El 1N5822 es un diodo de Schottky reconocido por su caída de voltaje de avance excepcionalmente baja, lo que la convierte en una opción favorable para aplicaciones que requieren conmutación rápida a niveles de corriente reducidos.Esto ofrece una ventaja en las fuentes de alimentación del modo de conmutación y los convertidores DC a DC de alta frecuencia, donde la eficiencia puede afectar el rendimiento general del sistema.Encerrado en un paquete DO-201AD, este diodo se utiliza con frecuencia en operaciones de bajo voltaje y alta frecuencia, incluidos usos como inversores de bajo voltaje, aplicaciones de rueda libre, protección de polaridad y cargadores de baterías elegantes.Su capacidad para la transición con facilidad garantiza una pérdida de energía minimizada, mejorando así la eficiencia de los sistemas que dependen de él.
En aplicaciones prácticas, el diseño del 1N5822 sobresale en su capacidad para gestionar la disipación térmica, que a menudo es un desafío en los sistemas compactos que exigen una alta eficiencia.Esta construcción le permite funcionar de manera confiable en condiciones variadas, por lo que es una opción preferida para los prototipos que requieren un rendimiento constante en entornos cambiantes.El bajo voltaje directo del diodo es fundamental para ayudar a la preservación de la energía, que es principalmente beneficiosa para mantener la energía en dispositivos electrónicos portátiles.
Desde una perspectiva analítica, mientras que el 1N5822 brilla en escenarios de bajo voltaje, es básico garantizar que todo el circuito explota los beneficios de su caída de voltaje de bajo avance.Alinear cuidadosamente los atributos del diodo con los otros componentes del sistema puede elevar sustancialmente el rendimiento y la durabilidad del dispositivo.Explorar más profundamente en las eficiencias del diseño puede descubrir más estrategias para explotar completamente el potencial de este componente en aplicaciones de vanguardia.
Nombre |
Descripción |
Ánodo |
La corriente siempre ingresa a través del ánodo |
Cátodo |
La corriente siempre sale a través del cátodo |
Característica |
Descripción |
Pérdidas de conducción muy pequeñas |
Reduce la pérdida de energía durante la conducción |
Pérdidas de conmutación insignificantes |
Minimiza las pérdidas durante el cambio |
Conmutación extremadamente rápida |
Permite transiciones rápidas |
Caída de voltaje hacia adelante baja |
Proporciona una pérdida de potencia más baja |
Capacidad de avalancha especificada |
Resistir condiciones de alto voltaje |
Anillo de protección para protección contra sobrecargación |
Protege contra el daño por sobrecarga |
Capacidad de sobretensión alta hacia adelante |
Maneja altas sobretensiones de corriente |
Operación de alta frecuencia |
Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia |
Soldadora DIP 275 ° C Máx.10 s, por jesd 22-b106 |
Asegura la durabilidad en los procesos de soldadura |
Tipo |
Parámetro |
Tiempo de entrega de fábrica |
6 semanas |
Montar |
A través del agujero |
Tipo de montaje |
A través del agujero |
Paquete / estuche |
Do-201ad, axial |
Número de alfileres |
2 |
Peso |
4.535924g |
Material de elemento de diodo |
SILICIO |
Número de elementos |
1 |
Embalaje |
Cinta y caja (TB) |
Código JESD-609 |
E3 |
Estatus de parte |
Activo |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminaciones |
2 |
Código ECCN |
EAR99 |
Acabado terminal |
Lata mate (sn) - recocido |
Temperatura de funcionamiento máxima |
150 ° C |
Min Temperatura de funcionamiento |
-65 ° C |
Aplicaciones |
FUERZA |
Característica adicional
|
Diodo de ruedas libre |
Código HTS |
8541.10.00.80 |
Capacidad |
190pf |
Voltaje - DC clasificado |
40V |
Forma terminal |
CABLE |
Calificación actual |
3A |
Número de pieza base |
1N58 |
Recuento de alfileres |
2 |
Polaridad |
Estándar |
Configuración de elementos |
Soltero |
Velocidad |
Recuperación rápida =< 500ns, > 200MA (IO) |
Tipo de diodo |
Schottky |
Current: fuga inversa @ vr |
2MA @ 40V |
Corriente de salida |
3A |
Voltaje - hacia adelante (vf) (max) @ if |
525mv @ 3a |
Conexión de caja |
AISLADO |
Corriente de reenvío |
3A |
Corriente de fuga inversa máxima |
2mera |
Temperatura de funcionamiento - unión |
150 ° C Max |
Corriente de aumento máximo |
80A |
Voltaje hacia adelante |
525mv |
Voltaje Reverso (DC) máximo (DC) |
40V |
Corriente rectificada promedio |
3A |
Número de fases |
1 |
Corriente de reverso máximo |
2mera |
Voltaje inverso repetitivo máximo (VRRM) |
40V |
Corriente de sobretensión no repetitiva máxima |
80A |
Max Forward Surge -Corred (IFSM) |
80A |
Temperatura de unión máxima (TJ) |
150 ° C |
Altura |
5.3 mm |
Longitud |
9.5 mm |
Ancho |
5.3 mm |
Llegar a SVHC |
Sin SVHC |
Endurecimiento por radiación |
No |
Estado de ROHS |
ROHS3 Cumplante |
Plomo libre |
Plomo libre |
Número de parte |
Descripción |
Fabricante |
Diodos SR304HA0 |
Diodo rectificador |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodos SR304HB0 |
Diodo rectificador |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodos SR340 |
Diodo rectificador |
Changzhou Starsea Electronics Co Ltd |
Diodos SR304A0 |
3a, 40V, silicio, diodo rectificador, do-201AD, ROHS
Complante, paquete de plástico-2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodos SR304HX0 |
Diodo rectificador |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
1N5822_R2_00001 |
Diodo rectificador, schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40V
(VRRM), Silicon, Do-201ad |
Semiconductor Panjit |
1N5822_AY_00001 |
Diodo rectificador, schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40V
(VRRM), Silicon, Do-201ad |
Semiconductor Panjit |
Diodos sr304x0g |
Diodo rectificador, schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40V
(VRRM), Silicon, Do-201ad, Verde, paquete de plástico-2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
1N5822_AY_10001 |
Diodo rectificador, schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40V
(VRRM), Silicon, Do-201ad |
Semiconductor Panjit |
1N5822-T3 |
Diodo rectificador, schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40V
(VRRM), Silicon, DO-201AD, paquete de plástico-2 |
Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd |
En los marcos electrónicos contemporáneos, el diodo Schottky 1N5822 desempeña papeles dinámicos debido a sus características como la baja caída de voltaje hacia adelante y las capacidades de conmutación rápida, configurando su idoneidad para las tareas de bajo voltaje y ahorro de energía.Estas características contribuyen significativamente a las aplicaciones que involucran rectificación de potencia, sujeción de voltaje y circuitos de protección al minimizar la pérdida de energía y la generación de calor.El manejo de altas densidades de corriente con una pérdida de energía mínima puede influir en gran medida en el rendimiento del circuito, lo que provoca consideraciones cuidadosas en los enfoques de diseño.
El siguiente circuito ilustra el polarización directa del diodo 1N5822 para activar un LED alimentado por una batería de 3.7V, mostrando su efectividad en escenarios de bajo voltaje.Los diodos de Schottky se favorecen para mantener los niveles de voltaje de entrada y reducir la disipación de energía a través del diodo, fomentando así una mayor duración de la batería y un rendimiento LED óptimo.Los factores que abarcan como el manejo térmico y las condiciones de carga se utilizan cuando se usa diodos Schottky.La disipación de calor adecuada es manejable a través de disipadores de calor adecuados o almohadillas térmicas.Seleccionar un diodo con una calificación de corriente que coincida con las demandas del circuito ayuda a evitar averías prematuras y aumenta la confiabilidad.La incorporación de estas estrategias eleva la resiliencia del circuito y prolonga la durabilidad de los componentes.
Maximizar los beneficios del 1N5822 requiere una reflexión de la integración del circuito con precisión.Situar el diodo cerca de la fuente de alimentación disminuye las pérdidas de línea, lo que mejora la eficiencia del circuito.Configuración de mecanismos de retroalimentación para adaptar las condiciones de sesgo de manera fluida puede optimizar el rendimiento en diversos escenarios operativos.Los diodos de Schottky son fundamentales en los sistemas que exigen una conmutación rápida y un bajo voltaje de avance, como la alimentación del modo de conmutación (SMPS) y las aplicaciones de alta frecuencia, debido a su competencia en frenar las pérdidas de conmutación.
Los inversores que operan a bajo voltaje y alta frecuencia dependen en gran medida de componentes eficientes para reducir las pérdidas de energía.El diodo 1N5822 se destaca debido a su baja caída de voltaje hacia adelante y sus características de recuperación rápida.Estas características pueden mejorar significativamente la eficiencia energética y la confiabilidad, principalmente valiosas en dispositivos electrónicos portátiles donde la conservación de la energía es una prioridad.
Los circuitos de rueda libre tienen como objetivo ofrecer una ruta de corriente alternativa cuando el interruptor principal está abierto.El diodo 1N5822 sobresale aquí, ayudando a mitigar las pérdidas de energía y suprimir los picos de voltaje, asegurando así la estabilidad del circuito.Puede encontrar que el uso del 1N5822 proporciona una mejor protección contra los voltajes transitorios, y extiende la vida útil de su equipo mientras produce turbinas eólicas y otros sistemas de energía renovable.
Los convertidores DC/DC ganan sustancialmente de las capacidades de conmutación rápida del 1N5822 y la baja disipación de potencia.La integración de este diodo conduce a una mayor eficiencia y una mejor regulación de voltaje.Puede tener en cuenta que su rendimiento robusto ayuda a minimizar la acumulación de calor, una característica necesaria en placas de circuito densamente empaquetadas comúnmente que se encuentran en dispositivos electrónicos contemporáneos.
En el mundo de la detección de señales, los diodos como el 1N5822 son apreciados por sus características receptivas, mejorando la precisión de detección de señales débiles en los circuitos de RF.Esto mejora la comunicación digital al permitir una recepción de señal más confiable incluso con fortalezas fluctuantes.
Protección de polaridad salvaguardia equipos electrónicos de conexiones accidentales de polaridad inversa.El diodo 1N5822 ofrece una solución directa y efectiva, lo que lleva a una disminución notable en las tasas de falla del componente.Dichos resultados enfatizan su valor en la creación de diseños de circuitos robustos.
Las aplicaciones de RF exigen una interferencia de ruido reducida y una mayor claridad de señal.El diodo 1N5822 admite estos requisitos minimizando la distorsión de la señal.Puede apreciar que la incorporación de este diodo conduce a un mejor rendimiento en los sistemas de audio y comunicación de alta fidelidad, donde se utiliza una gestión precisa de señal.
Los circuitos lógicos que requieren componentes de cambio rápido se benefician de los tiempos de conmutación rápidos del 1N5822.Usando este diodo, los circuitos logran tiempos de respuesta más rápidos, peligrosos en la computación de alta velocidad y el procesamiento de datos.Los líderes de la industria sugieren que la incorporación del 1N5822 puede mejorar la velocidad general y la eficiencia de los sistemas informáticos.
Las fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) requieren alta eficiencia y confiabilidad.El diodo 1N5822 reduce significativamente la pérdida de energía durante la operación y mejora el rendimiento térmico, activo para la longevidad de los componentes de la fuente de alimentación.Puede considerar el diodo como instrumental para aumentar la eficiencia energética de SMP, solidificando su papel en las soluciones modernas de gestión de energía.
Esquema del paquete 1N5822
1N5822 Datos mecánicos
ÁRBITRO. |
DIMENSIONES |
Notas |
|||
Milímetros |
Pulgadas |
||||
Mínimo |
Max. |
Mínimo |
Max. |
1. El plomo diámetro ▲ D no es Controlado sobre la zona E. 2. La longitud axial mínima dentro de la cual El dispositivo se puede colocar con sus cables doblado en ángulo recto es 0.59 "(15 mm) |
|
A |
9.50 |
0.374 |
|||
B |
25.40 |
1000 |
|||
▲ C |
5.30 |
0.209 |
|||
▲ D |
1.30 |
0.051 |
|||
mi |
1.25 |
0.049 |
Stmicroelectronics se ha posicionado como un jugador líder en la etapa global de semiconductores.La compañía es conocida por su capacidad excepcional para crear soluciones avanzadas de silicio y sistema.Al impulsar los avances en la tecnología del sistema en chip (SOC), han hecho contribuciones notables a la evolución de la electrónica moderna.
A través de su dedicación a la investigación y el desarrollo, STMicroelectronics ha refinado diseños para el sistema en chip mediante la integración de varios componentes funcionales en un solo chip.Esta innovación ofrece no solo una eficiencia mejorada y una reducción de costos, sino que también afecta una amplia gama de productos, que abarca la electrónica de consumo y los sistemas automotrices.La destreza que muestran en esta arena indica su dedicación a empujar los límites tecnológicos e ingenio.
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El diodo Schottky 1N5822 se destaca por su caída de voltaje avanzada baja aproximada de 0.525 V, lo que contribuye a su destreza en circuitos de sesgo hacia adelante al permitir un flujo de electricidad eficiente.Este diodo brilla en la configuración de cambio rápido que requieren corrientes más bajas, como circuitos de potencia de alta frecuencia.Dentro del mundo de las normas de la industria, el diodo a menudo se elige para roles que exigen pérdida de energía minimizada y respuesta rápida a las fluctuaciones eléctricas.Las aplicaciones reales resaltan su adeptitud al conservar la energía durante los cambios de circuito, mejorando su atractivo en el diseño contemporáneo de sistemas eléctricos.
Comúnmente, los diodos Schottky están diseñados con una almohadilla térmica en el cátodo en lugar de en el ánodo.Esta elección se informa por cómo estos diodos reaccionan al estrés térmico, lo que puede conducir a condiciones térmicas desiguales.La práctica estándar implica asegurar un disipador de calor al cátodo para garantizar una disipación de calor efectiva.Las experiencias del campo revelan que esta configuración estabiliza la operación de diodos y extiende su vida útil a través de la gestión del calor competente.
Reemplazar un diodo Schottky 1N5819 con un 1N5822 depende de su voltaje directo compartido (VF) y resistencia térmica de unión a ambiente (RTH-JA).Sin embargo, la corriente de fuga más alta del 1N5822 puede influir en ciertos usos, especialmente en entornos sensibles a la fuga, como los circuitos de energía o.Cuando se trata de contextos como fuentes de alimentación de modo de conmutación (SMPS) o protección de polaridad inversa, intercambiarlos es principalmente adecuado.No obstante, uno debe considerar las dimensiones físicas;La huella más grande del 1N5822 cae alrededor de 1,5 mm de diámetro, lo que requiere alojamientos de montaje adecuados.Esta comprensión práctica resalta la necesidad de alinear los parámetros mecánicos y eléctricos para el reemplazo de componentes sin problemas.
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