificado |
100V |
Cima
Temperatura de reflujo (CEL) |
NO
ESPECIFICADO |
Alcanzar
Código de cumplimiento |
Not_compliant |
Actual
Clasificación |
14A |
Tiempo
@ Temperatura de reflujo máximo - Max (s) |
NO
ESPECIFICADO |
Base
Número de parte |
IRF5 |
Alfiler
Contar |
3 |
JESD-30
Código |
R-PSFM-T3 |
Calificación
Estado |
No
Calificado |
Elemento
Configuración |
Soltero |
Operante
Modo |
REALCE
MODO |
Fuerza
Disipación |
60W |
Fet
Tipo |
N-canal |
Transistor
Solicitud |
TRASPUESTA |
RDS
En (max) @ id, vgs |
160mΩ
@ 7a, 10v |
VGS (TH)
(Max) @ id |
4V @
250 μA |
Aporte
Capacitancia (ciss) (max) @ vds |
458pf
@ 25V |
Puerta
CARGA (QG) (MAX) @ VGS |
21 nc
@ 10v |
Elevar
Tiempo |
25ns |
VGS
(Max) |
± 20V |
Caer
Tiempo (typ) |
8 ns |
Continuo
Drene la corriente (ID) |
14A |
Jedec-95
Código |
A 220B |
Puerta
a la fuente de voltaje (VGS) |
20V |
Drenar
Para fuente de voltaje de desglose |
100V |
Pulsado
Corriente de drenaje - Max (IDM) |
56a |
Avalancha
Calificación energética (EAS) |
70 MJ |
ROHS
Estado |
No rohs
Obediente |
Dirigir
Gratis |
Contiene
Dirigir |
Número de parte |
Descripción |
Fabricante |
IRF530F |
Fuerza
Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio,
Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B |
Internacional
Rectificador |
IRF530 |
Fuerza
Transistor de efecto de campo, canal n, fet de semiconductores de óxido de metal |
Thomson
Electrónica de consumo |
Irf530pbf |
Fuerza
Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio,
Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B |
Internacional
Rectificador |
Irf530pbf |
Fuerza
Transistor de efecto de campo, 14a (ID), 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N,
Silicon, metal-óxido de semiconductor FET, TO20AB, paquete compatible con ROHS-3 |
Vishay
Intertecnologías |
SiHF530-E3 |
Transistor
14A, 100V, 0.16ohm, N-canal, SI, Power, Mosfet, TO220AB, RoHS Cumpling,
To-220, 3 pin, FET General Power Power |
Vishay
Siliconix |
IRF530FX |
Fuerza
Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio,
Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B |
Vishay
Intertecnologías |
IRF530FXPBF |
Fuerza
Transistor de efecto de campo, 100V, 0.16ohm, 1 elemento, canal N, silicio,
Metal-óxido de semiconductor FET, a 220B |
Vishay
Intertecnologías |
SIHF530 |
Transistor
14A, 100V, 0.16ohm, N-canal, SI, Power, Mosfet, TO220AB, TO-220, 3 pin,
FET Power de propósito general |
Vishay
Siliconix |
IRF530FP |
10a,
600V, 0.16ohm, N-canal, SI, potencia, MOSFET, a 220FP, 3 pines |
Stmicroelectronics |
El IRF530 sobresale en entornos con altas demandas de corriente, lo que lo hace excepcionalmente adecuado para alimentos ininterrumpidos (UPS).Su competencia en la gestión de acciones de conmutación rápida mejora tanto la eficiencia como la confiabilidad.En escenarios reales, aprovechar las capacidades de este MOSFET ayuda a evitar las interrupciones de potencia y mantener la estabilidad durante las interrupciones imprevistas, un aspecto que aprecia a medida que pretende salvaguardar las operaciones básicas.
En las aplicaciones de solenoides y de retransmisión, el IRF530 es altamente beneficioso.Precisamente administra picos de voltaje y el flujo de corriente, asegurando una activación precisa en los sistemas industriales.Puede expertos en actuación mecánica y apreciar estas cualidades para aumentar la capacidad de respuesta de maquinaria y extender la vida útil operativa.
El IRF530 es un componente formidable para la regulación de voltaje y las conversiones DC-DC y DC-AC.Su papel en la optimización de la conversión de energía es invaluable, especialmente en los sistemas de energía renovable donde la eficiencia puede amplificar significativamente la potencia de salida.A menudo puede profundizar en las sutilezas de la modulación de voltaje para mejorar la efectividad de la conversión y fomentar la durabilidad del sistema.
Dentro de las aplicaciones de control de motor, el IRF530 es requerido.Su rango abarca desde vehículos eléctricos hasta robótica de fabricación, facilitando la modulación de velocidad precisa y la gestión de par.Con frecuencia puede implementar este componente, aprovechando sus rasgos de cambio rápido para reforzar el rendimiento mientras conserva la energía.
En los sistemas de audio, el IRF530 minimiza la distorsión y administra la salida térmica, asegurando que las señales de sonido sean claras y amplificables.En electrónica automotriz, maneja funciones básicas como inyección de combustible, sistemas de frenado como ABS, despliegue de airbag y control de iluminación.Puede refinar estas aplicaciones, elaborando vehículos que son más seguros y más receptivos.
El IRF530 demuestra que se utiliza en la carga y la gestión de la batería, basada en la asignación y almacenamiento de energía eficientes.En las instalaciones de energía solar, mitiga las fluctuaciones y maximiza la captura de energía, resonando con objetivos de energía sostenible.En la gestión de la energía, puede capitalizar estas capacidades para optimizar la longevidad de la batería y mejorar la integración del sistema.
Stmicroelectronics es un líder en la esfera de semiconductores, aprovechando su conocimiento profundamente arraigado de la tecnología de silicio y los sistemas avanzados.Esta experiencia, combinada con un banco sustancial de propiedad intelectual, impulsa innovaciones en la tecnología del sistema en chip (SOC).Como una entidad clave dentro del dominio en constante evolución de la microelectrónica, la compañía actúa como un catalizador tanto para la transformación como para el progreso.
Al capitalizar su extensa cartera, Stmicroelectronics se aventura constantemente en un nuevo dominio de diseño de chips, difuminando las líneas entre la posibilidad y la realidad.La inquebrantable dedicación de la compañía a la investigación y el desarrollo alimenta la integración perfecta de los sistemas complejos en soluciones SOC simplificadas y eficientes.Estas soluciones sirven múltiples industrias, incluidas las automotrices y las telecomunicaciones.
La compañía muestra un enfoque estratégico en la elaboración de soluciones específicas de la industria, lo que refleja una fuerte conciencia de las distintas demandas y obstáculos que enfrentan varios sectores a medida que navegan rápidamente que cambian los terrenos tecnológicos.Su implacable búsqueda de la innovación y el compromiso con la sostenibilidad encuentran expresión en el desarrollo continuo de nuevas soluciones.Estos esfuerzos se dedican a producir tecnologías más eficientes y resistentes a la energía, enfatizando el valor de la adaptabilidad para retener una ventaja competitiva.
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El IRF530 es un poderoso MOSFET de canal N para manejar corrientes continuas de hasta 14A y voltajes duraderos que alcanzan 100 V.Su papel es notable en los sistemas de amplificación de audio de alta potencia, donde su confiabilidad y eficiencia operativa contribuyen en gran medida a las demandas de rendimiento.Puede reconocer su resiliencia en entornos exigentes, favoreciéndolo dentro de las aplicaciones electrónicas industriales y de consumo.
Los MOSFET forman una parte útil de la electrónica automotriz, que con frecuencia sirve como componentes de conmutación dentro de las unidades de control electrónico y funcionan como convertidores de energía en vehículos eléctricos.Su velocidad y eficiencia superiores en comparación con los componentes electrónicos tradicionales son ampliamente reconocidos.Además, los MOSFET se combinan con IGBT en numerosas aplicaciones, contribuyendo significativamente a la gestión de energía y el procesamiento de señales en una variedad de sectores.
Mantener la longevidad operativa del IRF530 implica ejecutarla al menos un 20% por debajo de sus calificaciones máximas, con corrientes mantenidas por debajo de 11.2a y voltajes por debajo de 80V.Emplear un disipador térmico apropiado ayuda en la disipación de calor, que se requiere para prevenir problemas relacionados con la temperatura.Asegurar que las temperaturas de operación varíen de -55 ° C a +150 ° C ayuda a preservar la integridad del componente, extendiendo así su vida útil.Los profesionales a menudo destacan estas precauciones como activas para garantizar un rendimiento constante y confiable.
en 14/11/2024
en 14/11/2024
en 01/01/1970 3186
en 01/01/1970 2757
en 18/11/0400 2446
en 01/01/1970 2221
en 01/01/1970 1845
en 01/01/1970 1816
en 01/01/1970 1769
en 01/01/1970 1745
en 01/01/1970 1732
en 18/11/5600 1720