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1N5711 Diodo Schottky: alternativas, características y hoja de datos

El diodo Schottky 1N5711 se destaca por su capacidad para cambiar a velocidades notables, junto con una caída de voltaje hacia adelante notablemente baja.Este artículo profundiza en las características y aplicaciones del 1N5711, destacando su gran contribución a los avances tecnológicos ecológicos.A través de una exploración de sus atributos e implementaciones prácticas, nuestro objetivo es presentar una comprensión integral de su impacto en el diseño y el rendimiento de la electrónica moderna.

Catalogar

Descripción general del 1N5711

El 1N5711 El diodo combina intrincadamente metal y silicio, lo que permite lograr no solo un notable voltaje de desglose, sino también capacidades de conmutación notablemente rápidas.Su aplicación efectiva en la detección de UHF/VHF y las tareas de impulso se debe a su amplio rango operativo.El paquete DO-35 del diodo ofrece confiabilidad con un umbral de corriente hacia adelante de 15 mA emparejado con un voltaje directo de 0.41V.Con su compatibilidad con las metodologías con plomo estándar, hay una facilidad en su uso para los procesos de montaje a través de los agujeros, lo que se suma a su atractivo funcional y contribuye a una sensación de satisfacción de ingeniería.

Configuración de PIN 1N5711

Símbolo 1N5711 y modelo CAD

Características del 1N5711

Capa de protección fortificada

El diodo 1N5711 incluye una capa de protección fortificada que mejora su capacidad para soportar sobretensiones de voltaje repentino.Esta capa reduce el riesgo de daño de los picos de voltaje abrupto, ofreciendo al diodo una vida operativa más larga.Tal diseño de fallas electrónicas anteriores debido a una protección de sobrevoltaje insuficiente, lo que a menudo resultó en costosos tiempo de inactividad y reparaciones.

Voltaje de activación excepcionalmente bajo

Lo que realmente distingue el 1N5711 es su voltaje de activación notablemente bajo.Esta característica permite que el diodo inicie el flujo de corriente con un voltaje mínimo, prestando bien a los diseños de circuitos de eficiencia energética.En la electrónica contemporánea donde la conservación de la energía a menudo está a la vanguardia, esta propiedad contribuye a reducir los gastos operativos y prolongar la duración de la batería al minimizar las pérdidas de energía durante las conversiones de voltaje.

Velocidad de conmutación ultrarrápida

La velocidad de conmutación a nivel de picosegundos ultra rápido del diodo es una característica definitiva.Esta conmutación rápida permite transiciones inmediatas, que son buenas en aplicaciones de alta frecuencia, especialmente circuitos de RF y microondas.Al minimizar la latencia, mejora la velocidad y el rendimiento de los dispositivos electrónicos.Esta característica es un testimonio de mejoras continuas en la tecnología de semiconductores, haciendo eco de la progresión de la industria hacia componentes más ágiles y receptivos.

Especificaciones 1N5711

Tipo	Parámetro
Tiempo de entrega de fábrica	15 semanas
Montar	A través del agujero
Número de alfileres	2
Material de elemento de diodo	SILICIO
Número de elementos	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Estatus de parte	Activo
Número de terminaciones	2
Código ECCN	EAR99
Código HTS	8541.40.00.70
Voltaje - DC clasificado	70V
Calificación actual	15 mA
Recuento de alfileres	2
Contactor	Estaño
Paquete / estuche	Do-204AH, do-35, axial
Peso	4.535924g
Voltaje de desglose / V	70V
Temperatura de funcionamiento	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Código JESD-609	E3
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Terminación	Axial
Característica adicional	Conmutación rápida
Capacidad	2pf
Forma terminal	CABLE
Número de pieza base	1N57
Polaridad	Estándar
Tipo de diodo	Schottky - Single
Corriente de salida	15 mA
Corriente de reenvío	15 mA
Voltaje hacia adelante	1V
Corriente de reverso máximo	200NA
Capacitancia @ vr, f	2pf @ 0V 1MHz
Diámetro externo	1.93 mm
Voltaje inverso (DC)	70V
Altura	2 mm
Ancho	2 mm
Endurecimiento por radiación	No
Plomo libre	Plomo libre
Disipación de potencia	430MW
Conexión de caja	AISLADO
Corriente de fuga inversa máxima	200NA
Tiempo de recuperación inverso	100 ps
Voltaje inverso repetitivo máximo (VRRM)	70V
Voltaje inverso	70V
Temperatura de unión máxima (TJ)	200 ° C
Diámetro	2 mm
Longitud	4.5 mm
Llegar a SVHC	Sin SVHC
Estado de ROHS	ROHS3 Cumplante

Diagrama de bloque funcional de 1N5711

Aplicaciones del diodo 1N5711

Detección de señal UHF/VHF

El diodo 1N5711 se usa en la detección de señal UHF/VHF, principalmente debido a sus capacidades de conmutación rápida y baja capacitancia.Estas características ayudan a refinar y mejorar la recepción de la señal, lo que refleja el anhelo profundo de las telecomunicaciones más claras.Al reducir la distorsión de la señal, el diodo proporciona un rendimiento mejorado en los sistemas de comunicación, haciendo eco de una comprensión compartida en las industrias donde la claridad en largas distancias con frecuencia surge como un punto focal.

Manejo de pulsos con un rango dinámico expansivo

En aplicaciones de pulso, la competencia del diodo en la gestión de un amplio rango dinámico es un activo distinto.Su rápida respuesta y adaptabilidad a las intensidades de señal cambiantes permiten un manejo suave de las intrincadas operaciones electrónicas.Lecciones extraídas de los campos de diseño analógico y digital de diseño de circuitos de la utilidad versátil del diodo, iluminando su gestión de rango dinámico como una vía para lograr la precisión y estabilidad operativa.

Seguridad de los dispositivos MOS

1N5711 Diodos Escudan de manera competente dispositivos MOS sensibles del daño debido a picos de voltaje, una intrincada faceta de su diseño.El tiempo de recuperación Swift garantiza una sujeción rápida de los transitorios, proporcionando una barrera confiable contra las amenazas de sobrevoltaje.Esta característica es relevante en la electrónica de potencia, donde la implementación estratégica de medidas de protección se convierte en casi un ritual de precisión.

Cambio ágil en circuitos de nivel lógico bajo

La capacidad del diodo para la conmutación eficiente en circuitos de bajo nivel de lógica lo convierte en una opción óptima para frenar la pérdida de energía y la eficiencia del circuito de aumento.En la electrónica de consumo, se beneficie de su capacidad para mantener la integridad al tiempo que reduce el consumo de energía, lo que provocó innovaciones en los diseños de dispositivos portátiles.

Aplicaciones multifacéticas de 1N5711 Diodo

Examinar las variadas aplicaciones del diodo 1N5711 revela su papel en la electrónica contemporánea.Su exitoso tackle de los complejos desafíos dentro de diversas aplicaciones destaca las demandas únicas de seleccionar e integrar componentes.Esta narración significa el intercambio continuo entre los conceptos teóricos y la implementación práctica, guiando los avances en la ingeniería electrónica.

1N5711 equivalentes y alternativas

Parte	Fabricantes	Categoría	Descripción
Jantx1n5711-1	Microsemi	TVS Diodos	Jantx Serie 70V 33MA a través de Hole Schottky Diodo - DO -35
Jantxv1n5711-1	Microsemi	Diodos	Diodo Schottky 70V 0.033a 2pin do-35
NTE583	NTE Electrónica	Diodos Schottky	NTE Electronics NTE583 RF Schottky Diodo, Single, 70V, 15 mA, 1V, 2PF, DO-35
UF1001-T	Diodos incorporados		A través del agujero do-204al, do-41, axial 1 v 50 v 50 ns no Single Lead Free
1N4001G-T	Diodos incorporados		A través del agujero do-204al, do-41, axial 1 v 50 v 2 μs no Single Lead Free
1N5400-T	Diodos incorporados		A través del agujero DO -201AD, Axial 1 V 50 V - sin cable Gratis

Dimensiones de 1N5711

Información del fabricante 1N5711

La stmicroelectronics se distingue en las innovaciones de semiconductores de vanguardia, configurando la progresión de los dispositivos electrónicos de hoy.Este análisis se centra en cómo esta empresa mejora la conectividad y la eficiencia en varias industrias, al tiempo que revela impactos más amplios en la esfera tecnológica.Una observación importante surge al considerar la extensa gama de ofertas de Stmicroelectronics: la combinación de innovación y aplicación subraya su liderazgo en la industria.Mantener este equilibrio mejora su capacidad para proporcionar soluciones transformadoras, alentando a otros jugadores del ecosistema a ajustar e innovar juntos.Este enfoque estratégico no solo les da una ventaja competitiva, sino que también fomenta el crecimiento colaborativo, fomentando una transición perfecta a futuros entornos tecnológicos.

Hoja de datos pdf

Hojas de datos 1N5711:

Portavasos cilíndricos.pdf