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2N2369 CANTANCE TRANSISTOR: PINOUT, alternativas y especificaciones

Este artículo explora el transistor 2N2369, conocido por su rendimiento y confiabilidad de alta velocidad en el cambio de electrónica.Examinaremos su configuración PIN, especificaciones detalladas y varias aplicaciones.La discusión también incluye transistores y conocimientos alternativos de los fabricantes, lo que mejora nuestra comprensión de cómo interactúa el 2n2369 con otros componentes electrónicos e influye en los avances tecnológicos.

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¿Cuál es el transistor 2N2369?

El 2n2369 Transistor es un dispositivo NPN epitaxial plano de silicio admirado por su capacidad de realizar acciones de conmutación rápida, con un voltaje de bajo saturación y una dinámica efectiva de apagado.Su ingeniería lo hace beneficioso en los contextos donde la conservación del poder y el logro de operaciones rápidas se buscan en una variedad de circuitos electrónicos.Un atributo destacado del transistor 2N2369 es su competencia en la ejecución de la conmutación de alta velocidad.Esta característica encuentra su esencia en aplicaciones como los amplificadores de pulso, donde las transiciones rápidas entre los estados inyectan vitalidad.La mezcla armoniosa de velocidad y eficiencia en un solo componente ha presentado un rompecabezas de ingeniería, pero este transistor combina con gracia estos rasgos.

El voltaje de bajo saturación del 2N2369 reduce el desperdicio de energía durante la operación, que se ajusta a la perfección en los sistemas que adoptan la eficiencia energética.Este rasgo facilita la longevidad de los dispositivos prolongados y facilita el estrés térmico dentro de los circuitos, una bendición a menudo apreciada en implementaciones prácticas que exigen sensibilidad energética.La característica de apagado rápido aumenta la aptitud del transistor para aplicaciones de alta frecuencia.Al frenar el tiempo, permanece activo cuando innecesario, los circuitos pueden defender la eficiencia y el rendimiento formidables.Comparable a los sistemas avanzados de frenado de automóviles que responden rápidamente a los comandos del controlador.Equilibrar el uso de baja potencia con un rendimiento estelar se convierte en un esfuerzo focal.La delicadeza arquitectónica del 2N2369 facilita esto, lo que lo convierte en una excelente opción para la electrónica portátil donde la longevidad de la batería es una preocupación predominante.La destreza de conmutación rápida del 2N2369 es importante dentro de los marcos digitales de alta velocidad, como procesadores de señales y convertidores de datos.

La siguiente imagen muestra el diagrama esquemático interno de un transistor NPN, que representa las conexiones entre la base (B), el colector (C) y el emisor (E).

Configuración de PIN 2N2369

2N2369 Símbolo y huella

2n2369 Especificaciones técnicas

Especificaciones técnicas, características y parámetros de la Corporación Microsemi 2369a, junto con componentes que comparten especificaciones similares.

Tipo	Parámetro
Estado del ciclo de vida	En producción (última actualización: hace 1 mes)
Contactor	Plomo, lata
Tipo de montaje	A través del agujero
Número de alfileres	3
Voltaje de descomposición del emisor de colección	15V
Temperatura de funcionamiento	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Publicado	2002
Código PBFree	No
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Código ECCN	EAR99
Disipación de potencia máxima	360MW
Forma terminal	CABLE
Configuración	SOLTERO
Tiempo de entrega de fábrica	12 semanas
Montar	A través del agujero
Paquete / estuche	To-206AA, to 18-3 metal lata
Material del elemento transistor	SILICIO
Número de elementos	1
Embalaje	A granel
Código JESD-609	e0
Estatus de parte	Activo
Número de terminaciones	3
Acabado terminal	Plomo de lata
Posición terminal	ABAJO
Recuento de alfileres	3
Disipación de potencia	360MW
Conexión de caja	COLECCIONISTA
Tipo de polaridad/canal	NPN
Voltaje del emisor de colección (VCEO)	15V
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	20 @ 100MA 1V
Frecuencia de transición	500MHz
Voltaje base del emisor (VEBO)	4.5V
Capacitancia de colección-base-max	4pf
Estado de ROHS	No compatible
Aplicación de transistor	TRASPUESTA
Tipo de transistor	NPN
Actual de colección máxima	400mA
VCE Saturation (Max) @ IB, IC	450mv @ 10 mA, 100 mA
Voltaje base de colección (VCBO)	40V
Vcesat-max	0.45V
Endurecimiento por radiación	No
Plomo libre	Contiene plomo

Características del 2369

• Tipo: Transistor NPN bipolar, adecuado para aplicaciones versátiles.

• Actual de colección máxima: 200MA, que soporta cargas eléctricas moderadas.

• Voltaje de descomposición del emisor de colección: 15V, ideal para proyectos de energía bajos a moderados.

• Voltaje de saturación (VCE): 450mV, que permite la conmutación de eficiencia energética.

• Aplicaciones: Utilizado en amplificación de señal, control de motores pequeños y conmutación de alta velocidad.

• Actuación: El tiempo de respuesta rápida mejora la eficiencia del circuito en escenarios de conmutación rápida.

• Beneficios de ingeniería: Equilibra las especificaciones teóricas con confiabilidad para circuitos de precisión.

• Flexibilidad: Adaptable para diseños innovadores en el panorama tecnológico en evolución actual.

• Fortalezas clave: Eficiencia, adaptabilidad e idoneidad para los desafíos de ingeniería modernos.

Aplicaciones del 2369

Conmutación de alta velocidad

Reconocido por sus capacidades de conmutación rápida y un bajo voltaje de saturación del emisor de colector, el 2N2369 sobresale en contextos de conmutación de alta velocidad.Actúa como una interfaz perfecta entre los actuadores de baja potencia y los circuitos de control.Esta transición proporciona una confiabilidad constante para las tareas sensibles al tiempo, mejorando la robustez del sistema.Tal confiabilidad es muy valorada tanto en entornos comerciales como industriales.

Amplificación de señal

El 2N2369 es un componente preferido en los circuitos de audio y RF que exige una amplificación de baja ruido.Su uso en amplificadores eleva la claridad sólida y la fidelidad de la señal.Otros confían en este transistor para mantener la integridad de la señal en las distancias, logrando un delicado equilibrio entre las especificaciones y el uso práctico.Esto refleja avances en curso en las tecnologías de audio y comunicación, donde la claridad es importante.

Aplicaciones en sistemas digitales y analógicos

El 2N2369 está ampliamente integrado en sistemas digitales y analógicos modernos debido a su capacidad para administrar diversos niveles de corriente y voltaje.Es un componente importante en sistemas complejos como procesadores de señales digitales y microcontroladores.Estos componentes, diseñados con precisión, permiten que los sistemas realicen cálculos tanto rápido como con precisión.Las mejoras incrementales impactan el rendimiento, enfatizando las cuidadosas consideraciones de diseño en la ingeniería eléctrica.

Impacto en la informática y las telecomunicaciones

En los campos de la computación y las telecomunicaciones, el 2N2369 es esencial a la arquitectura central que sustenta el procesamiento y la transmisión de datos.Su contribución es importante para optimizar el uso de energía y aumentar las velocidades de procesamiento, para los avances informáticos de próxima generación.Aunque las ganancias de eficiencia pueden parecer modestas individualmente, cuando se aplican en las redes, dan como resultado avances notables, ilustrando el extenso impacto de las mejoras detalladas de la ingeniería.

Sustitutos del transistor 2N2369

• 2N2221

• 2N2222

• BC378

• BC378-6

• BC378-7

Alternativas del 2369

Parte	Comparar	Fabricantes	Categoría	Descripción
Jan2n2369a	Parte actual	Microsemi	Bjts	Trans GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN a-18
Jantx2n2369a	Jan2n2369a vs Jantx2n2369a	Microsemi	Bjts	Trans GP BJT NPN 15V 360MW 3PIN a-18
Jans2n2369a	Jan2n2369a vs Jans2n2369a	Microsemi	Bjts	A 18 NPN 15V
2369a	Jan2n2369a vs 2N2369AleadFree	Semiconductor central		A 18 NPN 15V 0.2A

Dimensiones del paquete para 2N2369

Información del fabricante 2N2369

Microsemi Corporation brilla en el desarrollo de soluciones sofisticadas de semiconductores y sistemas adaptadas para sectores como los centros aeroespaciales, de defensa, comunicaciones y de datos.Su espíritu innovador es evidente en la complejidad de sus circuitos integrados de alto rendimiento (ICS), herramientas de gestión de energía de vanguardia y soluciones de redes seguras incomparables.El énfasis de Microsemi en los IC de alto rendimiento subraya su compromiso de satisfacer las demandas técnicas de la electrónica contemporánea.Estos ICS se forman para sistemas que necesitan precisión y confiabilidad, especialmente en entornos aeroespaciales y de defensa, donde los riesgos de falla pueden ser sustanciales.Las mejoras en las eficiencias y capacidades de las redes de comunicación también están habilitadas por estos IC de alto rendimiento, destacando los esfuerzos continuos en la innovación.Las soluciones de gestión de energía de Microsemi juegan un papel influyente en el panorama actual consciente de la energía.Diseñado para maximizar el uso de energía, disminuir las ineficiencias y mantener la efectividad operativa, estas herramientas resuenan fuertemente dentro de los contextos de los centros de datos.Sirviendo como más que una necesidad técnica, una gestión de energía efectiva ofrece una ventaja estratégica, lo que resulta en costos reducidos y promueve prácticas sostenibles que están ganando importancia en la planificación corporativa.

Hoja de datos pdf

2N2222 Hojas de datos:

2N22 (18-22) Hoja de datos.pdf