El 2N3055 es un transistor NPN de silicio que se construye utilizando una estructura plana de base epitaxial.Está encerrado en una caja de metal TO-3, lo que lo hace duradero para una variedad de aplicaciones.Puede confiar en el 2N3055 para tareas que implican reguladores de conmutación, serie y derivación, etapas de salida e incluso amplificadores de alta fidelidad.Su parte complementaria, la MJ2955, es un tipo PNP, que hace que los dos sean útiles cuando se construyan circuitos que requieren transistores NPN y PNP.El rendimiento confiable del 2N3055 en estas áreas se debe a su diseño y construcción, lo que garantiza que maneja varias tareas de potencia de manera eficiente.
Número de alfiler | Nombre | Descripción |
1 | Base (b) | |
2 | Emisor (e) | Normalmente conectado a tierra |
Pestaña o caso | Coleccionista (C) | Normalmente conectado a la carga |
El 2N3055 está diseñado para manejar los niveles de potencia medio, lo que significa que puede administrar una cantidad moderada de energía sin sobrecargar.Esta característica lo convierte en un componente confiable para una variedad de circuitos donde no necesita una potencia extremadamente alta, pero aún necesita algo más que un transistor de baja potencia.
Este transistor opera de forma segura dentro de los límites definidos, lo que garantiza un rendimiento constante en diferentes configuraciones.Puede confiar en que se mantendrá estable y confiable, especialmente cuando trabaje en proyectos que requieren operaciones constantes e ininterrumpidas.
El 2N3055 tiene un transistor PNP complementario, el MJ2955, que le permite diseñar circuitos que necesitan transistores NPN y PNP.Esto le brinda flexibilidad al crear diseños de circuitos equilibrados donde ambas polaridades son necesarias para una operación eficiente.
Con un bajo voltaje de saturación del emisor de colector, el 2N3055 reduce la cantidad de voltaje perdido en el transistor cuando está en el estado "en".Esto mejora la eficiencia al minimizar la pérdida de energía, que puede ser particularmente útil en aplicaciones sensibles a la potencia.
Si le preocupa el impacto ambiental, apreciará que el 2N3055 está disponible en paquetes sin plomo.Esto lo convierte en una opción más segura para proyectos donde la reducción de los materiales dañinos es una prioridad.
El transistor ofrece una ganancia de corriente de CC (HFE) de hasta 70, lo que significa que puede amplificar las corrientes de entrada de manera efectiva.Esto hace que el 2N3055 sea adecuado para aplicaciones donde se necesita una amplificación de corriente fuerte, lo que lo ayuda a lograr más con menos aportes.
La linealidad mejorada del 2N3055 asegura que funcione de una manera más predecible y consistente.Esto es especialmente beneficioso cuando lo está utilizando en circuitos de amplificadores, donde la precisión y la estabilidad son esenciales para la producción de calidad.
El 2N3055 puede manejar hasta 60 V CC entre el coleccionista y el emisor, lo que amplía su utilidad en los circuitos que funcionan a voltajes más altos.Esto le permite usar el transistor en aplicaciones de energía más exigentes sin preocuparse por las limitaciones de voltaje.
Con una corriente de colección máxima de 15a, el 2N3055 es capaz de administrar corrientes más altas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de energía donde las cargas más grandes deben controlarse.Esta capacidad actual asegura que el transistor pueda manejar tareas más exigentes sin ser dañado.
El transistor está diseñado para manejar hasta 7V DC en la base y el emisor, ofreciendo protección contra el voltaje excesivo.Esta característica se suma a la durabilidad del transistor y ayuda a prevenir la falla debido a las condiciones de exceso de voltaje en la unión del emisor base.
Puede aplicar una corriente base de hasta 7A CC al 2N3055, lo cual es útil para los circuitos donde se requiere una unidad base más alta.Esta capacidad permite más flexibilidad en sus diseños, particularmente cuando se trata de cargas más grandes o circuitos más complejos.
El 2N3055 puede admitir hasta 100 V CC entre el coleccionista y la base, lo que lo hace adecuado para circuitos que exigen una mayor tolerancia a voltaje.Esta característica garantiza que pueda usarla en una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje de manera segura.
Este transistor opera en un amplio rango de temperatura, de -65ºC a +200ºC.Esto significa que puede usarlo en entornos con temperaturas extremas, ya sea caliente o frío, sin preocuparse por los problemas de rendimiento debido al sobrecalentamiento o la congelación.
El 2N3055 puede disiparse hasta 115 W, lo que le permite administrar una cantidad significativa de potencia sin sobrecalentamiento.Esta característica es particularmente útil para aplicaciones hambrientas de energía, asegurando que el transistor se mantenga fresco incluso bajo cargas pesadas.
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes comparables relacionadas con el stmicroelectronics 2N3055.
Tipo | Parámetro |
Montar | Monte del chasis, a través del agujero |
Tipo de montaje | Monte del chasis |
Paquete / estuche | TO-204AA, TO-3 |
Número de alfileres | 2 |
Peso | 4.535924g |
Material del elemento transistor | SILICIO |
Voltaje de descomposición del emisor de colección | 60V |
Número de elementos | 1 |
hfe min | 20 |
Temperatura de funcionamiento | 200 ° C TJ |
Embalaje | Bandeja |
Código JESD-609 | E3 |
Código PBFree | Sí |
Estatus de parte | Obsoleto |
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
Número de terminaciones | 2 |
Código ECCN | EAR99 |
Acabado terminal | Lata (sn) |
Voltaje - DC clasificado | 60V |
Disipación de potencia máxima | 115W |
Posición terminal | ABAJO |
Forma terminal | Alfiler |
Calificación actual | 15A |
Número de pieza base | 2n30 |
Recuento de alfileres | 2 |
Voltaje | 60V |
Configuración de elementos | Soltero |
Actual | 15A |
Disipación de potencia | 115W |
Conexión de caja | COLECCIONISTA |
Aplicación de transistor | TRASPUESTA |
Ganar producto de ancho de banda | 3MHz |
Tipo de polaridad/canal | NPN |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje del emisor de colección (VCEO) | 60V |
Actual de colección máxima | 15A |
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | 20 @ 4A 4V |
Actual - Corte de colección (Max) | 700 μA |
VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 3V @ 3.3a, 10a |
Frecuencia de transición | 3MHz |
Voltaje de desglose máximo | 100V |
Voltaje base de colección (VCBO) | 100V |
Voltaje base del emisor (VEBO) | 7V |
Vcesat-max | 3 V |
Altura | 8.7 mm |
Longitud | 39.5 mm |
Ancho | 26.2 mm |
Llegar a SVHC | Sin SVHC |
Endurecimiento por radiación | No |
Estado de ROHS | ROHS3 Cumplante |
Plomo libre | Plomo libre |
Número de parte | Descripción | Fabricante |
Bdx10 | Transistor bipolar de potencia, 15a I (c), CEO de 60V V (BR), 1 elemento, NPN, silicio, TO-204AA, metal, 2 pin, sellado hermético, metal, TO-3, 2 pines | Resistencias de TT Electronics |
2N3055A | Transistor bipolar de potencia, 15a I (c), CEO de 60V V (BR), elemento 1, NPN, silicio, TO-204AA, metal, 2 pin, TO-3, 2 pines | Productos de semiconductores de Motorola |
Jantx2n3055 | Transistor | Vishay Hirel Systems |
2N3055R1 | 15A, 60V, NPN, SI, Power Transistor, TO-204AA, Hermetic sellada, metal, TO-3, 2 pines | TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited |
2N3055G | 15 A, 60 V NPN Transistor de potencia bipolar, TO-204 (TO-3), 100-FTRAY | En semiconductor |
2N3055E3 | Transistor bipolar de potencia, 15a I (c), CEO de 60V V (BR), elemento 1, NPN, silicio, TO-204AA, metal, 2 pines | Corporación microsemi |
Jantxv2n3055 | Transistor bipolar de potencia, 15a I (c), CEO de 70V V (BR), 1 elemento, NPN, silicio, TO-3, metal, 2 pin, TO-3, 2 pines | Soluciones de semiconductores de Cobham |
2N3055AR1 | Transistor bipolar de potencia, 15a I (c), CEO de 60V V (BR), 1 elemento, NPN, silicio, TO-204AA, metal, 2 pin, sellado hermético, metal, TO-3, 2 pines | Resistencias de TT Electronics |
2N3055AG | 15A, 60V, NPN, SI, Power Transistor, TO-204AA, ROHS Cumplante, Caso 1-07, TO-3, 2 pines | Rochester Electronics LLC |
Bdx10c | Transistor bipolar de potencia, 15a I (c), CEO de 60V V (BR), elemento 1, NPN, silicio, TO-3, metal, 2 pines | Crimson Semiconducto |
El 2N3055 se puede usar en cualquier aplicación de transistor NPN, pero echemos un vistazo más de cerca a un ejemplo simple para comprender cómo funciona.En este caso, usaremos el 2N3055 como un dispositivo de conmutación básico para conducir un motor, siguiendo una configuración de emisor común.
En el circuito, el motor sirve como carga, y una fuente de 5V proporciona la señal para encender el transistor.Un botón actúa como disparador, y para que el circuito funcione, tanto la fuente de activación como la fuente de alimentación deben compartir una tierra común.También usará una resistencia de 100 ohmios para limitar la corriente que fluye hacia la base del transistor.
Cuando no se presiona el botón, no fluye la corriente a la base del transistor.En este estado, el transistor actúa como un circuito abierto, lo que significa que el voltaje de suministro completo, V1, está a través del transistor.
Cuando presiona el botón, el voltaje V2 crea un circuito cerrado con la base y el emisor del transistor.Esto permite que la corriente fluya hacia la base, activando el transistor.En este estado, el transistor actúa como un cortocircuito, permitiendo que la corriente fluya a través del motor, lo que hace que gire.El motor continuará girando mientras la corriente base esté presente.
Una vez que suelta el botón, la corriente base se detiene, apagando el transistor.En el estado de apagado, el transistor se remonta a su estado de alta resistencia, deteniendo la corriente del coleccionista y haciendo que el motor también se detenga.
Este ejemplo muestra cómo el 2N3055 se puede usar como un sistema de conmutación para controlar un motor usando un botón simple.Puede aplicar este mismo método a otros circuitos utilizando el 2N3055.
El 2N3055 es ideal para su uso en circuitos de conmutación de alimentación.Su capacidad para manejar la potencia media y la alta corriente lo convierte en una opción adecuada para cambiar cargas grandes de manera eficiente.Ya sea que esté construyendo un circuito de conmutación simple o algo más complejo, este transistor puede manejar la tarea de manera confiable.
En los circuitos de amplificador, el 2N3055 brilla debido a su buena ganancia de corriente y una mejor linealidad.Esto lo convierte en una excelente opción cuando busca amplificar las señales con una distorsión mínima, asegurando que la salida sea clara y consistente.Ya sea que esté trabajando con señales de audio u otros tipos de amplificación, este transistor funciona bien.
Cuando se usa en aplicaciones de modulación de ancho de pulso (PWM), el 2N3055 actúa como un interruptor confiable.Su capacidad para manejar corrientes altas significa que puede administrar eficientemente el conmutación necesario en las configuraciones de PWM, asegurando un funcionamiento sin problemas en aplicaciones como el control del motor o la regulación de la energía.
El 2N3055 es un excelente ajuste para los circuitos reguladores, donde ayuda a administrar y controlar el voltaje en su sistema.Al mantener los voltajes de salida estables, ayuda a proteger los componentes sensibles de las fluctuaciones de voltaje, asegurando la longevidad y la confiabilidad de sus diseños.
Puede usar el 2N3055 en las fuentes de alimentación del modo de interruptor (SMPS), donde su capacidad para manejar altas corrientes y voltajes lo convierte en una opción sólida para administrar la potencia de manera eficiente.Ya sea que esté construyendo un suministro de alta potencia o algo más modesto, el 2N3055 garantiza una conversión de energía eficiente.
En la amplificación de la señal, el 2N3055 puede impulsar efectivamente las señales más débiles.Esto lo hace útil en aplicaciones como la amplificación de audio o radiofrecuencia.La buena linealidad y la ganancia de corriente del transistor aseguran que la señal amplificada permanezca clara y fuerte, sin una pérdida significativa de calidad.
OSCURO. | mm (min.) | mm (típ.) | mm (máx.) | pulgada (min.) | pulgada (típ.) | pulgada (máx.) |
A | 11 | - | 13.1 | 0.433 | - | 0.516 |
B | 0.97 | 1.15 | - | 0.038 | 0.045 | - |
do | 1.5 | - | 1.65 | 0.059 | - | 0.065 |
D | 8.32 | - | 8.92 | 0.327 | - | 0.351 |
mi | 19 | - | 20 | 0.748 | - | 0.787 |
GRAMO | 10.7 | - | 11.1 | 0.421 | - | 0.437 |
norte | 16.5 | - | 17.2 | 0.649 | - | 0.677 |
PAG | 25 | - | 26 | 0.984 | - | 1.023 |
Riñonal | 4 | - | 4.09 | 0.157 | - | 0.161 |
U | 38.5 | - | 39.3 | 1.515 | - | 1.547 |
V | 30 | - | 30.3 | 1.187 | - | 1.193 |
El 2N3055 está hecho por Stmicroelectronics, una empresa bien establecida en la industria de semiconductores.Stmicroelectronics es conocido por proporcionar soluciones de semiconductores que se utilizan en muchos dispositivos y sistemas electrónicos en la actualidad.Su experiencia en el diseño y fabricación de componentes basados en silicio les permite producir productos confiables que se utilizan en diferentes aplicaciones.Ya sea que esté construyendo algo pequeño o grande, los productos de Stmicroelectronics están diseñados para proporcionar un rendimiento constante, y su conocimiento en la tecnología de semiconductores ayuda a impulsar los avances en el campo.
El 2N3055 es un transistor de potencia NPN de silicio utilizado para aplicaciones de propósito general.Fue introducido por primera vez a principios de la década de 1960 por RCA.Inicialmente, utilizó un proceso hometaxial, pero luego se actualizó a un proceso base epitaxial en la década de 1970.Su nombre sigue al sistema de numeración JEDEC, y se ha mantenido popular durante décadas debido a su versatilidad.
El 2N3055 es un transistor de potencia NPN de propósito general, hecho utilizando el proceso base epitaxial y alojado en una caja de metal sellado.Está diseñado para varias tareas, incluidas las señales de conmutación y amplificación en los circuitos electrónicos.Puede usarlo en diferentes configuraciones dependiendo de las necesidades de su proyecto.
El 2N3055 se usa comúnmente en un circuito de regulador de CC de 12 V como regulador de voltaje en serie.Esto significa que la corriente de carga fluye a través del transistor en serie.Por ejemplo, en un circuito regulador, puede ingresar un suministro de CC no regulado de 15V a 20V, y el 2N3055 ayuda a entregar una salida estable de 12 V a la carga.
Un transistor, también conocido como transistor de unión bipolar (BJT), es un dispositivo semiconductor que controla el flujo de corriente eléctrica.Al aplicar una pequeña corriente al cable base, puede controlar una corriente más grande entre el colector y el emisor, lo que permite que el transistor actúe como un interruptor o amplificador en un circuito.
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